蒋建飞
- 作品数：44 被引量：39H指数：5
- 供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海-AM基金上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>
- 高温超导场效应晶体管的动态导纳模拟
- 1999年
- 本文基于我们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数．对高温超导场效应晶体管的低频电流电压特性进行了数值模拟．分别对推广的二流体模型中正常电流和超导电流在一定的条件下随栅电压、漏电压、温度和频率的变化进行了分析．给出了一种高温超导场效应器件低频特性新的研究方法．
- 蔡琪玉蒋建飞沈波
- 关键词：晶体管
- 基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型被引量：3
- 2004年
- 提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型 .该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便 ,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度 .此外 ,该宏模型结构简单 ,可以利用极小的计算机资源得到与传统的蒙特卡罗方法基本一致的模拟结果 ,并可方便地嵌入
- 吕明蒋建飞蔡琪玉
- 关键词：单电子晶体管库仑阻塞宏模型蒙特卡罗方法
- 半导体中非平衡载流子的输运过程(Ⅰ)
- 1987年
- 在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献,从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。由此导出了非平衡载流子寿命,复合几率的统计表达式,以及包括产生-复合过程的电荷连续性方程和稳态输运过程的电流方程。
- 刘古蒋建飞陈瑞熊
- 关键词：玻尔兹曼方程输运方程非平衡载流子载流子密度带间跃迁输运过程
- 基于SPICE的单电子器件和电路模拟器
- 本文论述了我们移植和发展的基于通用集成电路模拟软件SPICE的单电子器件和电路模拟器SJTU-NANO-SESPICE1.0.通过把基于主方程的单电子晶体管器件方程引入SPICE,使其可以处理含有单电子晶体管的电路和系统...
- 沈波蒋建飞蔡琪玉
- 关键词：单电子晶体管
- 文献传递
- 基于主方程法的单电子器件和电路模拟器
- 本文论述了我们开发的基于单电子系统主方程的器件和电路模拟器SJTU-NANO-SEDCME1.0.该模拟器通过对单电子系统所处的概率最大状态的估算和搜寻,把理论上是无限维的主方程简化成维数较少的线性方程,从而能相对快速地...
- 沈波蒋建飞蔡琪玉
- 文献传递
- 超导场效应器件的统一小信号传输线模型被引量：2
- 1996年
- 本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。
- 蒋建飞蔡琪玉汤玉生周正利
- 一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法
- 1989年
- 亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.
- 汤玉生蒋建飞
- 关键词：亚微米刻蚀选择性
- 纳米电子系统中电容矩阵的数值模拟器
- 2002年
- 该文论述了纳米电子系统电容矩阵数值模拟器SJTU-NANO-FCACI的原理和应用,分析了其算法,并研究了在纳米电子系统中常见的球形导体的电容。结果表明,该模拟器具有精度高、速度快、应用广泛等特性。
- 乐嘉勇蒋建飞蔡琪玉
- 纳米金属氧化线单电子存贮单元
- 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区，其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ，有源区与上层写线之间有SiO<Sub>2</Sub>绝缘层，源线和数据线位于...
- 蒋建飞蔡琪玉黄萍沈波程子川
- 文献传递
- 纳米电子学被引量：5
- 2001年
- 近 1 0年来 ,纳米科学与技术学 (纳米学 )这个科学术语及其内涵引起了世人的普遍关注 ,各种海阔天空的议论充满着多种报刊杂志 ,其来势不亚于 2 0世纪 80年代末的全球高温超导热 .这种景象表明纳米学确实很重要 ,它有可能掀起人类认知上的新突破、技术上的新飞跃和工业上的新革命 .这是一个综合性的交叉学科 ,它的发展和深入研究 ,必将对人类的生存和发展产生巨大的影响 .然而 ,我们必须清楚 ,要想在这一领域达到最终的目标 ,使之完全实用化 ,还必须经历极其艰难困苦的历程 ,需要多代人的研究努力 .虽然现代高科技飞速的发展有可能缩短这个历程 ,但仍存在许多根本性的问题 ,包括正确的哲学观、科学观、理论体系和具体的技术难题 .
- 蒋建飞蔡琪玉
- 关键词：纳米电子学纳电子器件
