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熊传兵: 作品数：51 被引量：140H指数：8; 供职机构：闽南师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究被引量：12: 2000年; 对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨 ,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光 ( e A发光 )。观察到降低 Ga N补偿度能提高 Ga N带边发射强度。; 李述体王立辛勇彭学新熊传兵姚冬敏江风益; 关键词：MOCVD 光致发光补偿度

GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱被引量：5: 2000年; 采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga; 姚冬敏辛勇王立李述体熊传兵彭学新刘念华江风益; 关键词：双晶衍射光致发光氮化镓

MOCVD生长InGaN薄膜及其离子束背散射沟道研究: 采用MOCVD系统Al<,2>O<,3>为衬底在CaN膜上生长了In<,x>Ca<,1-x>N薄膜。以卢瑟福背散射／沟道(RBS/channeling)技术和光致发光(PL)技术对In<,x>Ca<,1-x>N样品进行了...; 李述体彭学新王立熊传兵李鹏; 关键词：离子束; 文献传递

具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法: 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－y N，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)发光器件及其制造方法。该发光器件包括导电衬底，特...; 江风益王立熊传兵方文卿刘和初周毛兴; 文献传递

硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量：2: 2008年; 测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.; 熊传兵江风益王立方文卿莫春兰; 关键词：发光二极管电致发光

量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响被引量：1: 2016年; 在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.05Ga0.95N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温电致发光特性。垒结构的改变虽然对光功率影响很小,但是在光谱性能上会引起显著改变,结果如下:在低温(13 K)大电流下,随着电流密度的增大,样品的EL谱峰值波长蓝移更为显著,程度依次为B>A≈C;在高温(300 K)小电流下,随着电流密度的增大,样品EL谱的峰值波长蓝移程度的大小依次为A>B>C。在同一电流下,随着温度的升高,样品在大部分电流下的EL谱峰值波长出现"S"型波长漂移,在极端电流下又表现出不同的漂移情况。这些现象与局域态、应力、压电场、禁带宽度等因素有关。; 汤英文熊传兵井晓玉; 关键词：绿光LED 电致发光硅衬底 MOCVD

不同基板1W硅衬底蓝光LED老化性能研究被引量：8: 2010年; 将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三种基板中铜支撑基板的器件老化后光电特性最稳定。把这一现象归结于三种样品的应力状态以及基板热导率的不同,其中应力状态可能是影响器件可靠性的最主要因素。; 汪延明熊传兵王光绪肖宗湖熊贻婧江风益; 关键词：发光二极管氮化镓硅衬底

MOCVD生长MgS薄膜被引量：3: 1998年; 我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．; 廖清华范广涵江风益熊传兵彭学新潘传康; 关键词：MOCVD生长

Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化被引量：7: 2010年; 采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射（HRXRD）和光致发光（PL）研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现：（1）转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的GaN薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的GaN薄膜张应力最小。（2）随着铬基板中铬主体层厚度的增加,转移后的GaN薄膜应力不发生明显变化。; 熊贻婧张萌熊传兵肖宗湖王光绪汪延明江风益; 关键词：金属基板 SI衬底 GAN 应力

MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究被引量：1: 2000年; 对本实验室用 MOCVD方法生长的未故意掺杂的 Ga N单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明 ,室温时 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较宽 ,低补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较窄。; 辛勇熊传兵彭学新王立姚冬敏李述体江风益; 关键词：补偿度 X射线双晶衍射 MOCVD 氮化镓