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杨喜超

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 4篇原子层沉积
  • 3篇氧化物薄膜
  • 2篇单层膜
  • 2篇等离子
  • 2篇等离子技术
  • 2篇氧化剂
  • 2篇栅介质
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇退火
  • 2篇介质
  • 2篇介质薄膜
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇金属氧化物薄...
  • 2篇灰化
  • 2篇减薄
  • 2篇溅射
  • 2篇高K栅介质

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇杨喜超
  • 6篇谢晓明
  • 4篇张有为
  • 4篇王浩敏
  • 2篇江绵恒
  • 2篇沈大伟
  • 2篇丁古巧

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明提供一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法，首先于两层或两层以上的石墨烯表面采用直流磁控溅射法制备金属薄膜，以在所述石墨烯表面引入悬挂键；然后采用化学腐蚀法去除所述金属薄膜，并对所述石墨烯表面进行清洗和干燥；最后...
王浩敏张有为杨喜超谢晓明
文献传递
一种逐层减薄石墨烯的方法
本发明涉及一种逐层减薄石墨烯的方法，其特征在于首先利用等离子灰化技术，用等离子轰击多层石墨烯，然后在高温炉中退火以去除顶层石墨烯，实现高精度的减薄石墨烯。通过多次等离子体轰击和高温退火可以实现逐层减薄多层石墨烯。该发明特...
杨喜超谢晓明江绵恒丁古巧
一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法
本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反...
王浩敏张有为沈大伟杨喜超谢晓明
文献传递
一种逐层减薄石墨烯的方法
本发明涉及一种逐层减薄石墨烯的方法，其特征在于首先利用等离子灰化技术，用等离子轰击多层石墨烯，然后在高温炉中退火以去除顶层石墨烯，实现高精度的减薄石墨烯。通过多次等离子体轰击和高温退火可以实现逐层减薄多层石墨烯。该发明特...
杨喜超谢晓明江绵恒丁古巧
文献传递
一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法
本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反...
王浩敏张有为沈大伟杨喜超谢晓明
文献传递
一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明提供一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法，首先于两层或两层以上的石墨烯表面采用直流磁控溅射法制备金属薄膜，以在所述石墨烯表面引入悬挂键；然后采用化学腐蚀法去除所述金属薄膜，并对所述石墨烯表面进行清洗和干燥；最后...
王浩敏张有为杨喜超谢晓明
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