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熊传兵: 作品数：51 被引量：140H指数：8; 供职机构：闽南师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

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MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究被引量：12: 2000年; 对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨 ,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光 ( e A发光 )。观察到降低 Ga N补偿度能提高 Ga N带边发射强度。; 李述体王立辛勇彭学新熊传兵姚冬敏江风益; 关键词：MOCVD 光致发光补偿度

GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱被引量：5: 2000年; 采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga; 姚冬敏辛勇王立李述体熊传兵彭学新刘念华江风益; 关键词：双晶衍射光致发光氮化镓

MOCVD生长InGaN薄膜及其离子束背散射沟道研究: 采用MOCVD系统Al<,2>O<,3>为衬底在CaN膜上生长了In<,x>Ca<,1-x>N薄膜。以卢瑟福背散射／沟道(RBS/channeling)技术和光致发光(PL)技术对In<,x>Ca<,1-x>N样品进行了...; 李述体彭学新王立熊传兵李鹏; 关键词：离子束; 文献传递

具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法: 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－y N，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)发光器件及其制造方法。该发光器件包括导电衬底，特...; 江风益王立熊传兵方文卿刘和初周毛兴; 文献传递

GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究被引量：4: 2000年; 用ＲＢＳ／沟道技术对ＭＯＣＶＤ生长的未故意掺杂的ＧａＮ的结构性能进行了测试，同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明：ＧａＮ薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比Ｘｍｉｎ和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品，其Ｘｍｉｎ小；随着样品补偿度的增大，Ｘｍｉｎ也逐渐增大；但它们之间的关系变化是非线性的。对这些结果给予了一定的解释。; 姚冬敏王立熊传兵彭学新江风益; 关键词：补偿度

MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究被引量：9: 2000年; 获得高质量的ｎ型ＧａＮ单晶膜是制作ＧａＮ基光电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流于浓度高达２ ×１０１９ｃｍ－３，迁移率达１２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜；并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的黄带发射，大大提高带边发光强度。研究结果还表明：随着Ｓ掺杂量的增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子载流于浓度增加，迁移率下降，Ｘ光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺Ｓ量增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的生长速率显著下降的现象。; 江风益李述体王立熊传兵彭学新辛勇姚冬敏; 关键词：MOCVD 氮化镓

裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响被引量：3: 2010年; 本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放。随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大。PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移。; 肖宗湖张萌熊传兵江风益王光绪熊贻婧汪延明; 关键词：SI衬底 INGAN/GAN LED 应力

掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响: 对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究，研究表明随SiH<,4>/TMGa流量比增大，GaN:Si单晶膜的电子浓度增大，迁移率下降，X射线双晶衍射峰半高宽增加，同时带边发射强度得到了大大的提高，并报导了随SiH<,4...; 李述体莫春兰李鹏王立熊传兵; 关键词：MOCVD 光致发光生长速率; 文献传递

硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量：2: 2008年; 测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.; 熊传兵江风益王立方文卿莫春兰; 关键词：发光二极管电致发光

量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响被引量：1: 2016年; 在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.05Ga0.95N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温电致发光特性。垒结构的改变虽然对光功率影响很小,但是在光谱性能上会引起显著改变,结果如下:在低温(13 K)大电流下,随着电流密度的增大,样品的EL谱峰值波长蓝移更为显著,程度依次为B>A≈C;在高温(300 K)小电流下,随着电流密度的增大,样品EL谱的峰值波长蓝移程度的大小依次为A>B>C。在同一电流下,随着温度的升高,样品在大部分电流下的EL谱峰值波长出现"S"型波长漂移,在极端电流下又表现出不同的漂移情况。这些现象与局域态、应力、压电场、禁带宽度等因素有关。; 汤英文熊传兵井晓玉; 关键词：绿光LED 电致发光硅衬底 MOCVD