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天津电子材料研究所

作品数:84 被引量:161H指数:7
相关作者:郝建民李光平胡恺生褚连青郝建民更多>>
相关机构:天津市硬质合金研究所河北工学院河北工业大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
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文献类型

  • 73篇期刊文章
  • 4篇标准
  • 4篇科技成果
  • 3篇会议论文

领域

  • 49篇电子电信
  • 11篇理学
  • 7篇金属学及工艺
  • 6篇化学工程
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇冶金工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇艺术

主题

  • 13篇砷化镓
  • 11篇半导体
  • 11篇GAAS
  • 9篇光纤
  • 9篇合金
  • 8篇硬质
  • 8篇硬质合金
  • 8篇半导体材料
  • 8篇
  • 7篇半绝缘
  • 6篇中碳
  • 5篇真空
  • 5篇真空烧结
  • 5篇WC-CO硬...
  • 4篇受主
  • 4篇激光
  • 4篇LEC
  • 4篇掺杂
  • 3篇单晶
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机构

  • 84篇天津电子材料...
  • 8篇河北工学院
  • 8篇天津市硬质合...
  • 7篇河北工业大学
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  • 1篇广西大学
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作者

  • 18篇李光平
  • 15篇杨瑞霞
  • 10篇郝建民
  • 8篇刘寿荣
  • 8篇褚连青
  • 7篇何秀坤
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  • 5篇王琴
  • 4篇汝琼娜
  • 4篇张忱
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  • 3篇华庆恒
  • 3篇魏海岩
  • 3篇张臣
  • 2篇齐芸馨
  • 2篇马农农
  • 2篇宁鼎
  • 2篇梁福起

传媒

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  • 7篇材料导报
  • 5篇Journa...
  • 4篇微细加工技术
  • 3篇半导体技术
  • 3篇硬质合金
  • 3篇半导体杂志
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  • 2篇光谱学与光谱...
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  • 1篇钢铁
  • 1篇通信学报
  • 1篇物理学进展

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 5篇2003
  • 6篇2002
  • 6篇2001
  • 8篇2000
  • 8篇1999
  • 6篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1995
  • 9篇1993
  • 6篇1992
  • 5篇1991
  • 4篇1990
  • 4篇1989
  • 2篇1987
  • 1篇1981
84 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系
1999年
利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘(SI)LECGaAs 中电参数与碳(C)浓度及EL2 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现。
杨瑞霞李光平
关键词:砷化镓EL2电参数掺杂半导体材料
热处理中As压对半绝缘GaAs缺陷的影响被引量:1
2002年
在 95 0°C和 1 1 2 0°C温度下 ,对非掺杂半绝缘 LECGa As进行了不同 As气压条件下的热处理 ,热处理的时间为 2~ 1 4小时。发现不同 As压条件下的热处理可以改变 Ga As晶片的化学配比 ,并导致本征缺陷和电参数的相应变化。在 95 0°C和低 As气压条件下进行 1 4小时热处理 ,可在样品体内 (表面 1 5 0 μm以下 )引入一种本征受主缺陷 ,使电阻率较热处理前增加约 5 0 % ,霍尔迁移率下降 70 %。这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了 As间隙原子的外扩散。提高热处理过程中的 As气压可以抑制这种本征受主缺陷的产生。真空条件下在 1 1 2 0°C热处理 2~ 8小时并快速冷却后 ,样品中的主要施主缺陷 EL2浓度约下降一个数量级 ,提高热处理过程中的 As气压可以抑制 EL2浓度下降。这种抑制作用是由于在高温、高 As气压条件下 。
杨瑞霞赖占平
关键词:半绝缘GAAS本征缺陷
日本光电子学材料研究的现状与将来
1992年
介绍了近几年日本研究人员在光电子学材料方面的研究现状,并着重阐述了日本在液晶材料、太阳电池材料、光纤材料及激光材料研究方面的新进展以及今后欲开发的课题。
魏海岩
关键词:光电子学
测定外延层电阻率的面接触方法研究
1993年
评论了美国科学家C.C.Allen等于1966年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性,从而提出了本法文。本方法从理论上解一维Poisson方程并与C.C.Allen法的公式相比较,获得某些公式。文中导出面接触方法雪崩击穿电压V^∞Nα/V^∞Bp=0.456;同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为tminp(μm)和面接触方法外延层耗尽层宽度Tmiaα(μm)的比值为Tmin...
程元生朱坤宝夏瑞明王凤仙孙毅之鲁松年朱德平张海明
关键词:外延层电阻率点接触
剥离霍尔技术分析与实用中的问题被引量:1
1998年
根据剥离霍尔技术的物理基础,分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因,主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明,采用阳极氧化技术控制膜厚的不均匀性可小于10%,因此导致F因子变化的主因是ρ(x,y)和θH(x,y)的存在。实验分析了F因子随深度的改变对纵向分布测量结果的影响,指出,当F因子随深度改变时,分析结果应该镇用;在作剥离霍尔测量时加测F因子是必要的,以作为利用分析结果的参考。
孙毅之冯玢郑庆瑜
P/P<'+>硅外延片
该成果采用低温深冷技术对SiHCL〈,3〉进行再精制,通过控制 硅源中受主杂质硼和施生杂质磷的卤化物BCL〈,3〉和PCL〈,3〉挥发量,进行外延生长,稳定地研制出P/P〈?+〉高阻厚层硅外延片,其中低温深冷技术具有创新...
关键词:
关键词:硅片三氯氢硅氢还原法硅单晶
电子元器件用镀锡铜包钢线
本标准规定了镀锡铜包钢线的牌号、标记、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存。本标准适用于制造电子元器件引出线,它是以低碳钢为芯线,经覆铜拉制,而后再电镀或热浸锡(锡基合金)制得的产品。
关键词:电子元器件镀锡钢线
文献传递
硅材料与未来军事战争被引量:1
1993年
电子战是未来战争的主要作战手段.未来战争中,先进的技术将是赢得胜利的决定因素之一.不言而喻,电子对抗设备、通讯设备、导航装置等,哪一样都离不开电子材料.新型电子材料的出现。
黄义贞
关键词:半导体材料战争军事
俄歇电子能谱术深度剖析标准导则
本标准导则适用于采用磨角与截面法、球抗法、离子测射法、非破坏性深度剖析法进行俄歇电子能谱术尝试剖析。 本标准导则可能涉及有害的物品、操作及设备。但没有说明所有相关的安全问题。使用者在使用本导则前,应该制定适当的安全与保健...
文献传递
新的GaAs多晶料合成工艺
在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用B<,2>O<,3>,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压...
高瑞良齐德格周春锋
关键词:半导体材料砷化镓单晶生长合成工艺
文献传递
共9页<123456789>
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