张小平
- 作品数：8 被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置
- 本发明提供了一种长波碲镉汞外延材料P型热处理工艺及装置。该工艺由样品表面处理、热处理装置处理、装片、系统抽真空、热处理条件选择和淬火取出六部分组成，并提供了热处理装置设计。通过该装置和工艺可将用分子束外延(MBE)技术生...
- 杨建荣陈新强方维政郭世平张小平于梅芳乔怡敏何力
- 文献传递
- 退火对CdZnTe晶体质量的影响被引量：9
- 1997年
- 我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片中的Te沉淀，提高其红外透射比；同时，退火也导致了晶片表面的损伤，损伤层为50～130μm．表面结构损伤的原因是，（1）Cd气氛中退火，CdZnTe晶体表面的Zn损失；（2）退火过程中，吸附在沉淀物周围的杂质，尤其是快扩散杂质，将随着沉淀相的消失而迁移到晶体的表面，从而破坏了表面的晶体结构．退火后，磨去损伤层，可将聚集在表面的这些杂质除去，更有利于外延生长或器件制备．
- 朱基千褚君浩张小平李标程继健
- 关键词：晶体质量退火
- CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究被引量：5
- 1998年
- 用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．
- 朱基千褚君浩张小平张小平程继健
- 关键词：碲沉淀相
- 空穴导电碲镉汞外延材料处理工艺及装置
- 杨建荣陈新强方维政郭世平张小平于梅芳乔怡敏何力
- 一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，包括碲镉汞分子束外延工艺、在碲镉汞分子束外延材料上生长一层CdTe覆盖层工艺和热处理工艺，其特征在于：带有CdTe覆盖层的碲镉汞样品直接在分子束外延的生长室中进行真空热处理，或者将...
- 关键词：
- 关键词：碲镉汞
- 垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟被引量：13
- 2001年
- 采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区域的温度梯度也是改善固液界面形状的一个有效方法 .同时 ,通过对生长系统中的热流分析 ,表明在生长过程的中间阶段 ,热量交换主要集中在梯度区附近 。
- 魏彦锋方维政张小平杨建荣何力
- 关键词：CDTE有限元法数值模拟
- 垂直浸渍液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe的生长及性能
- 1993年
- 本文报导采用汞回流垂直浸渍液相外延方法,在CdTe或CdZnTe(111)面的衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶,其厚度为20μm,面积为1.5×2cm^2,组分x从0.18到0.7,组分均匀性Δx≈0.001。样品经热处理以后,x=0.2的n型样品电子浓度n≈1×10^(15)cm^(-3),电子迁移率μ≈10~5cm^2/v·s,p型样品空穴浓度p≈2×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率μ≈300cm^2/v·s,双晶衍射显示样品的半峰宽为90arc sec,X光貌相分析表明外延层晶体结构优良。样品的红外光谱测量,电学参数测量以及载流子寿命测量表明样品具有优良的光电性质。
- 陈新强褚君浩张恕明张小平俞振中周捷邢思皓蔡琤季华美
- 关键词：晶体生长液相外延碲镉汞
- CdZnTe晶片中的Zn组分的研究被引量：5
- 1999年
- 用X 射线双晶衍射、光致发光谱和红外透射光谱研究了CdZnTe 晶体中的Zn 的组分.研究表明透射光谱的Syllaios经验公式结果与X 射线双晶衍射和光致发光谱精确测量结果对比,偏差小于4% .透射光谱可以做为测量Zn
- 黄根生张小平常勇于福聚杨建荣何力
- 关键词：CDZNTE光致发光谱锌晶片半导体
- 空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置
- 本发明提供了一种长波碲镉汞外延材料P型热处理工艺及装置。该工艺由样品表面处理、热处理装置处理、装片、系统抽真空、热处理条件选择和淬火取出六部分组成，并提供了热处理装置设计。通过该装置和工艺可将用分子束外延(MBE)技术生...
- 杨建荣陈新强方维政郭世平张小平于梅芳乔怡敏何力
- 文献传递
