您的位置： 专家智库 > >

彭里

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇总剂量
  • 1篇电离
  • 1篇碰撞电离
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇总剂量辐照效...
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇沟道
  • 1篇辐照效应
  • 1篇背栅
  • 1篇NMOS
  • 1篇NMOS器件
  • 1篇N沟道
  • 1篇PD_SOI
  • 1篇SOI
  • 1篇KINK效应

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇彭里
  • 2篇卓青青
  • 2篇刘红侠
  • 2篇蔡惠民
  • 1篇杨兆年

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究被引量：1
2012年
本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器件辐照后输出特性变化不一致的主要原因.短沟道器件输出特性的击穿电压更低.在关态偏置条件下,由于背栅晶体管更严重的辐射效应,短沟道SOI器件的电离辐射效应比同样偏置条件下长沟道器件严重.
彭里卓青青刘红侠蔡惠民
关键词：SOINMOS总剂量辐照效应
总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应
2013年
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.
卓青青刘红侠彭里杨兆年蔡惠民
关键词：总剂量效应KINK效应碰撞电离
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0