李群
- 作品数：25 被引量：12H指数：2
- 供职机构：东华理工大学更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金核资源与环境教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学电气工程更多>>
- 一种家用防火安全报警装置
- 本实用新型公开了家用设备技术领域的一种家用防火安全报警装置，包括安装座，安装座上端固定连接有吸盘，安装座下端固定连接有固定罩，固定罩中部固定连接有固定板，固定板中部固定连接有导向管，导向管中部活动连接有活动杆，活动杆上端...
- 陈志明李群
- SiOx薄膜的制备及发光特性研究
- 本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的Si-SiO2薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后Si-SiO2薄膜的PL谱图显示样品中存...
- 李群梁坚吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：SIOX薄膜溅射光致发光
- 低成本电解水催化剂的合成与改性研究
- 随着全球经济的快速发展，能源的需求也在不断增长。化石燃料作为传统能源本身储备匮乏，对环境有害，且会产生大量温室气体，因此寻找能替代它的新型能源成为当前研究的热点。其中氢能以其来源丰富、尾气无污染、安全性高等优点在众多新型...
- 李群
- 关键词：催化剂合成工艺电解水催化活性
- 非晶SiO_xN_y薄膜的发光特性研究
- 2010年
- 采用双离子束溅射沉积法制备SiOxNy复合非晶薄膜,傅里叶变换红外光谱(FTIR)及X射线衍射谱(XPS)测试表明,薄膜成分由Si、O、N元素组成,在室温下可观察到样品有波长为400nm(紫光)、470nm(蓝光)的光致发光。根据测试结果分析研究SiOxNy薄膜的可能发光机理:波长为470nm处发光峰来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O2≡Si-Si≡O2),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;波长为400nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N元素所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N元素结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强。
- 徐小华李群游泳刘义保
- 关键词：非晶光致发光
- 一种方便理线的控制柜
- 本实用新型涉及控制柜技术领域，公开了一种方便理线的控制柜，包括柜体，所述柜体的后侧设置有理线组件，所述柜体的内壁设置有推出组件，所述柜体的外壁设置有排气组件，所述推出组件包括定位块，多个所述定位块固定连接在柜体的内壁左右...
- 李群陈志明
- 含铝的富硅二氧化硅薄膜的发光特性及结构
- 2004年
- 采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO),采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明:AlSiO复合膜共有三个发光峰,分别在370nm、410nm、510nm处。发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变,峰强随铝含量有变化,且510nm处的峰强随铝含量增加而增强。PLE结果表明:370nm和410nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关,而510nm的PL峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致,是Al、Si、O共同而复杂的作用。
- 李群严勇健成珏飞吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：铝掺杂光致发光
- 论毕业生充分就业是高等教育大众化的重要功能
- 随着我国高等教育进入大众化阶段，高校毕业生的就业已经成为了当今社会的热点问题。教育终究是要为社会服务的，毕业生充分就业是高等教育社会服务功能实现的必由之路。促进毕业生充分就业是高等教育发展和完善的必然要求。本文从不同的视...
- 李群
- 关键词：高等教育毕业生充分就业分配制度改革
- 掺杂非晶硅基薄膜的结构及发光特性研究
- 该论文采用双离子束溅射沉积方法制备了Si-SiO<,x>、SiO<,x>:C、SiO<,x>N<,y>复合薄膜,TEM及XRD的测试表明三种薄膜均为非晶结构,通过FTIR和XPS进一步分析了薄膜的结构,了解所掺杂质在薄膜...
- 李群
- 有源介观RLC电路的量子涨落被引量：3
- 2008年
- 通过正则变换将有源介观RLC电路进行了量子化,运用路径积分方法求出了介观RLC电路的波函数.由该波函数严格计算了电荷、电流的量子涨落.
- 王爱星符五久刘义保李群
- 关键词：介观RLC电路量子化路径积分量子涨落
- 退火对两种硅基薄膜的结构及发光影响被引量：1
- 2013年
- 采用双离子束共溅射沉积方法制备了两种复合硅基薄膜SiOxCy和SiOxNy薄膜,对两种薄膜进行后退火处理,并分别对样品进行PL、FTIR、XPS谱测试分析,比较退火前后的发光及结构的变化。两种样品的光致发光测试谱(PL)表明:退火前后都有两个发光峰位-都存在470nm的发光峰位,它来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化。进一步的FTIR和XPS的测试谱表明另外一个发光峰位420nm(SiOxCy薄膜)和400nm(SiOxNy薄膜)分别来自于掺杂杂质(C和N)与硅基薄膜中的Si、O组成的复合结构。而两种样品经过退火处理后掺杂所引起的发光峰位强度随退火温度的升高而增强,说明退火温度的升高有利于发光机制的形成。
- 李群徐小华吕波方诚
- 关键词：掺杂硅基退火光致发光
