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王剑宇

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇电荷
  • 2篇电极接触
  • 2篇电学
  • 2篇电子器件
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇十八烷基
  • 2篇微加工
  • 2篇位相
  • 2篇纳米线
  • 2篇刻蚀
  • 2篇激光
  • 2篇激光刻蚀
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件
  • 2篇光刻
  • 2篇分子
  • 2篇分子膜
  • 2篇半导体

机构

  • 5篇南京大学

作者

  • 5篇王剑宇
  • 4篇潘力佳
  • 4篇王欣然
  • 4篇孙华斌
  • 4篇张荣
  • 4篇郑有炓
  • 4篇施毅
  • 4篇濮林
  • 4篇王军转
  • 2篇盛贇
  • 2篇盛赟
  • 2篇高凡

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种纳米材料电子与光电子器件及制备方法
一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过...
施毅盛贇王剑宇孙华斌潘力佳王军转濮林王欣然张荣郑有炓
文献传递
离散纳米材料的选择性排列方法
一种离散纳米材料<B>选择性排列</B>的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分...
施毅高凡盛赟孙华斌潘力佳王剑宇王军转濮林王欣然张荣郑有炓
ZnO纳米薄膜材料生长特性与杂质调控
ZnO作为一种宽带隙直接带隙半导体材料，其禁带宽度对应于紫外光波段，在光电器件尤其是紫外光波段方面有着非常重要的应用。ZnO的高激子束缚能(60meV)更是使得室温下的激光器等光电器件成为可能。此外，ZnO易于被酸碱刻蚀...
王剑宇
关键词：氧化锌化学气相沉积法
文献传递
一种纳米材料电子与光电子器件及制备方法
一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过...
施毅盛贇王剑宇孙华斌潘力佳王军转濮林王欣然张荣郑有炓
离散纳米材料的选择性排列方法
一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用...
施毅高凡盛赟孙华斌潘力佳王剑宇王军转濮林王欣然张荣郑有炓
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