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夏非

作品数:29 被引量:122H指数:6
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:化学工程理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 4篇专利

领域

  • 13篇化学工程
  • 5篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 13篇碳化硅
  • 13篇陶瓷
  • 11篇晶须
  • 7篇显微结构
  • 4篇氮化
  • 4篇碳化硅陶瓷
  • 4篇纳米
  • 4篇复合材
  • 3篇氮化硅
  • 3篇陶瓷材料
  • 3篇热解炭
  • 3篇微粉
  • 3篇纳米微粉
  • 3篇复合材料
  • 3篇SIC
  • 3篇MO
  • 2篇氮化硅晶须
  • 2篇树脂
  • 2篇碳化硅晶须
  • 2篇碳化硅纤维

机构

  • 26篇中国科学院金...
  • 4篇东北大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇青岛化工学院

作者

  • 29篇夏非
  • 10篇周延春
  • 8篇曹丽华
  • 8篇张劲松
  • 6篇杨永进
  • 6篇陈声崎
  • 5篇戴长虹
  • 5篇常昕
  • 4篇张显鹏
  • 4篇常新春
  • 4篇周敬
  • 4篇石南林
  • 2篇黄汉铨
  • 1篇刘清民
  • 1篇梁民宪
  • 1篇师昌绪
  • 1篇沈学逊
  • 1篇罗川
  • 1篇胡宛平
  • 1篇刘素兰

传媒

  • 7篇金属学报
  • 4篇材料科学进展
  • 2篇硅酸盐学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇分析测试技术...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇第三次全国功...
  • 1篇’94全国结...
  • 1篇第三届中国青...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 3篇1995
  • 5篇1994
  • 1篇1993
  • 6篇1992
  • 3篇1991
  • 2篇1990
  • 3篇1989
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Si_3N_4陶瓷的微波烧结被引量:3
1992年
用微波烧结技术和常规无压烧结技术烧结了 Si_3N_4陶瓷。用 XRD,TEM 等方法研究了不同技术烧结的 Si_3N_4样品的组成和显微结构;用三点弯曲和压痕法分别测量了两类样品的抗弯强度和断裂轫性。结果表明,N_2气压的引入可有效地控制微波烧结过程中 Si_3N_4的分解,微波烧结可大幅度降低 Si_3N_4的致密化温度,提高相转变速度,缩短烧结时间,其力学性能也明显地提高。
张劲松曹丽华林小利夏非
关键词:微波烧结氮化硅
SiC 纤维的强度测试和评价被引量:2
1992年
测定了 SiC(W 芯)纤维的抗张强度,实验表明:对用 CVD 法制备的 SiC(W 芯)纤维的抗张强度测试值随试样标距的增大而降低,其室温抗张强度呈正态分布状态。当纤维拉伸试样标距为50mm 和25mm 时,SiC(W 芯)纤维室温抗张强度分别为3584.2±403.7MPa 和3669.9±348.1MPa,其 Weibull 模数分别为9.8和11.9。
石南林常新春夏非
关键词:CVD法纤维碳化硅
树脂热解炭制备碳化硅晶须被引量:9
1996年
用自制的酚醛树脂热解炭作炭源,用SiO2超细粉作硅源,根据碳热还原原理,利用常规加热和微波加热两种方式,分别制备了直径在纳米级的SiC晶须。X射线衍射、透射电镜检测结果表明:制备工艺和条件对SiC晶须的性质有较大的影响。
戴长虹张显鹏张劲松杨永进曹丽华夏非
关键词:酚醛树脂热解炭碳化硅晶须陶瓷碳化硅陶瓷
连续碳化硅纤维的制备方法及装置
一种连续碳化硅纤维的制备方法及其装置,其主要特征是通过射频加热方式在超细钨丝上沉积SiC,再在SiC施以碳涂层;另外,本发明还对已有的射频加热装置进行了改进,其改进之处是在管状反应器的一端设置了通入口7,7′,在管状反应...
石南林常新春夏非
文献传递
氮化硅晶须的制备与显微结构被引量:9
1994年
本文通过对Si-C-N-O系统的热力学分析,利用SiO_2和石墨为原料分别在1200~1300℃和1250~1400℃流动N_2气氛中制备了α-Si_3N_4晶须和β-Si_3N_4晶须。并对Si_3N_4晶须的合成反应机理进行了讨论。
周延春陈声崎夏非
关键词:氮化硅晶须晶须生长显微结构
碳化硅晶须的高温稳定性
1992年
利用x-线衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对三种不同来源的SiC晶须的热稳定性进行了研究。实验发现SiC晶须在180℃以上显微结构发生变化,长径比减小。讨论变化机质及对复合陶瓷性能的影响。
周延春常昕夏非师昌绪
关键词:碳化硅晶须热稳定性显微结构
(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC
一、前言反应烧结SiC工艺虽然比其它烧结工艺有着无法比拟的优点,但是所获得的SiC材料往往由于含有游离Si而使其使用温度低于1400℃(单质Si的熔点).MoSi2熔点高达2047℃,其高温强度和抗热震性、抗氧化性与Si...
胡冬钫夏非黄汉铨
文献传递
用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨被引量:9
1996年
探讨了用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC,研制了烧结温度为1650℃的反应烧结SiC,并且探索了以难熔的第二相MoSi_2取代反应烧结SiC方法。所获得的SiC/MoSi_2复合材料的相对密度为96.45%。检测了烧结体的微观结构及力学性能,并进行了讨论。
胡冬夏非关振铎
关键词:碳化硅二硅化钼烧成陶瓷
β-SiC晶须的孪晶构型观察
1991年
利用透射电子显微镜研究了气—液—固(VLS)法生长的β—SiC晶须中的孪晶构型。在竹节状的SiC晶须中,β—SiC节与含高密度堆垛层错(或一维无序)的节之间孪生相连,其李晶界为{111}_β;同时还观察到有的β-SiC节被{111}_β孪晶界分为两节。此外,在晶须的头部及分叉处还观察到了孪晶界平行晶须轴向的孪晶结构。利用选区电子衍射和像衍衬分析发现,这种双晶SiC晶须的孪晶面平行于基体的{001}_M。
周延春常昕周敬夏非
关键词:碳化硅晶须孪晶显微结构
SiC纤维的强度与表面微观形貌被引量:19
1990年
采用射频加热CVD法制备出连续SiC纤维。观察和研究了纤维表面微观形貌的种类以及与纤维强度和制备工艺参数之间的关系。结果表明,纤维强度与纤维表面光滑性、晶粒大小及均匀性有直接关系;而CVD过程的温度、反应气体的组分、流量以及钨丝载体清洁与否等是决定SiC纤维表面微观形貌的关键因素。在SiC纤维外表面涂敷一层保护涂层有效地提高了纤维的光滑性,缓解了SiC纤维的表面损伤敏感性,提高了纤维的性能。
石南林刘清民常新春全荣夏非
关键词:SIC纤维形貌
共3页<123>
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