刘国侠
- 作品数：51 被引量：3H指数：1
- 供职机构：青岛大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
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- 低温溶液法In2O3薄膜晶体管的制备
- 目前,低温溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管是液晶显示技术发展的趋势,利用In2O3前驱体溶液成功制备了高性能薄膜晶体管(TFT).In2O3沟道层的退火温度为300℃,符合低温柔性器件的要求.制备的TFT器件饱和迁移率为3...
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- 关键词：薄膜晶体管氧化铟性能参数
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- 一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，采用热退火的方式制备超薄Li<Sub>2</Sub>O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In<S...
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- 一种低温环保纳米纤维场效应晶体管的制备方法
- 本发明公开了一种低温环保纳米纤维场效应晶体管的制备方法，首先制备二氧化硅绝缘层，配制前驱体溶液，静电纺丝法制备纳米材料，制得一维金属盐/聚合物复合纳米纤维；一维金属盐/聚合物复合纳米纤维放置在高压汞灯下，用高压汞灯产生的...
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- 一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法，结合n型氧化铟和p型氧化镍半导体沟道层制备全水性薄膜晶体管，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用水...
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- 一种UV光前处理制备氧化铟/氧化铝纳米纤维场效应晶体管的方法
- 本发明属于静电纺丝纳米纤维场效应晶体管制备技术领域，涉及一种UV光前处理制备氧化铟/氧化铝纳米纤维场效应晶体管的方法；其工艺步骤主要包括：制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>高k介质薄膜、制备纳米纤...
- 单福凯孟优刘国侠
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- 电纺硼掺杂氧化铟场效应晶体管的研究
- 2021年
- 采用静电纺丝方法制备了基于不同掺杂浓度的铟硼氧纳米纤维(IBxO)为沟道层的场效应晶体管(FET)。研究分析了B掺杂对氧化铟纳米纤维的表面形貌、结晶特性以及场效应晶体管电学性能的影响。实验结果发现,相比于纯的氧化铟场效应晶体管,IBxO-FETs表现出更低的关态电流和正向移动的开启电压,表明掺杂剂硼的引入能够有效抑制氧化铟中的电子浓度。场效应晶体管在硼的掺杂浓度为摩尔分数6%时表现出最优的电学特性,饱和电流为3.71×10^(-4) A,亚阈值摆幅为1.56 V/decade,电流开关比为3.1×10^(7),场效应迁移率为2.11 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。同时实验研究发现将高k值ZrOx作为介电层时,其性能明显提高,器件的工作电压降低到4 V,场效应迁移率提高为3.75 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),亚阈值摆幅降低到80 mV/decade。
- 汤琪王俊杰刘国侠
- 关键词：纳米纤维氧化铟
- 一种基于超薄氧化镁高k介电层薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化镁高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用溶胶-凝胶法、UV光处理和热退火相结合的方式制备超薄MgO栅介电层和高透过率、化学稳定性良...
- 单福凯刘国侠姜桂霞刘奥孟优
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- 一种金属氧化物薄膜的制备方法
- 本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种金属氧化物薄膜的制备方法，尤其是一种金属氧化物高介电常数(简称高K)薄膜和金属氧化物半导体薄膜的制备方法，采用纳米尺寸热物理效应和静电纺丝法相结合的工艺，用于金属氧化物高K介电薄...
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- 一种中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法
- 本发明属于纳米纤维材料制备技术领域，涉及一种中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法，包括制备聚偏氟乙烯（PVDF）纳米纤维、包裹氧化铟和高温烧结去除PVDF三个步骤：配制PVDF溶液，用静电纺丝装置按常规操作方法进行静电纺丝制...
- 龙云泽陈帅单福凯刘灵芝刘帅刘国侠张红娣孙彬
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