湖南大学物理与微电子科学学院微电子研究所
- 作品数：25 被引量：85H指数：5
- 相关作者：盛霞高云曾宏博齐良颉魏晓云更多>>
- 相关机构：四川大学物理科学与技术学院济宁学院物理与信息工程系更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金科技型中小企业技术创新基金浙江省重点科技计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- PCI总线目标控制器的设计被引量：5
- 2008年
- 本文在PCI2.2总线规范的基础上,给出了一种PCI总线目标控制器的设计方案。重点从控制逻辑和数据通路的建立上阐述了目标控制器的设计:用状态机实现总线访问操作的复杂时序,通过FIFO型目标接口和寄存器型目标接口的建立实现了数据通路。目前本设计已应用到光电器件CMOS图象传感器的数据传输并通过了FPGA原型验证。
- 胡锦孙晓宁曾云王晨旭
- 关键词：PCI状态机
- 一种热释电红外传感器控制芯片的设计被引量：2
- 2006年
- 阐述了一种采用0.6μm CMOS工艺的热释电红外传感器控制芯片的设计。该芯片在[4.0 V,6.0V]电源范围内稳定工作,具有较高的电源电压抑制比和较低的温漂,并且作了抗噪声和抗交流电源干扰处理。这种控制芯片用于接收、放大、处理、控制热释电红外传感器信号,应用前景广阔。
- 胡锦曾宏博凡金湘
- 关键词：控制器芯片
- 基于SOI的双极场效应晶体管被引量：1
- 2004年
- 在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件———基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理。与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。
- 曾云滕涛晏敏高云尚玉全
- 关键词：体硅
- 用于CMOS图像器件的超分辨率算法研究
- 2007年
- 提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像.对重建图像的像素灰度进行了理论分析和计算,求出了重建超分辨率图像的算法.结果表明,在不提高CMOS工艺水平的条件下,该算法能将重建的CMOS图像的分辨率提高到原图像的2×2倍.实现了CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法.对该算法进行了计算机仿真,结果同理论分析计算的结果完全一致,证明了所提出的CMOS图像器件超分辨率算法是正确的.
- 颜永红齐良颉曾云
- 关键词：图像重建超分辨率
- BJMOSFET频率特性的模拟分析被引量：2
- 2005年
- 提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性.
- 曾云尚玉全晏敏盛霞滕涛高云
- 关键词：频率特性
- 吉比特网络中TCP数据流重组和交付的ASIC实现
- 2004年
- 随着光纤网络的发展，高速网络中限制终端用户到终端用户之间的瓶颈已不再是网络带宽，而是对网络中TCP流的中止。为了使终端用户能够享受广阔带宽的资源，就必须把TCP协议的处理从主CPU中卸载出，用ASIC来实现。本文给出了如何实现TCP数据流重组和交付的方法：首先对该协议处理器进行功能模块划分，然后进行仿真、综合和时序分析等。分析结果表明，协议处理器处理TCP数据包的能力达到了3．2Gbit网络的线速度。
- 李飞宇颜永红文燕
- 关键词：交付ASIC协议处理器光纤网络
- 新型光电探测器及其填充系数的确定被引量：2
- 2007年
- 详细分析了用于CMOS图像传感器的新型半导体光电器件的工作原理和光电特性,建立解析模型确定由其构成的像素单元的填充系数,优化光电响应特性。由于引入PN注入结,新型光电器件沟道电流同时存在电子电流和空穴电流,提高了器件的响应灵敏度,避免了大的寄生电容,提高了信噪比。
- 曾云金湘亮胡磊王太宏
- 关键词：光电探测器CMOS图像传感器
- 一种基于DSP的测量微弱光电信号的方法被引量：2
- 2006年
- 采用相关检测原理设计并基于DSP的双相位锁相放大技术,设计了一种光电信号检测的方法,特别是针对背景噪声比较大的微弱光电信号,它具有很高的灵敏度。从应用的角度研究了微弱光电信号的检测原理,讨论其应用于DSP技术的双重锁相结构的优点,消除了参考信号和待测信号相位差不确定性的影响。实现了对微弱光电信号的实时在线检测。
- 凡金湘胡锦曾宏博邓耀辉
- 关键词：DSP
- BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟被引量：1
- 2004年
- 对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,采用通用电路仿真软件 PSpice9,对 BJMOSFET的输出特性、瞬态特性和幅频特性随温度的变化进行了计算机模拟 ,得到了随温度变化的特性曲线 ,并且理论分析与计算机模拟取得了一致的结果。相对传统 MOS-FET,证明了 BJMOSFET具有较好的温度特性。
- 曾云高云晏敏盛霞滕涛尚玉全
- 关键词：温度特性计算机模拟
- 线性补偿型带隙基准电压源设计被引量：8
- 2005年
- 设计了一种高准确度基准电压源电路,电路采用了电流镜技术,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路,双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得正温度系数的电流IPTAT;同理将电阻的压降和双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得负温度系数的电流ICTAT,通过电流的减法运算将在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,进而产生不同的补偿电压,并完成对带隙基准电压的分段线性补偿.由此得到温度系数很小的带隙基准电压.采用TSMC 0.18μm 1.8/3.3 1P6M CMOS标准工艺,在1.8 V电源下,-40℃～130℃温度范围内,仿真结果显示输出电压的温度系数小于1.88 ppm/V,低频时电源电压抑制比为-86 dB,功耗为237.5μW.
- 曾健平田涛李宇谢海情邹韦华
- 关键词：带隙基准温度系数电源电压抑制比
