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文献类型

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领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇晶体管
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇放大器
  • 3篇ALGAN/...
  • 3篇C波段
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇F类
  • 1篇大信号
  • 1篇大信号模型
  • 1篇性能评价
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结场效应...
  • 1篇增益
  • 1篇势垒
  • 1篇通讯系统

机构

  • 6篇西安电子科技...

作者

  • 6篇曹梦逸
  • 4篇马晓华
  • 3篇郝跃
  • 2篇陈伟伟
  • 2篇张会龙
  • 2篇张凯
  • 1篇董梁
  • 1篇廖雪阳
  • 1篇陈永和
  • 1篇侯斌
  • 1篇李卫军
  • 1篇郭星
  • 1篇卢阳
  • 1篇王毅
  • 1篇马骥刚
  • 1篇李文雯
  • 1篇张会龙

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
高效率和大功率氮化镓半导体放大器研究
现今生活中,无线通信无处不在,从航空航天、雷达通信系统到无线路由器、蓝牙通信,都是无线微波通信的应用成果。通信系统的不断完善,对微波功率放大器提出了越来越高的要求,以Ge、Si为代表的第一代半导体和以GaAs为代表的第二...
曹梦逸
关键词:大功率放大器GAN器件谐波抑制大信号模型
文献传递
C波段ALGAN/GAN基逆F类功率放大器的设计
功率放大器是无线通讯收发系统中最消耗功率的器件之一,设计一款高效率的功率放大器对于提高无线收发系统的效率具有重要意义.根据本实验室的ALGAN/GAN HEMI器件的测量结果,利用AGILENT LCCAP软件对器件进行...
李卫军曹梦逸张会龙陈伟伟侯斌马晓华
关键词:ALGAN/GAN高功率
文献传递网络资源链接
C波段AlGaN/GaN基逆F类功率放大器的设计
功率放大器是无线通讯收发系统中最消耗功率的器件之一,设计一款高效率的功率放大器对于提高无线收发系统的效率具有重要意义。根据本实验室的AlGaN/GaN HEMI器件的测量结果,利用Agilent lCCAP软件对器件进行...
Weijun Li李卫军Mengyi Cao曹梦逸Huilong Zhang张会龙Weiwei Chen陈伟伟Bin Hou侯斌Xiaohua Ma马晓华
关键词:功率放大器C波段性能评价无线通讯系统
C波段内匹配功率放大器设计与实现
利用Triquint TGF2023 5mmGaN高电子迁移率器件,设计了一款高效率C波段内匹配功率放大器.整个放大器由1个5mm栅宽的GaN HEMT、制作在陶瓷基片上的输入输出匹配电路以及功率分配与合成器组成。为使其...
卢阳曹梦逸魏家行霍瑞斌董梁王毅马晓华郝跃
关键词:功率放大器高电子迁移率晶体管氮化镓
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型被引量:2
2012年
初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.
马骥刚马晓华张会龙曹梦逸张凯李文雯郭星廖雪阳陈伟伟郝跃
关键词:ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管KINK效应
源场板异质结场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种源场板异质结场效应晶体管及制作方法,主要解决现有场板技术击穿电压低、功率增益小的问题。该器件包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(6)、Γ栅(8)和保护层(11),钝...
郝跃张凯马晓华陈永和曹梦逸
文献传递
共1页<1>
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