四川固体电路研究所
- 作品数：46 被引量：31H指数：3
- 相关作者：严顺炳冯建曾大富郭林张正幡更多>>
- 相关机构：电子科技大学重庆大学西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>
- 半导体器件的预辐射技术被引量：2
- 1990年
- 本文介绍一种半导体器件预辐射技术,这种技术可将半导体器件的辐射损伤消除,使器件的性能参数恢复到辐射前的水平。这种技术被应用于半导体器件加固保证的筛选和被辐射器件性能衰降的精确预测,是加固半导体器件研制生产中的一种早期技术,但目前也有现实意义。
- 郭树田
- 关键词：半导体器件生产工艺
- 用RC网络作延迟模型的开关级定时模拟
- 1989年
- 本文提出一种用RC网络作延迟模型进行开关级定时模拟的方案.此方案把开关级定时模拟划分为求解将来状态和计算状态变化的延迟两个步骤来进行.文中讨论了延迟模型的建立及延迟计算中的有关问题.按照所述方案,开发了一个适用于MOS VLSI逻辑模拟及延迟估算的计算机程序LOMOS.实践表明,LOMOS模拟出的信号延迟时间同电路模拟程序SPICEII相比误差通常在30％以内,模拟速度要快近三个数量级.
- 胡易王兆明
- 关键词：逻辑模拟RC网络IC
- 使CCD基线平整的高频等离子退火工艺
- 1989年
- 实验证实,由Si-SiO_2-多晶硅之间的应力失配在外力作用下所引起的大量电子陷阱是导致CCD基线弯曲的根源。我们采用O_2+CF_4作为工作气体的高频等离子退火工艺,开发了CCD基线平整工艺,有效地消除了这些陷阱,从而使基线平整;并使转移频率得到改善。实验进一步证实:导致CCD基线弯曲的陷阱是一种深能级陷阱。
- 杨建鲁
- 关键词：退火等离子电子陷阱
- 用氮离子注入硅中抑制SiO_2的生长
- 1989年
- 本文报道了硅片在相同的氧化条件中形成不同厚度的SiO_2层。采用注入氮离子进入硅中,将注入与未注入样品在1000℃的炉温中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测SiO_2层的厚度。结果表明,N_2^+离子注入硅样品的氧化层厚度明显薄于非注入样品的氧化层厚度。N_2^+离子注入硅表面在氧化时抑制SiO_2的生长,具有较明显的抗氧化的作用。这项实验说明,采用注入N_2^+离子,同一硅片在相同的氧化条件下开辟选择氧化是可能实现的。
- 杨义祥
- 关键词：集成电路离子注入
- 微型组装的级联对数放大器被引量：1
- 1989年
- 本文结合对数放大器在雷达接收机中的应用,采用微型组装级联单片对数放大器的方法,来扩大动态范围,提高对数精度,从而获得适当的频带和传输时延。文中列出了微型组装的五级、六级和七级级联对数放大器的测试结果。
- 曾大富
- 关键词：对数放大器微组装放大器
- LC-2A型离子注入设备的某些改进
- 1990年
- 本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我所半导体集成电路研制工艺中高剂量离子注入掺杂要求;文章还讨论了LC-2A型离子注入机束流增大后引起的诸如离子流的污染、磁分析器扁管防“穿通”、以及样品热聚积效应问题。
- 范才有
- 关键词：FREEMAN离子注入
- 消除CMOS IC闭锁的外延加双保护环技术被引量：1
- 1990年
- 本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n^-/n^+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得出,外延加双保护环结构,对中小规模电路而言,是一种消除CMOS电路闭锁的有效方法。
- 张正璠
- 关键词：CMOSIC闭锁外延层保护环
- 离子注入在铝/硅接触之间的应用
- 1989年
- 为了改善铝/硅之间非均匀性的溶解和浅结的电性能,在n型衬底上制作浅的P^+-n结,淀积Al后将B^+ 离子注入到Al-Si界面进行混合。420℃的温度中热处理10分钟。实验结果表明,注入样品结的漏电比非注入样品的漏电有明显的改善。
- 杨义祥
- 关键词：离子注入浅结
- 一种通用高速高精度数字/模拟转换器
- 1999年
- 介绍了一种通用高速高精度数字／模拟转换器（ＤＡＣ）的电路原理。着重阐述了内部基准源、权电流发生网络和电流开关的设计原理及电路结构。该ＤＡＣ采用高压－浅结双极工艺和激光修调薄膜电阻技术制作，具有１２位的高分辨率，小于１／２ＬＳＢ的积分线性误差和微分线性误差的高精度，小于２５０ｎｓ稳定时间的高速度，以及灵活的外接方式。±１５Ｖ电源工作条件下，功耗仅２２５ｍＷ，可应用于多种场合。
- 严纲
- 关键词：模拟集成电路DAC接口集成电路
- X347RH抗辐射集成四运算放大器的加固技术
- 1994年
- 讨论了Ｘ３４７ＲＨ集成四运算放大器的辐射效应和损伤机理，阐述了产品的设计思想，以及如何从线路设计、版图设计和芯片制作等方面来提高产品的抗辐射能力。文中给出了产品的单元电路原理图，并报道了中子辐射前后产品的性能指标。
- 龚裕才
- 关键词：抗辐射加固运算放大器
