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硅绝缘体技术有限公司
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用于制造半导体器件的装置
本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置,该装置包括:键合模块(1),其包括真空室,以在低于大气压力的压力下提供晶片键合;和装载锁定模块(2),其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片,并且连接至被配置为将装...
M·波卡特
约努茨·拉杜
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用于光电子应用的基板的制造方法
本发明涉及一种用于光电子应用的基板的制造方法,所述基板具有在最终载体上的至少一个活性氮化物层及最终载体与至少一个活性氮化物层之间的金属中间层,其中,所述方法包括以下步骤:制备辅助基板,其中将一个半导体氮化物层置于辅助载体...
法布里斯·勒泰特
布鲁斯·富尔
文献传递
制备晶片的方法
本发明涉及一种制备晶片的方法,该晶片含有单晶第一材料的基材和至少一层第二材料,所述第二材料外延生长于第一材料上,并且具有与第一材料不同的晶格。因此,本发明的目的是,提供一种上述类型的方法,用该方法可得到具有良好质量外延层...
克里斯托夫·马勒维尔
埃马纽埃尔·阿雷纳
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测量载流子的寿命的方法和设备
一种测量载流子寿命的设备包括测量探针,所述测量探针包括用于将紫外辐射引导至测量位置的装置。所述测量探针还包括至少一个电极,所述至少一个电极被设置为与所述测量位置成预定空间关系。所述设备还包括:微波源,所述微波源被设置为将...
佛雷德里克·阿利伯特
奥列格·科农丘克
应用硬化剂对应变材料层的松弛
本发明涉及一种制造至少部分松弛的材料层(5,5a,5b)的方法,其包括以下步骤:提供包括位于回流层(2,2a,2b)与硬化剂层(4,4a,4b)之间的应变材料层(3,3a,3b)的结构(10);施加热处理,该热处理使回流...
奥列格·科农丘克
键合两个衬底的方法
本发明涉及一种键合两个衬底的方法,该方法包括对这两个衬底中的至少一个进行活化处理的步骤,以及在低真空的情况下使这两个衬底彼此接触的步骤。由于组合了这两个步骤,所以能够实施键合并获得高键合能,同时减少了键合空隙的数量。本发...
阿诺德·卡斯泰
通过分子黏附进行键合的方法和设备
本发明在第一方面涉及通过分子黏附使两个基片彼此键合的方法,其中,将所述基片的表面紧密接触放置,通过所述基片之间的键合前沿的扩展而发生键合,其特征在于,所述方法包括下述步骤:在键合之前,改变一个和/或另一个所述基片的表面状...
塞巴斯蒂安·凯尔迪勒
卡里纳·杜雷特
亚历山大·沃夫雷德兹
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热处理设备校准方法
一种对包括加热装置并用于对多层基板进行热处理的热处理设备进行校准的方法。为了能优化校准方法同时使用更廉价材料,本发明的方法特征在于包括以下步骤:提供结构不同于多层基板的测试基板;使用一组热处理参数对测试基板进行热处理以在...
马琳·布拉
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制备应变硅的清洁表面的改善的方法
本发明涉及一种处理晶片的方法,所述晶片包含至少一个硅-锗(SiGe)表面层和与所述SiGe层接触的应变硅(sSi)层,所述sSi层通过对所述SiGe层的蚀刻而被暴露,所述方法包括以下步骤:(a)对所述SiGe层的第一选择...
哈里德·拉德万
亚历山德罗·巴尔达罗
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用于调整由半导体材料制成的基材表面或内部应变的方法
本发明涉及一种用于调整由半导体材料制成的基材表面或内部应变的方法。所述方法步骤包括识别应变层的其中将对应变进行调整的一个或多个区域;将元素植入应变层中由此识别的至少一个区域中;以及将具有应变层的基材退火至一定温度并保持一...
伊夫-马蒂厄·拉瓦伊兰特
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