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中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所

作品数:107 被引量:0H指数:0
相关机构:北京时代民芯科技有限公司更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 106篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 19篇电子电信
  • 18篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 39篇电路
  • 14篇信号
  • 9篇单粒子
  • 9篇芯片
  • 8篇处理器
  • 7篇电压
  • 7篇集成电路
  • 7篇封装
  • 6篇电极
  • 6篇时钟
  • 6篇总线
  • 6篇金属
  • 6篇键合
  • 6篇仿真
  • 5篇单粒子效应
  • 5篇导航
  • 5篇电阻
  • 5篇卫星
  • 5篇卫星导航
  • 4篇导航信号

机构

  • 107篇中国航天科技...
  • 106篇北京时代民芯...

作者

  • 6篇王宗民
  • 5篇于海平
  • 4篇王亮
  • 4篇张富强
  • 4篇王立果
  • 4篇郭晨光
  • 4篇王冠雅
  • 4篇车德亮
  • 3篇蒋安平
  • 3篇王慜
  • 3篇杜守刚
  • 2篇张彦龙
  • 2篇张帆
  • 2篇朱向东
  • 2篇练滨浩
  • 2篇陈雷
  • 2篇冯小成
  • 2篇刘军
  • 2篇谢俊玲
  • 2篇郑宏超

年份

  • 5篇2015
  • 13篇2014
  • 14篇2013
  • 39篇2012
  • 24篇2011
  • 11篇2010
  • 1篇2009
107 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种混合数制加法器
一种混合数制加法器主要由多个四位混合加法器单元构成,每个混合加法器单元包括一个输入数据选通器、一个操作数a数据锁存控制器、一个操作数b数据锁存控制器、一个四位加法器、一个数制进位合成器、一个数值溢出判断器、一个数制规格化...
车德亮张奇荣
一种流水线ADC多比特子DAC电容失配校准方法
本发明公开了一种流水线ADC多比特子DAC电容失配校准方法,包括(1)初始化待校准流水级的模拟输入信号,使得子ADC中的电压比较器的输出均为0;(2)测量该流水级中的MDAC的输出电压值(3)将子ADC中的第i位的电压比...
丁洋王宗民周亮
一种USB读卡控制器
本发明公开了一种USB读卡控制器,包括:数据缓冲区管理模块、实现设备的端点层的USB设备接口模块、对存储卡操作流程进行控制的存储卡接口模块、对数据进行读写控制的数据读写控制模块。采用本发明减小了USB读卡控制器的电路规模...
谢俊玲宗宇张志永谷羽宋晶峰褚晓滨王莉
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一种智能家电的遥控器
一种智能家电的遥控器包括:显示装置、输入装置、无线收发装置和中央处理装置。其中中央处理装置对其他装置进行控制,接收其他装置输入的信号,并产生相应的控制信号。除具有普通遥控器的按键外,还具有触摸板或轨迹球,并具有对应鼠标左...
蒋安平李范益李丛林杨黎祝建彬
文献传递
一种控温电热毯可控硅零电压开启模块及其实现方法
本发明涉及一种控温电热毯可控硅零电压开启模块及其实现方法,该开启模块由整形电路、MCU和可控硅外围电路组成,通过引入MCU进行智能控制,易于实现交流电过零点的检测、与供电电网同步后时间点的控制和PWM波形的生成,从而实现...
王冠雅李范益祝建彬
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一种电热毯加热丝断丝打火检测电路
一种电热毯加热丝断丝打火检测电路,包括色环电感L1,电阻R2、R3,电容C1、C2和三极管,色环电感L1与加热丝R1的电流回路相垂直,电阻R2与色环电感L1并联后一端接地,另一端接电容C1的一端,电容C1的另一端接三极管...
李范益祝建彬王冠雅李丛林
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一种抗总剂量辐射加固晶体管结构
一种抗总剂量辐射加固晶体管结构,通过栅区将有源区分为漏区、源区和浮空区,并利用栅区将漏区完全包围,消除了源区到漏区的关态寄生通路,实现抗总剂量辐射加固的功能,本发明结构在解决由电离辐射总剂量效应引起的晶体管源漏区之间寄生...
王亮岳素格
一种应用于移动存储SOC芯片的仿真验证方法
本发明公开了一种应用于移动存储SOC芯片的仿真验证方法。包括:建立存储器模块的步骤;建立兼容性产生机制的步骤;建立检测点的步骤和产生激励数据进行检测的步骤。采用本发明实现对移动存储SOC芯片的功能验证。
褚晓滨宗宇王莉张志永谷羽宋晶峰谢俊玲
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一种控温电热毯的感温线智能自动校正系统及方法
本发明涉及一种控温电热毯的感温线智能自动校正系统及方法,该系统的感温线校正过程无需再用人工调节,由MCU软件自动控制完成,通过采用精准热敏电阻巧妙地选择温度参考点,并采集精准热敏电阻的温度信号与感温线的温度信号,进行比较...
王冠雅祝建彬
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一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法
本发明公开了一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法,包括:氧化、有源区及场限环光刻的步骤;掺杂与推进的步骤;多晶硅场板制作的步骤;铂扩散的步骤;减薄的步骤;形成N型缓冲层的步骤;接触掺杂和退火的步骤和金属化的步骤。采用本...
王成杰王传敏殷丽冯幼明刘军姚全斌郭晨光
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共11页<12345678910>
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