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诺维晶科股份有限公司
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28
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相关机构:
株式会社田村制作所
TDK株式会社
国立大学法人信州大学
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相关领域:
电子电信
理学
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株式会社田村制作所
TDK株式会社
国立大学法人信州大学
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机构
28篇
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年份
7篇
2023
7篇
2022
5篇
2021
6篇
2020
3篇
2019
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肖特基势垒二极管
本发明提供不容易产生电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管,其包括:由氧化镓构成的半导体基板(20);设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30);与漂移层(30)肖特基接触的...
有马润
藤田实
平林润
佐佐木公平
文献传递
场效应晶体管
提供一种不使用p型的β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶且截止泄漏特性和耐压优异的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系的场效应晶体管。作为一实施方式,提供沟槽型MOSFET(...
佐佐木公平
文献传递
半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法
提供一种半导体元件的制造方法等,该由Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系半导体构成的半导体元件的制造方法,能够从1个晶片在抑制划片时的破损的同时得到具有散热性优异的结构的多个半导体元件。提供一种半导体...
町田信夫
氧化镓晶体的制造装置
一种氧化镓晶体的制造装置,其包括:坩埚,其内部容纳氧化镓原料;坩埚支撑体,其从下方支撑坩埚;坩埚支撑轴,其从下方连接至坩埚支撑体,并且可垂直移动地支撑坩埚和坩埚支撑体;管状的炉芯管,其包围坩埚、坩埚支撑体以及坩埚支撑轴;...
干川圭吾
小林拓实
大冢美雄
太子敏则
文献传递
肖特基势垒二极管
提供一种包括Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系半导体的肖特基势垒二极管,其具有比以往的肖特基势垒二极管低的开启电压。作为一个实施方式,提供肖特基势垒二极管(1),其具有:半导体层(10),其包括Ga...
佐佐木公平
胁本大树
小石川结树
韶光秀
肖特基势垒二极管
提供具备包括氧化镓系半导体的半导体层的肖特基势垒二极管,其通过包括SiO<Sub>2</Sub>的钝化膜有效地抑制了表面漏电,且绝缘耐压有效地提高。作为一实施方式,提供肖特基势垒二极管(1),其具备:n型半导体层(10)...
山口慎也
内田悠贵
胁本大树
高冢章夫
肖特基势垒二极管
本发明提供一种难以产生电场集中引起的绝缘破坏的肖特基势垒二极管,具备:由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层30肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(2...
有马润
藤田实
平林润
佐佐木公平
文献传递
沟槽型MESFET
提供一种沟槽型MESFET(1),具备:n型半导体层(11),其包括Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系单晶,具有在一个面(19)上开口的多个沟槽(12);绝缘体(14),其埋入于多个沟槽(12)各自...
佐佐木公平
肖特基势垒二极管
本发明提供不容易发生由电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管包括:由氧化镓形成的半导体基板(20);设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30);与漂移层(30)肖特基接触的阳...
有马润
藤田实
平林润
佐佐木公平
文献传递
二极管
提供一种成本低且能够容易地制造的利用了异质pn结的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系的二极管。作为一实施方式,提供二极管(2),其具备:n型半导体层(21),其包括n型Ga<Sub>2</Sub>O...
佐佐木公平
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