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一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法: 本发明属于半导体材料器件制备技术领域，公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表...; 梁红伟王德煜马浩然柳阳张克雄张振中张贺秋张赫之夏晓川

三族氮化物极化工程在光电器件和隧穿器件的应用: 由于纤锌矿结构的三族氮化物具有较强的离子性且缺乏反演对称性，它们表现出很强的自发极化和压电极化，是一种极化特性和半导体特性兼有的功能材料。近年来国内外的相关研究表明，极化效应在三族氮化物中扮演着双面角色，既有其负面影响也...; 张克雄; 关键词：光电器件金属有机物化学气相沉积

一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统: 本实用新型属于半导体器件测试技术领域，公开了一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，包括碳化硅探测器、带电粒子源、准直器、铝合金屏蔽盒、真空罐、机械真空泵、电荷灵敏前置放大器、主放大器、低压供电电源、高压...; 梁红伟龙泽张赫之柳阳张克雄马浩然张振中张贺秋夏晓川

SiC衬底GaN LED生长及器件制备: 半导体发光二极管(LED)是制备半导体照明这一新型光源的核心元器件,具有巨大的市场前景。蓝光GaNLED可采用蓝宝石(Sapphire)与碳化硅(SiC)作为外延衬底材质,并以蓝宝石基板应用较为普遍。SiC与GaN的晶格...; 梁红伟宋世巍张克雄申人升柳阳杜国同

400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文): 2013年; 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。; 王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同; 关键词：金属有机物化学气相沉积 GAN发光二极管电子阻挡层超晶格

一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具: 本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细对准...; 梁红伟韩中元张克雄柳阳张振中张贺秋张赫之马浩然夏晓川

一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周...; 夏晓川徐瑞良张振中柳阳张贺秋张赫之张克雄马浩然梁红伟

喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响被引量：1: 2013年; 在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。; 柯昀洁梁红伟申人升宋世巍夏晓川柳阳张克雄杜国同; 关键词：MOCVD INGAN

一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法: 本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法，包括碳化硅材料、第一直流偏置电压施加层和第二直流偏置电压施加层。碳化硅材料为待表征主体，其表面形状为矩形或正方形；第一直流偏置电压...; 夏晓川王鸿运张贺秋柳阳张赫之张克雄马浩然张振中梁红伟

一种在模拟域实现CDS差值量化操作的SAR/SS ADC: 本发明提出一种在模拟域实现CDS差值量化操作的SAR/SS ADC，属于模拟集成电路技术领域。本发明采用了在模拟域进行CDS差值量化操作，减少了一次量化过程，提升了读出链的工作速度；本发明采用SAR ADC和SS ADC...; 张克雄潘旭辉常玉春刘宇帆曲杨曹伉

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张克雄