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索泰克公司

作品数：414 被引量：0H指数：0
相关机构：法国原子能和替代能源委员会亚利桑那董事会代表亚利桑那大学德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 414篇中文专利

领域

  • 63篇电子电信
  • 10篇金属学及工艺
  • 8篇自动化与计算...
  • 7篇文化科学
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇建筑科学
  • 3篇经济管理
  • 3篇化学工程
  • 3篇矿业工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 143篇衬底
  • 138篇半导体
  • 82篇导体
  • 79篇半导体结构
  • 74篇基板
  • 55篇绝缘
  • 53篇供体
  • 51篇单晶
  • 46篇绝缘体
  • 36篇压电
  • 31篇半导体材料
  • 27篇热膨胀
  • 27篇热膨胀系数
  • 26篇弱化
  • 20篇电池
  • 20篇压电材料
  • 19篇晶体管
  • 18篇多晶
  • 18篇键合
  • 12篇电路

机构

  • 414篇索泰克公司
  • 13篇法国原子能和...
  • 2篇里昂第一大学
  • 2篇国家科研中心
  • 2篇原子能和替代...
  • 2篇德国弗劳恩霍...
  • 2篇亚利桑那董事...
  • 1篇原子能与替代...

年份

  • 54篇2024
  • 47篇2023
  • 33篇2022
  • 27篇2021
  • 24篇2020
  • 35篇2019
  • 30篇2018
  • 35篇2017
  • 23篇2016
  • 46篇2015
  • 28篇2014
  • 10篇2013
  • 18篇2012
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 414 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于温度补偿表面声波器件或体声波器件的衬底
本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热...
M·波卡特T·巴尔格帕斯卡·昆纳德I·拉杜E·德斯邦内特斯奥列格·科农丘克
文献传递
用于平滑结构体表面的方法
本发明涉及包括在热处理期间使绝缘体上硅结构体的表面暴露于惰性或还原性气体流和高温的使所述绝缘体上硅结构体平滑的方法，所述方法包括：在第一温度和由第一流速限定的第一气体流下的第一热处理步骤；值得注意的是，所述方法包括：在低...
迪迪埃·朗德吕奥列格·科农丘克C·大卫
文献传递
用于处理结构的工艺
本发明涉及一种用于处理结构的方法，所述结构从其后侧到其前侧包括载体基板(4)、绝缘层(3)和有用层(2)，有用层(2)具有自由表面(S)，所述结构放置在包含化学物种(6)的大气中，化学物种(6)能够与有用层(2)发生化学...
奥列格·科农丘克
文献传递
制造用于转移压电层的供体基板的方法和将压电层转移至支承基板的方法
本发明涉及一种制造用于将压电层转移至支承基板的供体基板的方法，该方法包括以下步骤：提供处理基板，特别是硅基基板；提供压电基板；在处理基板或压电基板上淀积聚合物层；在压电基板的自由表面上形成中间层；按照使得形成在压电基板上...
M·波卡特 C·查尔斯-艾尔弗雷德 L·卡佩罗 莫尔加纳·洛吉奥 T·巴尔格
具有为改进效率配置的低带隙活性层的光敏器件和相关方法
光敏器件包括活性区域，该活性区域被设置在第一电极和第二电极之间，并且被配置为吸收辐射并且在电极之间生成电压。所述活性区域包括活性层，所述活性层包含展现出相对低的带隙的半导体材料。所述活性层具有前表面以及在所述活性层的相对...
F·纽曼
文献传递
用于将有用层转移到载体衬底的正面的方法
本发明涉及一种用于将有用层(15)转移到支撑衬底(20)的方法，该方法包括以下步骤：a)提供包括供体层(12)的供体衬底(10)；b)通过在供体层(12)中注入物种来形成弱化区(14)并利用弱化区(14)限定了有用层(1...
C·查尔斯-艾尔弗雷德N·本·默罕默德
接合两个半导体衬底的方法
本发明涉及一种通过分子粘附来接合两个半导体衬底的方法，所述方法包括：使第一衬底和第二衬底(2)紧密接触以便形成具有结合界面(4)的组合件的步骤a)；以比第一预定温度高的第一温度对结合界面(4)进行反应退火的步骤b)，所述...
格维塔兹·戈丹C·富丁
绝缘体上压电（POI）衬底和制造绝缘体上压电（POI）衬底的方法
本发明涉及一种绝缘体上压电(POI)衬底(100)，包括支撑衬底(102)，特别地硅基衬底；压电层(108)，特别地钽酸锂(LTO)或铌酸锂(LNO)层；夹在压电层(108)和支撑衬底(102)之间的介电层(106)，特...
B·塔维尔 I·伯特兰 C·维蒂祖
三态门
本发明涉及一种三态门(1000，2000)，包括输出端(1400)和至少两个晶体管(1200，1300；2200，2300)，每一个晶体管都具有至少第一栅极和第二栅极，被配置为使得通过控制晶体管中的至少一个晶体管的阈值电...
理查德·费朗
文献传递
制造包括悬在腔之上的膜的器件的方法
本发明关注一种制造器件的方法，所述器件包括在有用腔上延伸的膜，所述方法包括：·提供通用结构，所述通用结构包括在主平面中延伸并被布置在支持基底的第一面上的表面层，所述支持基底包括在表面层下方开口的基本腔以及界定各个基本腔的...
布鲁诺·吉瑟兰
文献传递
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