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王忠良

作品数:3 被引量:11H指数:1
供职机构:贵州大学理学院电子科学系更多>>
发文基金:贵州省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇反应磁控溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电子技术
  • 1篇性能研究
  • 1篇声表面波
  • 1篇声表面波器件
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇滤波器
  • 1篇溅射制备
  • 1篇非金属材料
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇材料特性
  • 1篇叉指换能器
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 3篇贵州大学

作者

  • 3篇王忠良
  • 2篇刘桥
  • 1篇王代强
  • 1篇冯杰

传媒

  • 2篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
AlN薄膜有源SAW滤波器集成及性能研究被引量:1
2007年
在AlN压电薄膜上(以SiO2/Si为衬底),使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路,制成中心频率为320MHz的有源SAW滤波器并进行了测试。结果表明,该滤波器的插入损耗低于10dB,带外衰减高于45dB。
刘桥王代强冯杰王忠良
关键词:电子技术叉指换能器
A1N薄膜声表面波材料特性及其集成工艺的研究
AlN由于具有优异的压电特性和高的声表面波波速,其制作过程与IC工艺兼容,因而已成为高频声表面波器件的首选材料。本论文围绕GHz声表面波器件的研制,开展了反应磁控溅射法在P型Si(111)衬底上沉积AlN压电薄膜的研究,...
王忠良
关键词:反应磁控溅射声表面波器件滤波器
文献传递
衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响被引量:10
2005年
采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23nm。
王忠良刘桥
关键词:无机非金属材料反应磁控溅射
共1页<1>
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