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彭康

作品数:10 被引量:9H指数:2
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金:中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电缆
  • 3篇陶瓷
  • 3篇同轴
  • 3篇同轴电缆
  • 3篇屏蔽层
  • 3篇外筒
  • 3篇介质层
  • 3篇金属
  • 3篇穿通
  • 3篇传输特性
  • 2篇判据
  • 2篇贮存性能
  • 2篇加载
  • 2篇步进
  • 1篇应力
  • 1篇残余应力

机构

  • 10篇中国工程物理...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 10篇彭康
  • 4篇金大志
  • 3篇黄晓军
  • 3篇程焰林
  • 3篇宋文波
  • 3篇谈效华
  • 3篇曾敏
  • 3篇黎明
  • 2篇邹桂娟
  • 2篇解永蓉
  • 2篇肖明珠
  • 1篇杨卫英
  • 1篇伍智
  • 1篇石磊
  • 1篇宋春林

传媒

  • 1篇焊接
  • 1篇真空
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇2006电子...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 5篇2006
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Ti/Ag/Cu活性焊料的封接特性
Ti/Ag/Cu活性焊料法广泛应用于陶瓷与金属的焊接中,但该焊料在陶瓷表面的浸润性较差,在金属表面易发生偏析的现象.本文对该焊料的流散特性进行了讨论,对陶瓷与金属的封接界面进行了分析,对封接机理进行了讨论,结果表明在封接...
金大志彭康曾敏解永蓉邹桂娟黄晓军
关键词:陶瓷金属
文献传递
一种树脂灌封产品贮存老化缺陷的检测方法
本发明公开了一种树脂灌封产品贮存老化缺陷的检测方法。该方法将高加速应力试验理念引入到产品级贮存试验及分析领域,通过高应力加载和步进应力施加手段,使产品贮存老化缺陷检测所需的试验周期大幅缩短,并提出以工作应力极限值随贮存时...
韩春苗彭康肖明珠谈效华
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一种多同轴电缆密封穿通连接装置
本实用新型提供了一种多同轴电缆密封穿通连接装置,所述多同轴电缆密封穿通连接装置能实现多同轴电缆高密度密封穿通,所述的多同轴电缆密封穿通连接装置包括外筒、后盖板、前盖板、同轴电缆组件、灌封体,同轴电缆组件由外屏蔽层、电介质...
黎明宋文波程焰林彭康都焕亮
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Ti/Ag/Cu活性焊料的封接特性被引量:1
2006年
Ti/Ag/Cu活性焊料法广泛应用于陶瓷与金属的焊接中,但该焊料在陶瓷表面的浸润性较差,在金属表面易发生偏析的现象。本文对该焊料的流散特性进行了讨论,对陶瓷与金属的封接界面进行了分析,对封接机理进行了讨论,结果表明在封接界面生成Ti的氧化物主要是TiO2。
金大志彭康曾敏解永蓉邹桂娟黄晓军
Ti/Ag/Cu活性焊料的封接特性
Ti/Ag/Cu活性焊料法广泛应用于陶瓷与金属的焊接中,但该焊料在陶瓷表面的浸润性较差,在金属表面易发生偏析的现象。本文对该焊料的流散特性进行了讨论,对陶瓷与金属的封接界面进行了分析,对封接机理进行了讨论,结果表明在封接...
金大志彭康曾敏解永蓉邹桂娟黄晓军
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一种多同轴电缆密封穿通连接装置
本发明提供了一种多同轴电缆密封穿通连接装置,所述多同轴电缆密封穿通连接装置能实现多同轴电缆高密度密封穿通,所述的多同轴电缆密封穿通连接装置包括外筒、后盖板、前盖板、同轴电缆组件、灌封体,同轴电缆组件由外屏蔽层、电介质层、...
黎明宋文波程焰林彭康都焕亮
文献传递
一种多同轴电缆密封穿通连接装置
本发明提供了一种多同轴电缆密封穿通连接装置,所述多同轴电缆密封穿通连接装置能实现多同轴电缆高密度密封穿通,所述的多同轴电缆密封穿通连接装置包括外筒、后盖板、前盖板、同轴电缆组件、灌封体,同轴电缆组件由外屏蔽层、电介质层、...
黎明宋文波程焰林彭康都焕亮
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陶瓷/金属焊接应力的数值计算与分析被引量:5
2006年
陶瓷/金属焊接过程中容易产生残余应力,将影响到产品的可靠性。应用薄壳理论推导的理论公式对典型焊接结构的应力分布进行了理论计算,同时应用ANSYS有限元分析软件对该结构的应力进行了数值计算。结果表明理论计算与有限元分析结果一致,同时ANSYS可以给出详细的应力分布,完全可以应用于陶瓷/金属焊接的应力计算。
金大志石磊彭康谈效华
关键词:残余应力
一种树脂灌封产品贮存老化缺陷的检测方法
本发明公开了一种树脂灌封产品贮存老化缺陷的检测方法。该方法将高加速应力试验理念引入到产品级贮存试验及分析领域,通过高应力加载和步进应力施加手段,使产品贮存老化缺陷检测所需的试验周期大幅缩短,并提出以工作应力极限值随贮存时...
韩春苗彭康肖明珠谈效华
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电真空陶瓷表面斑点新探被引量:3
2006年
应用SEM微区分析和小束XRD扫描,对95%氧化铝电真空陶瓷金属化后的表面斑点等异常现象进行剖析。确认了表面黑点是由变价金属离子形成的;花斑的形貌并无异常,而其物相结构与正常陶瓷相比,缺乏硅酸铝钙相,且有少量新相生成;透光性差的陶瓷有明显的异相形成。此外,还证实了陶瓷表面的晶化现象。
伍智彭康黄晓军杨卫英宋春林
共1页<1>
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