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孙一军

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇医药卫生
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇农业科学

主题

  • 11篇蓝宝
  • 11篇蓝宝石
  • 8篇光效
  • 8篇光效率
  • 8篇发光
  • 8篇发光效率
  • 7篇溅射
  • 7篇衬底
  • 5篇原子层沉积
  • 5篇GAN基LE...
  • 4篇蒸发
  • 4篇杀菌
  • 4篇杀菌装置
  • 4篇流速传感器
  • 4篇缓冲层
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇三明治
  • 3篇射频电源

机构

  • 30篇浙江大学

作者

  • 30篇孙一军
  • 25篇孙颖
  • 19篇程志渊
  • 19篇刘艳华
  • 15篇盛况
  • 14篇刘志
  • 11篇周强

传媒

  • 1篇新农村
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 6篇2022
  • 2篇2020
  • 9篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇1999
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高效紫外LED杀菌装置
本实用新型公开一种高效紫外LED杀菌装置，其包括壳体以及设置在壳体内的梯子形杀菌通道、控制电路、电源、紫外LED杀菌模块和流速传感器，梯子形杀菌通道包括分水管道、集水管道和至少三个支管道，分水管道中部设置进水口，集水管道...
孙一军程志渊盛况
文献传递
基于磁控溅射设备使用效率最优的管理系统及其管理方法
本申请涉及智能管理的领域，其具体地公开了一种基于磁控溅射设备使用效率最优的管理系统及其管理方法，其包括：学生管理模块，用于以对学生信息和账户进行管理；设备管理模块，用于以对磁控溅射设备的相关信息进行管理；预约设置模块，用...
孙家宝孙一军刘志谢石建陈长鸿王妹芳刘艳华孙颖
一种氮化硅刻蚀方法
本发明公开了一种氮化硅刻蚀方法。利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化...
陈长鸿孙一军孙颖王妹芳孙家宝刘艳华刘志谢石建
文献传递
一种蓝宝石复合衬底
本实用新型提出一种蓝宝石复合衬底，其包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN三明治结构，所述AlN三明治结构包括沉积于所述蓝宝石衬底上的第一Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层、沉积于所述第一...
孙一军程志渊盛况周强孙颖
文献传递
一种用于高温氧化工艺的应力施加装置
本发明公开一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,该装置包括基座、楔块以及单轴宽间距直筋压板、单轴窄间距直筋压板、双轴大直径圆筋压板、双轴小直径圆筋压板六个部分，基座内叠加单轴宽间距直筋压板、半导体基片、单轴窄间距直筋压板、...
孙家宝程志渊孙一军孙颖刘艳华王妹芳刘志谢石建陈长鸿
一种高效紫外LED杀菌装置及杀菌方法
本发明公开一种高效紫外LED杀菌装置及杀菌方法，其包括壳体以及设置在壳体内的梯子形杀菌通道、控制电路、电源、紫外LED杀菌模块和流速传感器，梯子形杀菌通道包括分水管道、集水管道和至少三个支管道，分水管道中部设置进水口，集...
孙一军程志渊盛况
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用于薄膜生长优化的薄膜生长界面优化方法
本申请涉及用于薄膜生长优化的薄膜生长界面优化方法，该方案包括以下步骤：S00、将衬底材料传至双电极等离子设备的腔室内，并控制在设定温度范围内，抽真空；S10、抽真空时，通入惰性气体；S20、往腔室通入H<Sub>2</S...
孙一军王妹芳陈长鸿谢石建刘艳华孙颖孙家宝刘志
一种含有AlN三明治结构的蓝宝石复合衬底
本发明提出一种含有AlN三明治结构的蓝宝石复合衬底，其包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN三明治结构，所述AlN三明治结构包括沉积于所述蓝宝石衬底上的第一Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>...
孙一军程志渊盛况周强孙颖
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一种提高GaN基LED发光效率的外延结构
本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多...
孙一军程志渊周强孙颖孙家宝刘艳华王妹芳盛况
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一种高温臭氧氧化退火装置
本发明公开一种高温臭氧氧化退火装置，该装置包括装置上壳体、装置下壳体、装置氧化退火腔室、支撑和隔热装置、加热圈五部分。本发明提出的高温臭氧氧化退火装置，可应用于半导体集成电路芯片制作工艺，填补了该类型设备的空白，极大地推...
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