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上海瞻芯电子科技有限公司

作品数:72 被引量:12H指数:1
相关机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 70篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 23篇电子电信
  • 12篇电气工程
  • 7篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学

主题

  • 28篇功率
  • 18篇半导体
  • 17篇功率因数
  • 16篇电子设备
  • 13篇电流
  • 12篇电源
  • 11篇功率因数校正
  • 10篇电压
  • 10篇芯片
  • 9篇因数校正电路
  • 9篇碳化硅
  • 9篇功率因数校正...
  • 8篇栅极
  • 7篇介质层
  • 7篇晶体管
  • 7篇功率模块
  • 7篇充电
  • 6篇导体
  • 6篇禁带
  • 6篇控制信号

机构

  • 72篇上海瞻芯电子...
  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇张兆强

传媒

  • 2篇集成电路应用

年份

  • 14篇2024
  • 10篇2023
  • 13篇2022
  • 15篇2021
  • 14篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
72 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
芯片测试及功率模块的制造方法、功率模块和设备
本公开涉及一种芯片测试及功率模块的制造方法、功率模块和设备,所述方法包括:对晶圆进行晶圆测试,得到晶圆的第一晶圆图,第一晶圆图中包括晶圆上各个芯片的至少一种参数;根据晶圆上各个芯片的第一参数的大小调整第一晶圆图,得到第二...
王庆叶忠周彦栋张兆强
半导体器件结构及其制造方法
本公开涉及一种半导体器件结构及其制造方法。该方法包括:在衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层;按照第一介质层中第一区域的位置和尺寸依次对第三介质层、第二介质层进行刻蚀,暴露出第一介质层的第一区域;通过第一区域...
黄海涛张永熙陈伟袁志巧
芯片分组及功率模块的制造方法、功率模块和设备
本公开涉及一种芯片分组及功率模块的制造方法、功率模块和设备,所述方法包括:对晶圆进行测试,得到所述晶圆的目标晶圆图,所述目标晶圆图中各个芯片对应的坐标点被划分为至少一个组,每个组中的坐标点按照所述第一参数按序排列,且每个...
王庆叶忠周彦栋张兆强
一种功率开关管的驱动电路及电子设备
本公开涉及一种功率开关管的驱动电路及电子设备,所述驱动电路包括:镜像电流源用于在电容电路的压降小于或等于第一预设目标值的情况下,根据预设基准电流,生成并输出充电电流至电容电路的第二端,以提高所述压降;过压调节电路用于在电...
周志朱丹阳
功率因数校正装置及电源
本公开涉及一种功率因数校正装置及电源,所述装置包括:功率因数校正模块;控制模块,用于输出控制信号控制晶体管的导通状态,所述控制模块包括:调整值确定单元,用于确定目标电流,并根据目标电流及功率因数校正模块中电感的检测电流确...
叶忠朱丹阳韩启祥
文献传递
恒频振荡DC/DC功率变换装置及电源设备
本公开涉及一种恒频振荡DC/DC功率变换装置及电源设备,所述装置包括:波形转换模块,用于将输入电压信号转换为方波信号;变压器,用于根据方波信号输出变压信号;谐振模块,用于根据变压信号以谐振频率恒频振荡输出谐振信号;整流模...
叶忠
具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法
本公开涉及一种具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法。该方法包括:在衬底上生成第一介质层,衬底的材料包括碳化硅;在衬底中形成碳化硅器件的目标区域,并去除第一介质层,目标区域包括JFET区域、体区域、N型源掺杂区域和P型掺...
黄海涛张永熙陈伟
沟槽栅功率MOSFET及其制造方法
本申请公开了一种沟槽栅功率MOSFET,包括:衬底,是具有第一导电类型的宽禁带半导体的衬底;外延层,在衬底上生长,且具有第一导电类型;体区,在外延层上形成,且具有第二导电类型;沟槽,在体区内刻蚀形成,沟槽的长度方向平行于...
张永熙陈伟黄海涛
图腾柱无桥功率因数校正装置及电源
本公开涉及一种图腾柱无桥功率因数校正装置及电源,所述装置包括:功率因数校正模块,所述功率因数校正模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、电感,控制模块,用于:在第一时间段中输出第零控制信号控制所述第三晶体...
叶忠朱丹阳韩启祥
文献传递
一种功率开关管的驱动电路及电子设备
本公开涉及一种功率开关管的驱动电路及电子设备,所述驱动电路包括:驱动芯片,用于在上电时,输出预设电流至功率放大电路并导通电容电路的第二端与地线之间的连接,直至电容电路的压降达到预设目标值;在接收到的脉冲信号为断开信号的情...
杨海龙刘争林叶忠
共8页<12345678>
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