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中国电子科技集团公司第十三研究所

作品数:513 被引量:695H指数:13
相关作者:安振峰闫立华钱丽勋张汉三杨拥军更多>>
相关机构:河北工业大学西安电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金石家庄市科技局“科技支撑计划项目”更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 301篇期刊文章
  • 122篇会议论文
  • 75篇科技成果
  • 9篇标准

领域

  • 362篇电子电信
  • 25篇自动化与计算...
  • 18篇电气工程
  • 16篇机械工程
  • 13篇一般工业技术
  • 12篇化学工程
  • 12篇医药卫生
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  • 10篇理学
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  • 3篇环境科学与工...
  • 3篇文化科学
  • 2篇矿业工程
  • 2篇冶金工程
  • 2篇建筑科学
  • 2篇核科学技术
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇天文地球
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇政治法律

主题

  • 68篇晶体管
  • 67篇电路
  • 67篇半导体
  • 46篇砷化镓
  • 44篇放大器
  • 41篇集成电路
  • 34篇场效应
  • 27篇场效应晶体管
  • 25篇
  • 24篇功率放大
  • 23篇功率放大器
  • 23篇半导体器件
  • 21篇低噪
  • 21篇低噪声
  • 20篇功率
  • 20篇封装
  • 19篇通信
  • 16篇GAAS
  • 15篇微波
  • 13篇单片

机构

  • 507篇中国电子科技...
  • 11篇河北工业大学
  • 9篇西安电子科技...
  • 7篇中国电子科技...
  • 6篇电子科技大学
  • 6篇清华大学
  • 5篇中国电子科技...
  • 4篇河北中瓷电子...
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  • 3篇天津大学
  • 3篇河北科技大学
  • 3篇石家庄市第一...
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  • 2篇南京航空航天...
  • 2篇北京工业大学
  • 2篇北京理工大学
  • 2篇河北医科大学...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 11篇孙聂枫
  • 9篇冯志红
  • 8篇孙同年
  • 8篇钱丽勋
  • 7篇杨瑞霞
  • 7篇梁士雄
  • 6篇吴爱华
  • 6篇邢东
  • 6篇高学邦
  • 6篇乔玉娥
  • 6篇王阳
  • 6篇徐立生
  • 6篇刘红兵
  • 6篇李丰
  • 5篇袁明文
  • 5篇郑世棋
  • 5篇安振峰
  • 5篇吴洪江
  • 5篇杨拥军
  • 4篇郎秀兰

传媒

  • 99篇半导体情报
  • 38篇半导体技术
  • 36篇电子技术与软...
  • 6篇中国机械工程
  • 6篇通讯世界
  • 6篇第八届全国抗...
  • 6篇第十三届全国...
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  • 5篇第九届全国抗...
  • 5篇1991年全...
  • 4篇河北医药
  • 4篇电子工艺技术
  • 4篇电子工业专用...
  • 3篇无线电工程
  • 3篇Journa...
  • 3篇电子技术应用
  • 3篇电子技术(上...
  • 3篇传感技术学报
  • 3篇环境技术
  • 3篇信息记录材料

年份

  • 9篇2024
  • 23篇2023
  • 24篇2022
  • 16篇2021
  • 7篇2020
  • 9篇2019
  • 12篇2018
  • 5篇2017
  • 15篇2016
  • 8篇2015
  • 13篇2014
  • 4篇2013
  • 8篇2012
  • 8篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 7篇2008
  • 13篇2007
  • 1篇2006
  • 16篇2005
513 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光电技术在雷达系统中的应用
2000年
介绍了光电技术在雷达系统中的应用原理 ,并且根据应用情况 ,提出了部分解决方案。
汤炜武二中秦志强
关键词:光电技术雷达信号处理
单晶碳化硅的电磁场励磁大抛光模磁流变抛光被引量:13
2020年
目的研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术。方法采用电磁场励磁的大抛光模磁流变抛光方法加工单晶碳化硅,利用自制的电磁铁励磁装置与磁流变抛光装置,进行单因素实验,研究电流强度、工作间隙和抛光时间等工艺参数对单晶碳化硅磁流变抛光加工性能的影响,并检测加工面粗糙度及其变化率来分析抛光效果。结果在工作间隙1.4 mm、电流强度12 A的工艺参数下,加工面粗糙度值随着加工时间的增加而降低,抛光60 min后,加工面粗糙度值Ra达到0.9 nm,变化率达到98.3%。加工面粗糙度值随通电电流的增大而减小,随着工作间隙的增大而增大。在工作间隙为1.0 mm、通电电流为16 A、加工时间为40 min的优化参数下抛光单晶碳化硅,可获得表面粗糙度Ra为0.6 nm的超光滑表面。结论应用电磁场励磁的大抛光模盘式磁流变抛光方法加工单晶碳化硅材料,能够获得亚纳米级表面粗糙度。
尹韶辉邓子默郭源帆刘坚黄帅尹建刚卢建刚彭博
关键词:磁流变抛光表面粗糙度电磁场
Si微波瓦级功率放大模块的设计与研制
2000年
介绍了管壳封装的硅微波瓦级功率放大 (线性 )模块的研制工作。采用芯片组装及内匹配技术 ,大大减小了模块的体积与重量 ,且易于级联 。
何宇新李继国杨光辉
关键词:功率放大模块
W波段InAlN/GaN MMIC功率放大器
匹配的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有工作频率高、电流密度大等优势,在微波和毫米波应用领域有着巨大的应用前景.目前报道的高频率GaN基HEMT多数是采用InAlN/GaN器件,但是并没有InAlN/G...
宋旭波吕元杰徐鹏房玉龙冯志红
关键词:功率放大器氮化镓
基于AlN轮廓模式矩形盘谐振器的研究
2014年
介绍了一种微型化体声波谐振器的理论模型和实作结果,采用微电子和微机械加工技术,实现了一种上、下电极覆盖压电AlN的"三明治"空气腔悬梁结构。该谐振器具有微型化,高品质因数,低成本的特点,实作的谐振器频率约20MHz,品质因数为800,机电耦合系数约0.5%。
郑升灵李丽要志宏李宏军李丰
关键词:体声波
MET/CAL校准软件在实际应用中的若干改进
MET/CAL是适用于计量标准行业的一款开发应用的专业性软件,其最主要的特点是能提高校准 实验室的工作效率尤其满足ISO/IEC17025、ISO-9000等管理体系要求。但是软件实际应用需要考虑国内工作现状。论述了ME...
吴爱华乔玉娥郑世棋
关键词:自动测量个性化设置
文献传递
半导体照明光源可靠性的探讨
半导体照明光源一般是指用于照明的LED器件,广义而言则涵盖LED器件及其附加驱动或其它功能电路的模块、模组。在照明应用中LED模块、模组的可靠性至关重要,然而模块、模组中LED器件的工作寿命却是半导体照明光源可靠性的关键...
赵敏张万生徐立生
关键词:半导体照明照明光源
文献传递
胰岛素皮下注射控制糖尿病应激性高血糖临床观察被引量:6
2011年
目的观察胰岛素控制糖尿病应激性高血糖疗效并选择合理给药方式。方法 115例住院2型糖尿病合并急性应激性高血糖患者,分别给予胰岛素连续皮下输注及多次皮下注射强化治疗,观察血糖控制情况及血糖达标(空腹血糖4.4~8.0 mmol/L,餐后血糖4.4~10.0 mmol/L)的时间以及胰岛素用量。结果 2组患者采用胰岛素治疗后空腹、餐后血糖均明显下降,治疗前后差异有统计学意义(P〈0.01),胰岛素治疗后前6 d 2组间比较差异有统计学意义(P〈0.05)。连续皮下输注胰岛素(CSII)组血糖控制达标时间(2.5±1.1)d,较多次皮下注射胰岛素(MSII)组(6.5±2.3)d明显缩短;达标时胰岛素用量(44±11)U/d,与MSII组(44±12)U/d无明显差异;CSII组低血糖发生率1.7%明显低于MSII组15.8%(P〈0.01);CSII组手术患者切口感染率为0,明显低于MSII组5.3%(P〈0.01);手术拆线时间CSII组(4.8±0.8)d低于MSII组(6.3±1.2)d。结论经过胰岛素强化治疗,2型糖尿病患者应激性高血糖控制理想;CSII较MSII更快速、有效、安全。
樊永平王燕李玉坤
关键词:糖尿病胰岛素泵应激性高血糖
低暗电流的正面进光高速InGaAs/InP光电二极管
本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流...
曾庆明李献杰蒲运章乔树允王全树
关键词:INGAASINP光电探测器光电二极管
文献传递
1.3μm DC—PBH激光器的研究
张素文冯彦胡邦英
关键词:半导体激光器半导体工艺
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