四川大学物理科学与技术学院微电子学系
- 作品数：34 被引量：71H指数：5
- 相关作者：谢茂浓刘威杨晨李玉玲万超更多>>
- 相关机构：中国科学院光电技术研究所北京大学物理学院北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 偏置条件对硅NPN晶体管伽马辐照效应的影响
- 本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流下辐照,NPN晶体管的退化程度有较大的差异,在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电...
- 程兴华王健安杨晨郭丰刘伦才蒲林龚敏石瑞英
- 关键词：双极晶体管NPN晶体管总剂量效应电偶极子
- 文献传递
- 用静电自组装法制备的石墨烯薄膜特性研究被引量：4
- 2014年
- 本文采用静电自组装技术制备石墨烯薄膜,以带正电的聚乙烯亚胺作为粘结剂,将带负电的氧化石墨烯自组装在粘结剂上,形成多层氧化石墨烯/聚乙烯亚胺复合膜,然后在肼蒸汽下还原得到石墨烯薄膜样品,并利用石墨烯薄膜的紫外吸收光谱、椭圆偏振光谱、扫描电镜图谱及拉曼光谱对其层数、厚度、形貌及还原效果进行了研究。研究表明此方法制备的石墨烯薄膜具有杂质含量少、层数与膜厚微观可控且膜厚均匀等优点。通过调节组装材料种类、浓度和组装次数可制备出结构和功能自由控制的石墨烯薄膜,且此方法与微电子工艺兼容,易于制作石墨烯晶体管,因此在石墨烯晶体管领域具有广阔的应用前景。
- 刘杰王彬石瑞英王婧刘沛波吴运熹翁志超
- 关键词：静电自组装石墨烯紫外吸收光谱拉曼光谱
- 开放式专业实验教学模式探索和实践被引量：4
- 2008年
- 在研究型教学理论的指导下，为了进行开放式专业实验教学模式的探索，在“微电子器件参数的测试与分析”专业实验课程中进行了开放式实验教学模式的新尝试，在实验教学内容、实验过程、实验室管理、实验成绩考核评定方式上实现了全方位的开放。教学实践表明，全方位开放的专业实验教学模式，更利于因材施教，培养综合素质强、具有强烈创新意识、适应社会和行业的专业人才。
- 马瑶石瑞英袁菁万超李玉玲
- 关键词：研究型教学教学改革
- SiGe HBT抗γ辐照机理研究
- ＜正＞由于异质结双极晶体管（HBT）和高电子迁移率晶体管（HEMT）比硅器件具有更优越的抗γ辐照特性,所以被广泛应用在卫星、空间站等辐照环境中。在 HBT 器件中,SiGe HBT 具有成本低、与硅工艺兼用等优点,所以备...
- 石瑞英蒲林程兴华谭开州杨晨刘轮才王健安龚敏
- 关键词：Γ辐照
- 文献传递
- 基于FPGA的VGA显示模式和像素频率的识别被引量：7
- 2008年
- 描述了一种基于FPGA(现场可编程门阵列)识别VGA(视频图形阵列)显示模式和像素频率值的方案。主要基于频率计的设计方法实现,并通过硬件电路的验证。利用Verilog HDL语言和FPGA的灵活性,应用FPGA设计嵌入式系统视频采集卡,提高了数据处理速度,节省了硬件成本。
- 刘威石彦杰高博
- 关键词：FPGAVGA频率计
- 基于FPGA的二维图像空域滤波电路设计被引量：1
- 2019年
- 基于傅里叶变换轮廓术的三维面型重建过程,需要从形变条纹图像中提取出模度图与幅角图,现有的软件处理方式不能满足实时成像的要求。采用现场可编程门阵列(FPGA)并行计算的特点设计二维空域滤波电路,对原始图像进行二维卷积以代替频域滤波。这一方式有效地提取了所需频率,同时减少对硬件资源的占用。基于Altera CycloneⅣ EP4CE115F29C7N FPGA器件的测试结果表明,50 MHz的时钟频率下完成零频与基频分量的提取,得到模度图与幅角图仅需16.8 ms。
- 林志滨高博龚敏
- 关键词：空域滤波FPGA三维重建
- 集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响被引量：2
- 2007年
- 对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.
- 程兴华王健安龚敏石瑞英蒲林刘伦才郭丰杨晨
- 关键词：总剂量效应电偶极子
- GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析
- 2011年
- 利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,这种缺陷会影响晶格质量,导致γ发生很大变化。
- 蔡娟露程兴华钟玉杰何志刚何志刚史同飞龚敏
- 关键词：GAMNAS遗传算法XRD红外光谱
- LPCVD Si基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探
- 在理论上,纯度较高、未经掺杂的间接带隙的3C-SiC半导体材料,在室温条件下是很难观察到荧光现象,但Si基上生长3C-SiC晶体薄膜一般需要较高的生长温度,在SiC-Si界面晶格失配和热膨胀系数的差异会形成大量的结构缺陷...
- 杨治美张云森廖熙杨翰飞晋勇孙小松龚敏
- 中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析被引量：1
- 2011年
- 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。
- 王靳君田野石瑞英龚敏温景超巫晓燕
- 关键词：NPN晶体管负电容中子辐照电子辐照势垒电容
