贾晓云
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于标准CMOS工艺的非易失性存储器设计
- 射频识别（RFID）技术具有识别速度快、识别距离远、可多目标同时识别和环境适应性好等众多优点,其在物流、产品防伪、目标跟踪、设备和资产管理等领域具有十分广阔的应用前景。而非易失性存储器又是射频识别标签的信息载体,主要用于...
- 贾晓云
- 关键词：射频识别标准CMOS工艺非易失性存储器低功耗
- 文献传递
- RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计被引量：2
- 2013年
- 针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。为了减小存储单元的面积并进一步降低编程功耗,还采用了厚度仅为4 nm的栅氧作为隧穿结。此外,还设计了一种适合于该存储单元的灵敏放大电路,不仅可以读取存储数据,还可配合存储单元进行数据的擦写操作,从而简化存储单元的设计。基于0.18μm单多晶硅标准CMOS工艺实现了该存储单元及其灵敏放大电路,其单元面积仅为108μm2,经测试表明该存储单元可配合灵敏放大电路实现数据的正确读写,编程电压约为6 V,在擦写次数达到10 000次后,仍具有1.5 V的阈值窗口。
- 贾晓云冯鹏张胜广吴南健刘肃
- 关键词：非易失性
- SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究被引量：1
- 2012年
- 利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜。
- 陈达刘林杰薛忠营刘肃贾晓云
- 关键词：硅锗
