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张金风

作品数：167 被引量：38H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项西安应用材料创新基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 147篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 57篇电子电信
  • 9篇化学工程
  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 57篇金刚石
  • 57篇刚石
  • 36篇晶体管
  • 27篇势垒
  • 25篇迁移率
  • 24篇衬底
  • 23篇势垒层
  • 22篇电子迁移率
  • 21篇高电子迁移率
  • 19篇异质结
  • 19篇高电子迁移率...
  • 19篇场效应
  • 18篇场板
  • 17篇氮化镓
  • 17篇功率器件
  • 16篇成核
  • 15篇氮化
  • 15篇场效应晶体管
  • 14篇电极
  • 12篇栅介质

机构

  • 167篇西安电子科技...
  • 8篇西安电子科技...
  • 2篇吉林大学

作者

  • 167篇张金风
  • 148篇郝跃
  • 127篇张进成
  • 35篇许晟瑞
  • 26篇毛维
  • 16篇林志宇
  • 14篇王冲
  • 11篇张春福
  • 10篇马晓华
  • 10篇杨翠
  • 9篇杨林安
  • 9篇宁静
  • 9篇郑雪峰
  • 8篇安阳
  • 8篇黄旭
  • 7篇杜鸣
  • 7篇马佩军
  • 6篇李培咸
  • 6篇张进城
  • 6篇陈智斌

传媒

  • 7篇物理学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇科学通报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 7篇2024
  • 22篇2023
  • 22篇2022
  • 24篇2021
  • 21篇2020
  • 7篇2019
  • 14篇2018
  • 11篇2017
  • 8篇2016
  • 9篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 4篇2006
共 167 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多路控制复合功能器件
本发明公开了一种多路控制复合功能器件，主要解决现有氮化镓基功率晶体管只能单向阻断的问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层通过内部的隔离深槽分成多个条状结构；每个条状结构从左至右依次设置有左电极...
毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军张金风张进成郝跃
基于纳米线结构的高效发光二极管的制备方法
本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、Al<Sub>x</Su...
张进成杜金娟许晟瑞吕玲郝跃李培咸陶鸿昌林志宇张金风
文献传递
高跨导氢终端多晶金刚石长沟道场效应晶体管特性研究被引量：1
2018年
基于多晶金刚石制作了栅长为4 pm的铝栅氢终端金刚石场效应晶体管.器件的饱和漏源电流为160 mA/mm,导通电阻低达37.85Ω·mm,最大跨导达到32 mS/mm,且跨导高于最大值的90%的栅压(V_(GS))范围达到3 V(-2 V≤V_(GS)≤-5 V).通过传输线电阻分析以及器件的导通电阻和电容-电压特性分析,发现氢终端多晶金刚石栅下沟道中的空穴面浓度达到了1.56×10^(13)cm^(-2),有效迁移率在前述高跨导栅压范围保持在约170 cm^2/(V·s).分析认为,较低的栅源和栅漏串联电阻、沟道中高密度的载流子和在大范围栅压内的高水平迁移率是引起高而宽阔的跨导峰和低导通电阻的原因.
张金风杨鹏志任泽阳张进成许晟瑞张春福徐雷郝跃
关键词：金刚石场效应晶体管
基于复合衬底的半导体器件及其制备方法
本发明涉及一种基于复合衬底的半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：选取Si衬底层；在所述Si衬底层下表面生长金刚石层；在所述Si衬底层上表面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上表面生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层...
任泽阳张雅超张进成张金风许晟瑞苏凯郝跃
文献传递
非极性GaN基微型发光二极管及制备方法
本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法，主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响，导致发光效率不高的问题。其自下而上包括：衬底，高温AlN成核层，n型GaN层，In<Sub>x</Su...
许晟瑞张怡许文强张金风彭利萍张雅超任泽阳张进成郝跃
文献传递
基于金刚石图形衬底的大功率发光二极管及其制备方法
本发明意在公开一种基于金刚石基图形衬底的大功率氮化物发光二极管，主要解决现有金刚石衬底上外延氮化物半导体发光二极管晶格质量差、平片衬底出光效率低、大功率发光二极管器件散热不足及制备工艺复杂的问题。其自下而上为图形化金刚石...
许晟瑞卢灏王宇轩范晓萌高源陶鸿昌张涛张金风张进成郝越
增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝...
张金风安阳黄旭张进成郝跃
文献传递
增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法
本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅槽(4)、漏槽(5)、P型层(6)、P型漏柱...
毛维高北鸾马佩军杜鸣张春福张金风周弘刘志宏张进成郝跃
文献传递
基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于c面A1<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中质量较差，应力大的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al<Sub>2</...
郝跃许晟瑞张进成张金风毛维史林玉付小凡梁晓祯
文献传递
一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法
本发明公开了一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法，该异质结包括：具有若干凹槽的金刚石衬底、位于凹槽内的AlN层以及位于金刚石衬底表面的GaN外延层和AlN外延层。本发明提供的多槽式金刚石衬底环绕的A...
许晟瑞许文强张金风赵颖王若冰张雅超张进成郝跃
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