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来萍

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：电子部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇静电放电
  • 1篇可靠性
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇ESD
  • 1篇MESFET

机构

  • 3篇电子部

作者

  • 3篇来萍
  • 2篇费庆宇

传媒

  • 2篇电子产品可靠...
  • 1篇1998电子...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
光辐射显微技术在器件失效定位中的应用被引量：2
1997年
本文介绍了首次采用光辐射显微技术对半导体器件进行失效分析和缺陷定位的应用实例，分析过程快速、简便失效定位准确、直观，显示了光辐射显微技术在失效分析，尤其是失效定位方面的优越功能。
来萍费庆宇
关键词：半导体器件可靠性
GaAs MESFET直流特性退化的失效分析
1995年
GaAs MESFET直流特性退化的主要原因是源极漏极欧姆接触退化和栅极肖特基势垒接触退化。笔者用结构敏感参数电测法和C-V法进行失效定位和失效分析,为上述失效原因提供了证据。
费庆宇来萍
关键词：砷化镓MESFET
静电放电(ESD)评价试验的结果及作用分析
本文总结了近两年为元器件生产厂家及用户进行的87个批次器件的静电放电敏感度(ESDS)等级评价和分类试验的情况,就试验的结果和作用进行了分析和讨论。
来萍胡林忠刘发
文献传递
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