武爱民
- 作品数：106 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
- 硅基片上刻蚀衍射光栅及其平坦化设计被引量：1
- 2017年
- 刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅来提高反射效率、降低器件插入损耗,并在入射波导处引入多模干涉耦合器以实现通道频谱平坦化设计。结果表明,闪耀光栅反射面的反射效率由35%提高到了85%,1d B带宽达到12nm。这对于提高系统稳定性、增大传输距离和容量、降低系统成本具有显著作用,能够满足光互连系统的实际应用需求。
- 陈鑫武爱民武爱民仇超赵瑛璇盛振盛振李伟
- 关键词：集成光学刻蚀衍射光栅波分复用技术
- 微环电光调制器及其制备方法
- 本发明提供一种微环电光调制器及其制备方法，微环电光调制器包括从下至上的硅衬底、埋氧层、辐射加固层、硅层及氧化硅层；本发明将掺杂离子注入埋氧层中形成辐射加固层，以在辐射加固层中产生大量电子陷阱，从而可俘获电子，以补偿由于高...
- 周悦毕大炜吴龙生武爱民
- 文献传递
- 温度不敏感马赫曾德尔干涉仪
- 本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第...
- 仇超赵瑛璇甘甫烷武爱民盛振李伟
- 文献传递
- 一种高性能硅基锗探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种高性能硅基锗探测器及其制备方法，由下至上包括作为探测器制作初始材料包括硅材料(1)、SiO<Sub>2</Sub>层(2)和锗层(3)的衬底、作为肖特基接触的金属电极(4)和覆盖于锗层(3)和金属电极(4)...
- 张轶锦曹溪源武爱民
- 文献传递
- 图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究
- 2010年
- 采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。
- 张波陈静魏星武爱民薛忠营罗杰馨王曦张苗
- 关键词：氮化镓绝缘体上硅
- 弯曲波导结构及偏振分束旋转器
- 本实用新型提供一种弯曲波导结构及基于所述弯曲波导结构的偏振分束旋转器，弯曲波导结构包括：衬底；第一波导，弯曲设置于衬底上，包括第一耦合区；第二波导，弯曲设置于衬底上，第二波导包括与第一耦合区耦合的第二耦合区，第二波导与第...
- 赵瑛璇仇超甘甫烷武爱民盛振李伟
- 文献传递
- 垂直结构硅基量子点发光器件的衬底转移方法
- 本发明提供一种垂直结构硅基量子点发光器件的衬底转移方法，包括步骤：提供GaAs衬底，于GaAs衬底上生长外延层，外延层包括GaAs缓冲层、AlAs牺牲层和InAs量子点发光器件；提供硅衬底，形成BCB树脂材料层；进行烘烤...
- 武爱民刘丽王茹雪
- 文献传递
- 一种硅基多模光接收器件及其制备方法
- 本申请公开了一种硅基多模光接收器件及其制备方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；制备探测器，包括：在所述SOI晶圆上定义探测器区域；在所述探测器区域形成锗材料层；通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成锗波导，所述锗波导的宽度为2....
- 冯大增王奕琼梁虹武爱民
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- 一种集成光收发器
- 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种集成光收发器，其包括集成连接的片上组件、片外组件和温度传感器；该片上组件包括硅基滤波件，该硅基滤波件用于实现不同波长的光的合波或者分波；该温度传感器用于监测该片上组件的温度；该片...
- 冯大增王奕琼梁虹武爱民
- 文献传递
- 一种具有周期结构的半导体及其制备方法
- 本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法，首先提供一的AAO模板，所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，接着去除各该...
- 姜海涛魏星张苗狄增峰武爱民母志强
- 文献传递
