严北平
- 作品数：31 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 制备氧化铁烟敏薄膜的方法
- 本发明涉及一种气敏传感技术领域，特别是一种制备氧化铁烟敏薄膜的方法。该方法采用金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO)]<Sub>5</Sub>作为反应源物质，采用常压化学气相淀积法进行淀积，分别制备出掺杂和非掺杂氧化铁烟敏...
- 彭军柴常春严北平
- 文献传递
- GaAs MMIC用无源元件的模型被引量：11
- 2006年
- 制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16·1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
- 申华军陈延湖严北平杨威葛霁王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：MMIC薄膜电阻
- 制备氧化铁酒敏薄膜的方法
- 本发明涉及敏感技术领域，特别是一种制备酒敏薄膜的方法。该方法是用等离子增强型化学气相淀积法制备氧化铁酒敏薄膜，其关键是参加化学气相淀积反应的源物质采用了金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO<Sub>5</Sub>]。用此方...
- 彭军严北平柴常春
- 文献传递
- PECVD法淀积TiSi_2薄膜性质及应用研究
- 1990年
- 利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来监测硅化物的形成.用扫描电子显微镜观察了TiSi_2薄膜的等离子刻蚀情况.分别采用I—V法和C—V法测量了TiSi_2/Si接触的肖特基势垒高度.利用圆形传输线模型外推法求得了TiSi_2/Si引的接触电阻率,这比同样条件下Al/Si的接触电阻率低一个数量级以上.
- 杨林安周南生严北平
- 关键词：等离子刻蚀
- S波段0.3W AlGaAs/GaAsHBT功率管被引量：1
- 2001年
- 采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了 S波段工作的非自对准 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 .对于总面积为 8× 2 μm× 10 μm的 HBT器件 ,测得其直流电流增益大于 10 ,电流增益截止频率 f T 大于 2 0 GHz,最高振荡频率fmax大于 30 GHz.连续波功率输出为 0 .3W,峰值功率附加效率 41%
- 严北平张鹤鸣戴显英
- 关键词：ALGAAS/GAASS波段砷化镓
- 掺锡对α-Fe_2O_3薄膜微结构和气敏特性的影响研究被引量：1
- 1997年
- 本文用常压化学气相淀积法（ＡＰＣＶＤ）制备了α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和表面形貌（ＳＥＭ）分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明，用ＡＰＣＶＤ工艺制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜对烟雾极为敏感并且具有良好的选择性；本研究还对所制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜进行了有效的掺杂，对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Ｓｎ的掺入对α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用ＡＰＣＶＤ法制备掺Ｓｎ４＋的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜不仅大幅度提高了材料对烟雾的灵敏度，同时也使得选择性得到明显改善。
- 柴常春彭军严北平镇桂芹
- 关键词：APCVD氧化铁气敏特性
- 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)
- 2006年
- 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
- 于进勇严北平苏树兵刘训春王润梅徐安怀齐鸣刘新宇
- 关键词：磷化铟异质结双极型晶体管自对准
- Al/TiSi_2/Si系统与肖特基势垒二极管的热稳定性被引量：1
- 1992年
- 本文用x射线衍射及I—V测量法研究了Al/TiSi_2/Si系统热稳定性及肖特基势垒特性。热稳定性的研究结果表明;系统在550℃以下退火是热稳定的;在更高的温度下退火,Al开始与TiSi_2起反应,形成了(Ti_7Al_5)Si-(12)三元化合物。在进行电特性研究时,发现系统在450℃退火时,Al已渗透TiSi_2而使肖特基势垒二极管失效。
- 周凤蛟周南生严北平
- 关键词：硅化物肖特基势垒热稳定二极管
- 低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管被引量：1
- 2003年
- 采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向开启电压 (turn onvoltage)仅为 0 73V ;当IB=1μA/step时 ,直流增益达到了 10 0 ,BVCEO=5～ 6V .通过对基区不同Sb含量器件的比较得到 ,器件的直流特性与基区Sb的含量有关 .
- 郑丽萍严北平孙海锋刘新宇和致经吴德馨
- 关键词：开启电压GAASSBDHBT
- 制备氧化铁酒敏薄膜的方法
- 本发明涉及敏感技术领域，特别是一种制备酒敏薄膜的方法。该方法是用等离子增强型化学气相淀积法制备氧化铁酒敏薄膜，其关键是参加化学气相淀积反应的源物质采用了金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO)<Sub>5</Sub>]。用此...
- 彭军严北平柴常春
- 文献传递
