郑畅达
- 作品数：25 被引量：84H指数：5
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形被引量：3
- 2005年
- 采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重。高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在。有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大。
- 郑畅达方文卿王立莫春兰蒲勇戴江南刘卫华江风益
- 关键词：氧化锌X射线双晶衍射
- MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜被引量：1
- 2006年
- 采用常压MOCVD方法在Cu/S i(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明:ZnO/Cu/S i(111)外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。
- 程海英王立方文卿蒲勇郑畅达戴江南江风益
- 关键词：ZNOMOCVDX射线衍射光致发光
- 一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH<Sub>3</Sub>和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获...
- 郑畅达张建立高江东王小兰王旋李丹江风益
- p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究被引量：2
- 2010年
- 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.
- 毛清华江风益程海英郑畅达
- 关键词：绿光LED
- 静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响被引量：3
- 2007年
- 对几组本工程中心研制的S i衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V。研究对比了1 000 V范围内的静电对S i衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析。结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响。
- 乐淑萍郑畅达江风益
- 关键词：SIGAN基蓝光LED静电
- 磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜被引量：1
- 2007年
- 采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系。
- 俞振南姜乐熊志华郑畅达戴江南江风益
- 关键词：ZNO磁控溅射粗糙度溅射功率
- 硅基GaN外延膜生长与LED性能提升研究
- 以GaN基LED芯片为基础的固态照明器件具有发光效率高,寿命长,响应速度快,发光强度随电流和脉冲宽度近线性变化,能在剧烈振动和恶劣环境下工作,不含环境有害物质等优点,成为新一代通用照明灯具的首选。随着研究的深入和产业的发...
- 郑畅达
- 关键词：量子效率LED芯片
- 五基色LED照明光源技术进展被引量：13
- 2017年
- 现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED(红、黄、绿、青、蓝光)可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼安全与舒适的全光谱无荧光粉白光光源,是下一代高品质光源。其难点在于获得高光效黄光LED。目前我们在黄光LED光效提升方面取得重大突破,获得了电光转换功率效率高达21.5%的硅衬底InGaN基黄光LED(565nm,20A/cm^2),对应130 lm/W,远好于文献报道和可查询到的最高水平。基于红、黄、绿、青、蓝五色LED芯片合成的白光灯珠,显色指数94.8,色温3 263K,光效100.5 lm/W,达到了实用化水平。无荧光粉五基色LED照明技术省去了稀土这一稀缺资源,具有现实价值和战略意义,同时在可见光通信、情景照明、智能照明方面有优势。
- 刘军林莫春兰张建立王光绪徐龙权丁杰李树强王小兰吴小明潘拴方芳全知觉郑畅达郭醒陈芳江风益
- 关键词：LED照明
- MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜被引量：4
- 2006年
- 用常压金属有机化学气相外延方法在Ni／Si（111）模板上生长ZnO薄膜，研究了ZnO低温缓冲层的厚度（50h，300h）对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜，X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析。结果表明：缓冲层的厚度对zno外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响。在50h～100A低温缓冲层上生长的ZnO外延膜，晶粒尺寸大小均匀，发光和结晶性能良好。
- 方芳王立方文卿蒲勇郑畅达苏宏波江风益
- 关键词：MOCVDNIX射线衍射
- 常压MOCVD生长Ga_2O_3薄膜及其分析被引量：5
- 2006年
- 以去离子水(H2O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga2O3薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga2O3外延膜的质量。在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(1-02)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga2O3外延膜是(1-02)择优取向。在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子。
- 戴江南王立方文卿蒲勇李璠郑畅达刘卫华江风益
- 关键词：金属有机化学气相沉积氧化镓原子力显微镜X射线衍射二次离子质谱
