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弗赖贝格化合物原料有限公司

作品数：58 被引量：0H指数：0
相关机构：欧司朗光电半导体有限公司更多>>
相关领域：电子电信文化科学金属学及工艺理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 58篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 30篇晶体
  • 27篇衬底
  • 20篇单晶
  • 16篇N
  • 15篇元素周期表
  • 15篇周期表
  • 11篇熔体
  • 10篇砷化镓
  • 9篇晶体生长
  • 8篇单晶体
  • 8篇砷化镓衬底
  • 8篇气相外延
  • 8篇晶体生长过程
  • 8篇半导体
  • 7篇N层
  • 6篇圆偏振
  • 6篇偏振
  • 6篇自支撑
  • 6篇椭圆偏振
  • 6篇马兰

机构

  • 58篇弗赖贝格化合...
  • 3篇欧司朗光电半...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2004
  • 1篇2003
共 58 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
选择性遮蔽III-N层和制备独立的III-N层或器件的方法
一种用于在III-N层上形成掩模材料的方法，其中，III表示从Al、Ga和In中选择的元素周期表的III族的至少一种元素，其中，提供具有表面的III-N层，所述III-N层包括多于一个刻面。掩模材料被选择性只沉积在一个或...
弗兰克·哈贝尔 费迪纳德·斯科尔兹 巴巴拉·纽伯特 彼得·布鲁克纳 托马斯·温德勒
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用于选择性遮蔽III－N层和用于独立的III－N层或者器件的制备的方法以及由此获得的产品
一种用于在III－N层上形成掩模材料的方法，其中，III表示从Al、Ga和In中选择的元素周期表的III族的至少一种元素，其中，提供具有表面的III－N层，所述III－N层包括多于一个刻面。掩模材料被选择性只沉积在一个或...
弗兰克·哈贝尔 费迪纳德·斯科尔兹 巴巴拉·纽伯特 彼得·布鲁克纳 托马斯·温德勒
文献传递
制备Ⅲ-N体晶和自支撑Ⅲ-N衬底的方法以及Ⅲ-N体晶和自支撑Ⅲ-N衬底
本发明描述一种制备III-N体晶的方法，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程...
G·莱比格F·哈贝尔S·艾希勒
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分割单晶的方法和装置以及对该方法用于确定单晶取向的调节装置和试验方法
提供一种用于分割单晶，特别是分割GaAs单晶的方法，其中使一待切成至少两部分的单晶(1)和一切割工具(2、3；8、8a、8b、8c)相互相对沿进给方向(V)移动，并且将单晶(1)定向成使一规定的结晶方向(K)位于切割平面...
拉尔夫·哈默安德烈·克伦韦克特蒂洛·弗拉德科妮莉亚·库曼拉尔夫·格鲁辛斯基
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用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底...
W·弗利格尔C·克莱门特C·维劳尔M·舍费尔奇甘A·克莱茵韦希特S·艾希勒B·韦纳特M·梅德尔
制备具有低光学吸收系数的掺杂型砷化镓衬底晶片的方法
本申请公开了一种通过熔融砷化镓起始材料并随后使砷化镓熔体凝固来制备掺杂型砷化镓单晶的方法，其中该砷化镓熔体含有相对于化学计量组成过量的镓，且其中在该熔体中或者在所获得的晶体中提供至少5x10<Sup>17</Sup>cm...
U·克雷策F·伯尔纳S·艾希勒F·克罗普夫甘斯
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生产多晶硅的装置和方法以及多晶硅的锭和片
本发明描述了生产晶体硅，特别是多晶硅的方法和装置，其中形成硅原料的熔体，接着以定向的取向使硅熔体凝固。以这种方式在所述熔体上方提供呈气体、液体或固体形式的相或物质，以致硅熔体中、从而凝固的晶体硅中选自氧、碳和氮的外来原子...
B·温纳特 M·尤里施 S·艾什勒
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制备III-N 体晶和自支撑III-N 衬底的方法以及III-N 体晶和自支撑III-N 衬底
本发明描述一种制备III-N体晶和自支撑III-衬底的方法以及III-N体晶和自支撑III-N衬底，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底上生...
G·莱比格F·哈贝尔S·艾希勒
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用于分割材料的装置
本发明涉及一种用于分割材料的方法和装置，尤其是采用内孔锯切对单晶体进行分割的方法和装置，所述装置包括一个切割圆盘(2)，所述切割圆盘(2)具有一个同心的孔，所述孔的边缘(3)形成一个切割边缘，其中所述切割圆盘(2)可以围...
拉尔夫·哈默拉尔夫·格鲁斯兹恩斯基安德烈·克莱恩维希特提罗·弗拉德
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用于由原材料的熔体制造晶体的装置和方法以及单晶体
一种用于由原材料的熔体(16)制造晶体的装置(1)包括：炉子，其包括具有一个或多个加热元件(20、21)的加热装置，该加热装置设立用于在炉子中产生沿第一方向(18)定向的温度场(T)；多个用以容纳熔体的坩埚(14)，它们...
S·艾希勒T·宾格尔M·布赖R·吕曼M·舍费尔-奇甘
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