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重庆中科渝芯电子有限公司

作品数：144 被引量：14H指数：2
相关作者：王学毅吴建更多>>
相关机构：中国电子科技集团第二十四研究所电子科技大学四川遂宁市利普芯微电子有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程医药卫生农业科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 126篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 50篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 2篇医药卫生
  • 1篇经济管理
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 34篇导电类型
  • 27篇整流
  • 27篇整流器
  • 22篇肖特基
  • 20篇势垒
  • 20篇介质层
  • 19篇电路
  • 19篇重掺杂
  • 18篇集成电路
  • 17篇多晶
  • 17篇氧化层
  • 16篇金属
  • 14篇外延层
  • 12篇电阻
  • 12篇集电区
  • 12篇衬底
  • 11篇淀积
  • 11篇功率器件
  • 10篇结深
  • 8篇结型

机构

  • 144篇重庆中科渝芯...
  • 33篇中国电子科技...
  • 24篇电子科技大学
  • 14篇四川晶辉半导...
  • 14篇四川蓝彩电子...
  • 14篇四川遂宁市利...
  • 12篇四川芯合利诚...
  • 10篇广安职业技术...
  • 7篇四川上特科技...
  • 7篇成都智芯微科...
  • 6篇气派科技股份...
  • 6篇广东成利泰科...
  • 5篇中国电子科技...
  • 4篇广东气派科技...
  • 4篇上海朕芯微电...
  • 3篇重庆大学
  • 3篇重庆理工大学
  • 1篇重庆师范大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇云南电网有限...

作者

  • 6篇罗小蓉
  • 4篇杨永晖
  • 4篇魏杰
  • 3篇王学毅
  • 3篇王飞
  • 3篇冉明
  • 2篇黄磊
  • 2篇刘勇
  • 2篇刘嵘侃
  • 2篇唐昭焕
  • 2篇刘玉奎
  • 2篇陈俊
  • 2篇梁涛
  • 1篇任芳
  • 1篇谭开洲
  • 1篇廖瑞金
  • 1篇李剑
  • 1篇税国华
  • 1篇徐婉静
  • 1篇曾德贵

传媒

  • 5篇微电子学
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇化工管理
  • 1篇半导体技术
  • 1篇重庆电子工程...
  • 1篇中文科技期刊...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2024
  • 23篇2023
  • 12篇2022
  • 9篇2021
  • 19篇2020
  • 17篇2019
  • 26篇2018
  • 21篇2017
  • 10篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
共 144 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法
本发明公开了一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法；包括P型衬底、N型埋层、P型埋层、N型外延层、P型隔离穿透区、N型穿通区、P型体区、N型重掺区、N型重掺环区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射区金属、集电极金...
刘建刘青税国华张剑乔易前宁陈文锁
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一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法
本发明公开了一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层、薄膜电阻层、掩蔽层、介质层、隔离层和金属层。进行以下步骤：1)在衬底介质层上淀积一层电阻薄膜层。2)在所述电阻薄膜层上淀积一层掩蔽层。3)...
郭亿文冉明王学毅王飞崔伟
一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器
本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特...
陈文锁张培健钟怡刘建陆泽灼
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一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法
本发明公开了一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的衬底PNP双极结型晶体管的基础上，在整个集电区边缘加上第一层金属，使集电极第一层金属边缘覆盖于整个集电区之上，尺寸超出集电区结深的一到五倍，而发...
刘建刘青税国华张剑乔陈文锁张培健
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一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法
本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔...
朱坤峰张广胜杨永晖钟怡崔伟谭开洲黄东钱呈杨法明张培健
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多晶硅SOI基板型光电耦合器、其集成电路及制备方法
本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO<Sub>2</Sub>中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中...
徐开凯冯新李建全赵建明张宁冯志成黄兴发李健儿廖楠徐银森洪继霖陈勇施宝球曾尚文李洪贞刘继芝
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一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法
本发明公开了一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层、掩蔽介质层、欧姆接触区和上...
陈文锁黄彬张培健刘建王飞欧宏旗钟怡
一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关
本发明公开了一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关，由N沟道的具有超低导通压降的VDMOS、驱动控制模块和电容组成，VDMOS为核心部分，C+接电容正端，C‑接电容负端，G接VDMOS栅级，D+接VDMOS阳极，D‑接VD...
刘建刘青税国华张剑乔
文献传递
SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势被引量：8
2018年
介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势。
马羽王志宽崔伟
关键词：异质结SIGEHBTSIGEBICMOS工艺
一种带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及制造方法
本发明公开了一种带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及制造方法；所述带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型表面杂质浓度调节区、场介质...
陈文锁钟怡欧宏旗杨婵刘建张培健
文献传递
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