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辽宁大学信息学院电子信息科学与技术

作品数：50 被引量：91H指数：5
相关作者：李丽萍丛众董立昱宋淑云王中文更多>>
相关机构：哈尔滨理工大学理学院沈阳大学理学院沈阳建筑工程学院信息与控制工程学院计算机科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省教委资助课题更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 50篇中文期刊文章

领域

  • 28篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 7篇理学
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 6篇晶体管
  • 4篇金属
  • 3篇电视
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电源
  • 2篇调速
  • 2篇调速系统
  • 2篇多孔硅
  • 2篇多媒体
  • 2篇异质结
  • 2篇原子
  • 2篇声发射
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇能级
  • 2篇逆变
  • 2篇强磁场
  • 2篇氢原子
  • 2篇总线

机构

  • 50篇辽宁大学
  • 3篇哈尔滨理工大...
  • 2篇天津理工学院
  • 2篇辽宁网络广播...
  • 2篇沈阳飞达半导...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇沈阳建筑工程...
  • 1篇沈阳大学
  • 1篇沈阳化工学院
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇电子工业部
  • 1篇沈阳市半导体...

作者

  • 7篇石广元
  • 6篇时书丽
  • 6篇王荣
  • 5篇胡延年
  • 5篇宫元九
  • 5篇吴春瑜
  • 4篇王中文
  • 3篇黄和鸾
  • 3篇吕品
  • 3篇宋伟
  • 3篇董立昱
  • 3篇赵国兴
  • 3篇丛众
  • 3篇尹凤杰
  • 3篇张雯
  • 2篇沈桂芬
  • 2篇姜广明
  • 2篇徐伟
  • 2篇李毓成
  • 2篇张绍成

传媒

  • 27篇辽宁大学学报...
  • 4篇微处理机
  • 2篇半导体情报
  • 2篇电子学报
  • 2篇仪表技术与传...
  • 1篇电测与仪表
  • 1篇半导体技术
  • 1篇影视技术
  • 1篇电视技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇沈阳师范学院...
  • 1篇沈阳建筑工程...
  • 1篇图书馆学刊
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇天津冶金
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇沈阳师范大学...

年份

  • 8篇1999
  • 17篇1998
  • 14篇1997
  • 4篇1996
  • 4篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
介电常数失配对InAs/GaAs应变量子阱中浅施主结合能的影响
1997年
研究了介电常数失配对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中浅施主结合能的影响。在有效质量近似下，利用变分方法计算了结合能随阱宽和杂质位置的变化。计算结果表明，介电常数失配对结合能的影响很大，这与前人的工作相符合，但晶格常数失配产生的应变对结合能的影响很小，并可以忽略。
邢金海黄和鸾
关键词：结合能介电常数砷化铟
声发射传感器技术与应用被引量：14
1998年
本文介绍了声发射传感器的选材、制作结构、标定问题以及在工程技术中的安装方法。
时书丽赵国兴
关键词：声发射传感器无损检测
具有场板和限制环的P^+N二极管击穿特性的研究被引量：2
1995年
本文从实验的角度研究了具有场板和场限制环的P+N二极管的击穿特性，给出了场环至主结的最佳间距与衬底浓度和结深的关系曲线。并从物理机制上对此进行了较深入的讨论。
王荣尚士奇吴非
关键词：场板击穿特性
宽温超高频双极静电感应晶体管研制
1999年
描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。
丛众王荣吴春瑜闫东梅王大奇
关键词：BSIT晶体管
热壁外延制备n-PbTe/p-Pb_(1-x)Sn_xTe异质结被引量：1
1995年
用改进的HWE装置，在BaF2衬底上制备n－PbTe／p－Pb_（1-x）Sn_xTe反型异质结的工艺及测试结果。SEM，XRD检测表明它是单晶异质结，I－U曲线表明它具有良好的整流特性。此外用C－U截距法测定了它的内建电势差Ud。
杨玉琨李文明于磊杨易吴连民徐跃徐立兴熊欣
关键词：热壁外延异质结
双音多频信号的软件解码被引量：1
1997年
介绍双音多频信号的特点和拨号方式，以及双音多频信号硬件译码电路的原理；
宫元九王欣
关键词：解码信号处理双音多频
Ag－Cu混合型表面上的SERS效应
1995年
用还原法制备了一种Ａｇ－Ｃｕ混合型ＳＥＲＳ表面。通过电镜扫描和ｘ射线能谱分析，讨论了这种混合型表面形貌。在空气中检测了吸附在Ａｇ－Ｃｕ混合表面上的罗丹明６Ｇ的ＳＥＲＳ谱，简单分析了其光谱特征。实验结果表明，这种Ａｇ－Ｃｕ混合型表面可用于ＳＥＲＳ效应。
王荣孟荣
关键词：银铜喇曼散射金属表面SERS
Si/Si_(1-x)Ge_x 异质结双极晶体管的研究概述
1993年
本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。
高嵩黄和鸾陈国栋李威
关键词：异质结双极晶体管
VDMOS器件击穿特性研究被引量：1
1996年
本文给出了具有场环和场板的穿通型ＶＤＭＯＳ结构的击穿电压的解析表达式．并通过与在ｎ／ｎ￣＋外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的ＶＤＭＯＳ器件的实验结果，进行比较，二者吻合的很好．
张雯张桂兰
关键词：击穿电压保护环VDMOS器件穿通型
宽温高频高反压沟道基区晶体管研制被引量：1
1999年
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．
丛众吴春瑜王荣石广元闫东梅张雯朱肖林汪永生
关键词：静电感应双极晶体管BSIT
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