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罗葵

作品数：79 被引量：8H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 75篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 20篇刻蚀
  • 12篇键合
  • 11篇感器
  • 11篇成品率
  • 11篇传感
  • 11篇传感器
  • 10篇淀积
  • 10篇湿法腐蚀
  • 10篇微电子
  • 10篇微电子机械
  • 10篇微电子机械系...
  • 9篇电路
  • 9篇芯片
  • 8篇压阻
  • 8篇压阻式
  • 8篇牺牲层
  • 8篇MEMS器件
  • 7篇应力
  • 7篇封装
  • 6篇单片

机构

  • 79篇北京大学
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 79篇罗葵
  • 77篇张大成
  • 77篇李婷
  • 70篇田大宇
  • 67篇王玮
  • 51篇杨芳
  • 47篇刘鹏
  • 37篇何军
  • 33篇赵丹淇
  • 28篇黄贤
  • 20篇王颖
  • 14篇张立
  • 13篇李静
  • 11篇王阳元
  • 9篇王兆江
  • 8篇林琛
  • 8篇阮勇
  • 6篇姜博岩
  • 5篇刘晓娣
  • 5篇严远

传媒

  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 11篇2015
  • 7篇2014
  • 11篇2013
  • 4篇2012
  • 6篇2011
  • 2篇2010
  • 8篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2001
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法
本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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一种加工制造微电子机械系统元器件的方法
本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二...
张大成张威李婷田大宇刘蓓罗葵王颖李静王兆江王阳元
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一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定，在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置，可以大幅提高硅应变膜厚度的...
黄贤杨芳张大成姜博岩王玮何军田大宇刘鹏罗葵李婷张立
一种预调阈值的post-CMOS集成化方法
本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺陷进行转化利用，不需...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法
本发明提供一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法，其步骤包括：准备待腐蚀的硅片；采用ALD技术在所述硅片表面上淀积一层硅湿法腐蚀掩膜；对所述掩膜进行减薄，直至露出下方的硅片表面；利用湿法腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀，获得微...
杨芳张大成郭俊敏姜博岩李婷罗葵王玮范泽新
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一种MEMS和IC单片集成方法
本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后...
赵丹淇张大成林琛何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法及装置
本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用...
何军张大成赵丹淇王玮杨芳田大宇刘鹏李婷罗葵
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牺牲层腐蚀时间的测试结构及MEMS器件制备方法
本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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薄膜气体传感器的制备方法
本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米...
刘晓娣张大成王玮李婷罗葵田大宇
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一种基于SOI硅片的MEMS压阻式绝对压力传感器
本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的<100>晶向排列，另外两个相对的...
黄贤张大成赵丹淇林琛何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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