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崔德升
作品数:
6
被引量:2
H指数:1
供职机构:
河北工业大学材料研究中心
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发文基金:
河北省自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
任丙彦
河北工业大学材料研究中心
张维连
河北工业大学
徐岳生
河北工业大学
鞠玉林
河北工业大学
刘彩池
河北工业大学材料研究中心
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多孔硅
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机构
6篇
河北工业大学
作者
6篇
任丙彦
6篇
崔德升
4篇
鞠玉林
4篇
徐岳生
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张维连
1篇
刘彩池
1篇
李伟
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1篇
河北工业大学...
1篇
中国有色金属...
年份
1篇
1997
3篇
1990
2篇
1989
共
6
条 记 录,以下是 1-6
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被引量排序
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CMOS器件用硅片的缺陷控制和利用工艺
一种半导体材料的处理方法,特别是CMOS器件用硅片缺陷控制和利用工艺,其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照,然后进行切、磨、抛等硅片加工,合格的硅抛光片清洗处理后,直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序。该工艺...
徐岳生
张维连
任丙彦
林秀俊
鞠玉林
吕淑求
崔德升
文献传递
CMOS器件用硅片的缺陷控制工艺
一种半导体材料的处理方法,特别是CMOS器件用硅片缺陷控制工艺,其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照,然后进行切、磨、抛等硅片加工,合格的硅抛光片清洗处理后,直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序,该工艺稳定、...
徐岳生
张维连
任丙彦
林秀俊
鞠玉林
吕淑求
崔德升
中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
一种中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺,其工序是:将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂,清洗处理后,送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火。该工艺可与器件制造中的热工序结合,因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得...
徐岳生
张维连
任丙彦
林秀俊
鞠玉林
吕淑求
崔德升
文献传递
NTDCZSi辐照施主的退火行为及形成机理探讨
任丙彦
李伟
崔德升
关键词:
辐照
施主
半导体工艺
单晶
退火
中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
一种中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺,其工序是:将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂,清洗处理后,送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火。该工艺可与器件制造中的热工序结合,因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得...
徐岳生
张维连
任丙彦
林秀俊
鞠玉林
吕淑求
崔德升
多孔硅红外光激发上转换兰光特性
被引量:2
1997年
采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了防在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS具有良好的上转换荧光特性,并随着存放时间的延长,在一定期限内峰值强度有明显的增强.这种非线性光学响应的增强,被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激于被激发有关.硅片初始电阻车越低,发光强度越大.
崔德升
刘彩池
任丙彦
张颖怀
关键词:
多孔硅
光激发
荧光
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