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罗远晟

作品数：3 被引量：11H指数：2
供职机构：成都大学电子信息工程学院更多>>
相关领域：电子电信文化科学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 1篇电工专业
  • 1篇电子电工
  • 1篇电子电工专业
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇实验教学
  • 1篇中学生
  • 1篇膜厚
  • 1篇教学
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇ITO
  • 1篇ITO薄膜

机构

  • 1篇成都大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇成都精密光学...

作者

  • 2篇罗远晟
  • 1篇陈松林
  • 1篇肖定全
  • 1篇朱基亮
  • 1篇朱建国
  • 1篇杨涛
  • 1篇马平
  • 1篇蒲云体

传媒

  • 1篇压电与声光
  • 1篇高教学刊

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
浅议电子电工实验教学中学生多层次能力的培养被引量：4
2015年
在全社会对创新教育高度重视背景下,针对电工与电子实验教学的现状,提出了以扎实三基(基本理论、基本知识、基本技能),激发学习兴趣,培养综合创新能力为目标的多层次开放式电工与电子实验教学模式。本文从基础型实验教学、综合型实验教学、创新型实验教学三个不同的层次对电子电工实验教学进行了详细的介绍。
罗远晟杨涛丁忠睴
关键词：电子电工专业实验教学
膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响被引量：6
2010年
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%。
罗远晟陈松林马平蒲云体朱基亮朱建国肖定全
关键词：薄膜厚度
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共1页<1>
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