王志宇
- 作品数：92 被引量：5H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程经济管理更多>>
- 高速栅极脉冲调制电路及射频功率放大器
- 本发明公开了一种具有负电上电时序保护功能的高速栅极脉冲调制电路及射频功率放大器，该电路包括：电压转换电路、脉冲开关电路、电压比较电路、漏极供电电路；电压转换电路的输出端与脉冲开关电路的输入端连接，脉冲开关电路的输出端与电...
- 徐思凯王志宇张兵周琪康宏毅唐嘉浩郁发新
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- 利用异向介质材料天线罩的多波束天线
- 本发明公开了一种利用条状金属单元结构天线罩的多波束天线。包括全向辐射的偶极子天线和三组由条状金属构成的金属阵列和天线罩，天线罩和偶极子天线平行放置，在偶极子天线后面平行放置金属板，且偶极子天线的两条金属臂与天线罩上的条状...
- 叶德信姜涛王志宇彭亮皇甫江涛冉立新
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- 一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法
- 本发明公开了一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法，具体包括如下步骤：101)芯片载板制作步骤、102)转接板制作步骤、103)键合步骤；本发明提供设置大流量散热沟槽的一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制...
- 郁发新冯光建王志宇陈华张兵
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- 二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法
- 本发明提供一种二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法，在同一蓝宝石衬底上异质集成二维材料器件与GaN器件，并通过二维材料器件控制GaN器件的开、关，提高整体异质集成结构的性能，发挥GaN器件优势；通过互连电极，实...
- 莫炯炯王志宇陈华刘家瑞郁发新
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- 一种新型的PIN管微观结构
- 本发明公开了一种新型的PIN管微观结构，其特征在于，包括Metal 1层、Metal 2层、阳极引出层AC、阴极引出层CC和PIN管；阳极引出层AC、阴极引出层CC设置在PIN管的两极上，且Metal 1层在阳极引出层A...
- 王志宇黄威文陈伟
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- 相位指示电路、转换器芯片及多芯片同步系统
- 本发明提供一种相位指示电路、转换器芯片及多芯片同步系统，相位指示电路包括延时线模块、并联采样模块、相位指示模块及寄存器模块；延时线模块接收同步信号，用于对同步信号进行2<Sup>M</Sup>级延时并生成2<Sup>M<...
- 刘家瑞郁发新王志宇陈华
- 一种嵌入式光通信模组制作方法
- 本发明公开了一种嵌入式光通信模组制作方法，具体包括如下步骤：101)底座转接板制作步骤、102)散热转接板制作步骤、103)键合底座步骤、104)封盖转接板制作步骤、105)成型步骤；本发明通过把光电转换芯片嵌入到装有液...
- 郁发新冯光建王志宇陈华张兵
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- 具有热沉结构的GaN器件及其制备方法
- 本发明提供一种具有热沉结构的GaN器件及其制备方法，该器件依次包括：Cu热沉衬底、CuIn金属间化合物层、种子层、粘附层、SiC衬底层及功能层。通过裂解工艺，利用离子注入在SiC衬底层内形成缺陷层，然后在应力诱导产生层的...
- 莫炯炯王志宇陈华刘家瑞郁发新
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- 三模耦合的强高频侧阻带抑制微带带通滤波器及耦合方法
- 本发明公开了一种三模耦合的强高频侧阻带抑制微带带通滤波器及耦合方法。此滤波器包括基板以及基板上的微带线结构，所述的微带线结构包括L形弯折的左微带馈线和右微带馈线，双模微带谐振结构，单模微带谐振结构；左微带馈线和右微带馈线...
- 许慧王志宇陈华黄剑华王立平刘东栋郁发新
- 多载波微放电中二次电子横向扩散的概率分析被引量：1
- 2014年
- 长周期多载波微放电是近年来新发现的、主要发生在宽带、大功率真空微波部件中的二次电子倍增放电现象.与发生在单个载波周期中的多载波微放电相比,长周期多载波微放电来源于多个载波周期间的二次电子累积,具有相对较低的放电阈值和不可预测性,对空间和加速器应用中宽带大功率微波部件的长期可靠性带来了新的隐患.为解决长周期多载波微放电阈值分析中非均匀场激励下二次电子累积的理论计算问题,本文采用概率方法,通过引入随机漫步和Branching Levy漫步模型,对微放电过程中二次电子横向扩散所需遵循的概率模型进行了严格的推导,并采用所得的概率密度函数,给出了主模为TE10模的矩形波导中多载波激励下二次电子积累过程的纯理论计算.与相同条件下采用粒子仿真所得的结果对比,本文给出的计算结果与仿真结果相符合,同时计算耗时减少了接近一个数量级.本文报道的二次电子横向扩散的概率描述可广泛应用于高功率真空电子和电磁器件领域.
- 宋庆庆王新波崔万照王志宇冉立新
- 关键词：二次电子随机漫步概率密度
