罗木昌
- 作品数：52 被引量：65H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文)被引量：4
- 2003年
- 单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法 ,其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息 ,其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(10 0 )和蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜 ,在生长的所有样品中均观察到了典型的 3C SiC的TO和LO声子峰 ,在3C SiC/Si材料中 ,这两个声子峰分别位于 970 3cm-1和 796 0cm-1,在 3C SiC/蓝宝石材料中 ,分别位于96 5 1cm-1和 80 1 2cm-1,这一结果表明这两种外延材料均为 3C SiC晶型。利用一个 3C SiC自由膜作为无应力标准样品 ,并根据 3C SiC/Si和 3C SiC/蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量 ,得到 3C SiC中的内应力约分别为 1GPa和 4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反 ,通过比较 3C SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数 ,预期Si衬底上的 3C SiC外延膜受到的应力为张应力 ,而蓝宝石衬底上 3C SiC受到的应力则为压应力。
- 孙国胜罗木昌王雷赵万顺孙艳玲曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：3C-SIC拉曼光谱RAMAN光谱背散射
- 日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计被引量：2
- 2019年
- 设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。
- 申志辉罗木昌叶嗣荣樊鹏周勋
- 关键词：读出电路抗辐射加固总剂量效应
- AlGaN日盲紫外光电二极管光谱响应特性仿真及验证被引量：2
- 2013年
- 对日盲AlGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟,并将仿真结果与实测数据进行了比较分析,发现差异来自AlGaN材料的带尾效应。利用无p型层的材料透过率数据提取了器件吸收层截止波长附近的光吸收系数,并使用带尾吸收模型对测得的光吸收系数进行拟合,得到了AlGaN材料吸收带尾特征参数g、EUrbach分别为2.2×104cm-1、0.027 eV,补充和修正了AlGaN材料带内外光吸收模型,经验证使用该模型的仿真结果与实测结果具有很好的一致性。
- 申志辉罗木昌周勋王颖
- 关键词：日盲紫外仿真
- 化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
- 碳化硅(SiC)由于其优良的材料特性,例如高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度,很适合低损耗高功率、高温和高频器件的制造。在众多SiC多型体(polytype)中,4H-SiC由于其禁带宽度大(3.26eV)、迁移率高(...
- 高欣孙国胜赵万顺王雷李晋闽曾一平罗木昌
- 文献传递
- AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究被引量：2
- 2018年
- 结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。
- 赵文伯叶嗣荣赵红罗木昌周勋杨晓波陈扬李艳炯申志辉柳聪
- 关键词：焦平面阵列
- 背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计被引量：4
- 2013年
- 高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。
- 赵文伯周勋李艳炯申志辉罗木昌
- 关键词：ALGAN
- CZ重掺锑硅单晶的锑和氧杂质被引量：1
- 1999年
- 介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发。
- 罗木昌杨德仁阙端麟
- 关键词：直拉硅单晶电阻率锑IC
- Si(111)衬底上GSMBE AlN的结构性质
- 我们用NH<,3>作气源的MBE法在Si(111)衬底上外延生长了高质量的AlN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍...
- 罗木昌王晓亮刘宏新王雷李晋闽张小平潘华勇胡国新孙殿照曾一平林兰英
- 关键词：分子束外延氮化铝表面形貌
- 文献传递
- 中波-长波红外双色QWIP探测器设计被引量：3
- 2012年
- 双色QWIP是一类重要的第三代红外探测器,但很少有研究报道对其有源区结构以及耦合光栅参数进行系统的计算分析和优化设计。文中基于包络函数近似、传输矩阵模型、经典光学原理等理论对中波-长波红外双色QWIP探测器的多周期有源区以及二维耦合光栅进行了较为详细的优化设计。长波红外(LWIR)有源区采用GaAs/AlGaAs准匹配体系的多量子阱结构,峰值响应波长为8.5μm;中波红外(MWIR)有源区采用InGaAs/GaAs/AlGaAs应变体系的微带超晶格结构,峰值响应波长为4.5μm;子带间跃迁类型均设计为束缚态-准束缚态(B-QB)以降低暗电流,提高探测率。此外,通过折衷优化设计,采用单周期二维光栅以有效实现LWIR与MWIR的双色耦合。上述设计对双色QWIP器件的研制具有较好的实际指导意义。
- 周勋周勇罗木昌赵文伯
- 偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC外延膜的生长研究
- 用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的...
- 孙国胜赵万顺王雷罗木昌曾一平李晋闽孙殿照林兰英
- 关键词：4H-SIC表面形貌位错结构
- 文献传递
