郭爱云
- 作品数：14 被引量：51H指数：5
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 金刚石表面化学镀镍沉积速度影响因素分析被引量：2
- 2006年
- 研究了以硼氢化钠为还原剂的金刚石表面化学镀N i工艺,重点探讨了镀液主要工艺参数对沉积速度的影响,获得了最佳工艺条件:硼氢化钠1.0 g/L;氯化镍30 g/L;乙二胺60 g/L;温度85℃;pH值13,并用JSM-5610LV型扫描电镜观察了原始金刚石和镀覆后的形貌。
- 朱选敏刘桂珍郭爱云
- 关键词：预处理化学镀镍
- 掺杂浓度对AZO薄膜结构和性能的影响被引量：8
- 2004年
- 采用溶胶-凝胶工艺在玻璃基片上制备Al3+掺杂型的ZnO(AZO)透明导电薄膜,对薄膜进行了XRD和SEM分析,并对其光电性能作了详细的研究.结果表明:薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;薄膜的可见光透过率可达80%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜的电阻率为1.5×10-2～8.2×10-2 Ω·cm.
- 葛春桥夏志林郭爱云
- 关键词：AZO薄膜溶胶-凝胶SEMXRD电阻率
- 掺杂透明导电半导体薄膜的光电性能研究被引量：11
- 2006年
- 掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料,其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法,化学气相沉积和脉冲激光沉积法等。该文采用溶胶-凝胶(so l-gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出A l3+掺杂型ZnO透明导电薄膜。将这种薄膜在空气和真空中以不同的温度进行了退火处理,并对薄膜进行了XRD分析和光电性能研究。结果表明,所制备的薄膜为钎锌矿型结构,在c轴方向择优生长,真空退火有利于薄膜结晶状况的改善,并使薄膜的载流子浓度大幅度地增加而电阻率下降,并且真空退火对薄膜的透射率影响不大。
- 葛春桥郭爱云胡小峰
- 关键词：溶胶-凝胶AZO薄膜真空退火光电性能
- 溶胶-凝胶法制备AZO薄膜工艺参数的优化被引量：4
- 2005年
- 采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究,确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法。
- 葛春桥薛亦渝胡小锋郭爱云
- 关键词：AZO薄膜溶胶-凝胶正交设计
- ZnO:Al(AZO)薄膜制备工艺参数的正交优化设计被引量：5
- 2004年
- 采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究;确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法。
- 葛春桥薛亦渝郭爱云胡小锋唐超
- 关键词：AZO薄膜溶胶-凝胶正交设计
- 电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验被引量：12
- 2005年
- 采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:A1(ZAO)透明导电薄膜。用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用。试验结果表明:采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时,沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为250℃,镀膜系统工作稳定,沉积薄膜的性能较好。
- 郭爱云薛亦渝夏志林朱选敏葛春桥
- 关键词：ZAO薄膜正交试验
- 以低价态钛氧化物制备TiO_2薄膜研究被引量：2
- 2005年
- 试验以Ti2O3,Ti3O5和TiO2作为初始膜料,在ZZS700-6／G型真空镀膜机上采用O2-离子束辅助蒸发制备氧化钛 薄膜。用XRD检测方法确定各种膜料和薄膜的相成分,并全面地分析了各种膜料的蒸发特性和薄膜;用分光光度计测量薄 膜的透射率,并分析薄膜的光学性能。试验表明,在采用Ti2O3,Ti3O5和TiO2作为蒸发制备氧化钛薄膜时,钛的氧化物中存 在Ti3O5固态同一蒸发相;各种膜料在蒸发时,发生分解,熔池中的物质成分逐渐转变成同一蒸发相成分,最终完全转变成同 一蒸发相。
- 郭爱云薛亦渝朱选敏胡小峰
- 关键词：TIO2氧化钛薄膜
- 离子辅助蒸发TixOy制备氧化钛薄膜及特性
- 采用离子辅助沉积的方法,分别以Ti02和Ti305为初始膜料在K9玻璃上制备了氧化钛薄膜,并研究了离子束流密度对以Ti305为膜料制备的薄膜透射性能的影响。实验结果表明,热处理前薄膜都为无定形结构:热处理后有明显的锐钛矿...
- 胡小锋薛亦渝郭爱云
- 关键词：TIO2
- 文献传递
- 离子辅助蒸发TixOy制备氧化钛薄膜及特性
- 本文采用离子辅助沉积的方法,分别以TiO2和Ti3O5为初始膜料在K9玻璃上制备了氧化钛薄膜,并研究了离子束流密度对以Ti3O5为膜料制备的薄膜透射性能的影响，实验结果表明,热处理前薄膜都为无定形结构;薄膜透射率极值随束...
- 胡小锋薛亦渝郭爱云
- 关键词：TIO2
- 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜及其光电性能研究被引量：5
- 2005年
- 采用溶胶 凝胶方法制备了AZO半导体透明导电薄膜,并研究了退火温度对其结构和性能的影响。结果表明:AZO薄膜的晶粒成等轴状,薄膜的电阻率在(2～8)×10-3Ω·cm之间,平均透射率在80%以上。
- 葛春桥薛亦渝胡小锋郭爱云
- 关键词：AZO薄膜溶胶凝胶光电性能
