北京燕东微电子有限公司
- 作品数：142 被引量：13H指数：2
- 相关作者：张彦秀更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学工业和信息化部中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术更多>>
- 容性二极管组件及其制造方法
- 公开了容性二极管组件及其制造方法。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中...
- 周源张彦秀韦仕贡徐鸿卓
- 文献传递
- 低压VDMOSFET元胞尺寸设计被引量：4
- 2007年
- VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。
- 屈坤淮永进刘建朝
- 关键词：VDMOSFET特征电阻
- 高可靠SOI LDMOS功率器件
- 公开了一种高可靠SOILDMOS功率器件，包括：在SOILDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOILDMOS功率器件中SOILDMOS栅附近的载流子...
- 姜一波杜寰
- 文献传递
- P-N结隔离测试方法
- 李锟张彦秀张文鹏王晨杰黄磊王志宽顾祥贾新章游海龙罗晓羽尹航廖昕赖庆华
- 高压VDMOSFET击穿电压优化设计被引量：3
- 2008年
- 通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压。设计了800V、6A功率VDMOSFET,同场限环技术相比,优化的结终端扩展技术,节省芯片面积10.6%,而不增加工艺流程,漏源击穿电压高达882V,提高了3%,由于芯片面积的缩小,平均芯片中测合格率提高5%,达到了预期目的,具有很好的经济价值。
- 严向阳唐晓琦淮永进
- 关键词：击穿电压终端结构
- 一种全自动倒料机
- 本实用新型公开一种全自动倒料机，包括：上料机构(1)、托盘翻转机构(2)、托盘回收机构(3)、物料收集漏斗(4)、托盘传送机构(5)、机架(6)；所述上料机构(1)、托盘翻转机构(2)、托盘回收机构(3)依次固定在机架(...
- 张晋雷薛涛马克军
- 文献传递
- 一种用于电子元器件的电动吸锡装置
- 本实用新型公开一种用于电子元器件的电动吸锡装置，包括箱体，箱体上设有吸锡接头，该吸锡接头进口端设置在所述箱体外；箱体内固定设置有内置控制器、时间继电器、真空泵、真空过滤器和电磁阀；时间继电器与真空泵电性连接；真空泵与真空...
- 夏云龙
- 文献传递
- 多通道瞬态电压抑制器
- 本申请公开了多通道瞬态电压抑制器。所述多通道瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的外延层，其中第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；以及位于所述外延层中的隔离区，所述隔离区将所述外延层分隔成多个有源区，所述多个有...
- 周源唐晓琦巨长胜
- 文献传递
- 一种液晶材料交流驱动控制信号生成结构
- 本发明属于液晶显像技术领域，公开了一种液晶材料交流驱动控制信号生成结构，用于由开关管M<Sub>1</Sub>、存储电容C<Sub>S</Sub>以及液晶电容C<Sub>LC</Sub>组成的液晶显示像素基本单元的控制信...
- 赵博华黄苒杜寰罗家俊韩郑生
- 文献传递
- 一种多通道低电容瞬态电压抑制器件
- 本实用新型涉及一种多通道低电容瞬态电压抑制器件。该器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的外延层，形成在半导体衬底和外延层之间的埋层区，和形成在所述外延层中并延伸至衬底的隔离区。该器件进一步包括TVS管，包括形成在隔离区...
- 周源 马林宝
- 文献传递
