柳公器
- 作品数:27 被引量:63H指数:4
- 供职机构:金杯电工股份有限公司更多>>
- 发文基金:中国博士后科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:金属学及工艺一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 一种新型的放线装置
- 一种新型的放线装置,包括底座、托盘、张力装置、升降螺杆丝套、活动杆,其中托盘安装在底座上,张力装置通过弹簧螺丝调节松紧可控制托盘的转动速度进而实现对放线张力的控制,活动杆一端与托盘上的铁杆相连,另一端通过一短杆与升降螺杆...
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- 文献传递
- 硅化钼发热体表面玻璃膜及其制备方法
- 本发明公开了一种以普通硅酸盐玻璃粉为原料,采用料浆法在二硅化钼发热体上制备致密的玻璃保护膜的工艺。本发明是将普通硅酸盐玻璃粉与无水乙醇配成浓度为0.4~0.6g/ml的料浆,涂覆在二硅化钼发热体表面,在1000~1200...
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- 文献传递
- Si_3N_(4(p))/SiC_((w))强韧化MoSi_2基复合材料的显微组织与力学性能被引量:3
- 2010年
- 采用热压工艺制备了不同Si3N4(p)和SiC(w)体积含量的MoSi2基复合材料,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、维氏硬度计、电子万能材料试验机等研究了复合材料的显微组织、硬度、断裂韧度和抗弯强度,并对其强韧化机理进行了初步探讨。结果表明,复合材料结构致密,强化相与MoSi2之间没有新相生成,力学性能较纯MoSi2得到大幅度提高,其中MoSi2-20%Si3N4(p)-20%SiC(w)复合材料具有最好的抗弯强度和断裂韧度,分别为427MPa和10.4MPa.m1/2。复合材料的强化机制为细晶强化和弥散强化,韧化机制为细晶韧化和裂纹偏转与分支韧化。
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- 关键词:MOSI2复合材料SIC晶须强韧化机制
- JL/G3A-1000/45-72/7钢芯铝绞线
- 陈海兵杨志强余南平娄国军刘利文王先周曾红波杨波王静王洪生郭平柳公器高源王慧娟
- 项目来源:JL/G3A-1000/45-72/7钢芯铝绞线应用于±660kV特高压直流输电线路。由于其输送电压等级高,输送容量大等特点,已广泛用于宁东-山东直流输电工程线路和其他国家重点工程。目前湖南省电线电缆行业中只能...
- 关键词:
- 关键词:钢芯铝绞线特高压输电线路直流输电线路
- 无铅锑黄铜轧制工艺的研究被引量:3
- 2009年
- 在研究锑黄铜板材熔铸工艺的基础上,通过控制开坯温度、压下制度、轧制温度和退火制度,轧制出抗拉强度达到461.7MPa,延伸率可达15.67%,力学性能与铅黄铜HPb59-1相当的锑黄铜,为进一步提高无铅易切削锑黄铜的热轧提供了参考。
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- 关键词:无铅合金成分热轧工艺
- 退火对冷拉拔Al-0.7Fe-0.2Cu合金组织性能的影响被引量:5
- 2012年
- 运用光学显微镜、扫描电镜和透射电镜研究了冷拉拔铝合金Al-0.7Fe-0.2Cu在不同退火处理制度下的微观组织结构演变,并分析了其对电导率和力学性能的影响。结果表明:300℃退火,初生相Al(Fe,Cu)中Cu元素部分回溶于基体,500℃退火,Cu元素几乎完全回溶于基体;冷拉拔Al-0.7Fe-0.2Cu丝材再结晶温度为300~350℃;450℃长时间退火后,再结晶晶粒长大不明显,但有极少量的晶粒出现异常长大现象,这主要是因为Al(Fe,Cu)相分布不均匀对晶粒长大的影响;其电导率在250℃×2h条件下退火达到最大值;超过350℃长时间退火其抗拉强度趋于稳定,伸长率降低。冷拉拔合金在350℃×2h退火处理制度下,拥有最优异的导电性能和力学性能。
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- 关键词:退火显微组织电导率
- 二硅化钼硅铝氧氮聚合材料复合发热体及其制备方法
- 本发明公开了一种二硅化钼硅铝氧氮聚合材料复合发热体,其原料以二硅化钼粉末为主,添加硅铝氧氮聚合材料(sialon)粉末为强化剂,添加二硅化铬粉末为活化剂,其特征是:其中硅铝氧氮聚合材料在整个发热体中的含量为1%-30wt...
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- 一种易切削镁钙黄铜及其制备方法
- 本发明公开了一种易切削镁钙黄铜及其制备方法,它由铜、锌、镁、钙合金元素和不可避免的杂质成分组成。所述合金的组成为:铜:58~62wt%、镁:0.5~3.0wt%、钙:0.1~1.5wt%,其余为锌和不可避免的杂质,杂质成...
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- 一种新型的放线装置
- 一种新型的放线装置,包括底座、托盘、张力装置、升降螺杆丝套、活动杆,其中托盘安装在底座上,张力装置通过弹簧螺丝调节松紧可控制托盘的转动速度进而实现对放线张力的控制,活动杆一端与托盘上的铁杆相连,另一端通过一短杆与升降螺杆...
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- 二硅化钼基复合结构材料及其制备方法
- 本发明公开了一种以MoSi<Sub>2</Sub>为基体,以Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>颗粒和SiC晶须为强化相的高温结构材料及制备工艺。本发明是将体积分数为20~50vol%的Si<Sub>3...
- 周宏明柳公器肖来荣易丹青
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