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郭磊

作品数:8 被引量:135H指数:5
供职机构:西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金西安交通大学博士学位论文基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电气工程
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇导电特性
  • 3篇电特性
  • 3篇电性能
  • 3篇电阻率
  • 3篇酰亚胺
  • 3篇耐电晕
  • 3篇介电
  • 3篇介电性
  • 3篇介电性能
  • 3篇聚酰亚胺
  • 3篇非线性
  • 2篇电压
  • 2篇氧化钛
  • 2篇碳化硅
  • 2篇起晕电压
  • 2篇纳米二氧化钛
  • 2篇纳米氧化钛
  • 2篇聚酰亚胺薄膜
  • 2篇二氧化钛

机构

  • 8篇西安交通大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 8篇郭磊
  • 7篇陈寿田
  • 6篇刘斌
  • 5篇李鸿岩
  • 4篇宁叔帆
  • 3篇于开坤
  • 2篇李红岩
  • 2篇王峰
  • 1篇赵丽华

传媒

  • 5篇绝缘材料
  • 2篇第九届全国绝...
  • 1篇中国电机工程...

年份

  • 1篇2006
  • 7篇2005
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
SiC非线性导电特性调控技术的研究
本文研究了SiC非线性导电特性的影响因素,提出了调控其防电晕涂层非线性导电特性及起晕电压的新方法.结果表明通过控制SiC微粉表面SiO2含量、金属杂质含量、晶体中C/Si元素比、掺入β-SiC、改变SiC颗粒粒径及混合不...
宁叔帆于开坤郭磊李鸿岩陈维陈寿田
关键词:SIC电阻率起晕电压绝缘材料
文献传递
变频电机的匝间绝缘电老化机理被引量:28
2005年
结合近年来国内外的文献资料,对变频电机匝间绝缘过早破坏机理进行了系统的阐述。变频电机的匝间电压特性与普通电机有着显著的不同,由此引起的局部放电是导致匝间绝缘快速老化的根本原因,而由局部放电产生的电子轰击、臭氧氧化等作用直接造成了匝绝缘的过早破坏。提高变频电机使用寿命的方法之一就是提高绝缘材料高温条件下的耐局部放电能力。
李鸿岩王峰郭磊刘斌陈寿田
关键词:变频电机局部放电电子轰击臭氧氧化
聚酰亚胺/纳米氧化钛复合薄膜的介电性能研究
本文采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米TiO2复合材料.通过透射电镜研究了纳米TiO2粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态,并在此基础上研究了纳米TiO2填加量对该复合材料介电性能的影响.结果表明,随着纳米TiO2含量的增...
李鸿岩郭磊刘斌陈维陈寿田
关键词:聚酰亚胺薄膜纳米二氧化钛介电性能耐电晕
文献传递
聚酰亚胺/纳米Al_2O_3复合薄膜的介电性能被引量:65
2006年
为了提高聚酰亚胺(PI)的耐电晕性能,采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米Al2O3复合材料,并采用透射电子显微镜(TEM)对纳米Al2O3的分散状态进行了表征。研究了纳米Al2O3填加量对该复合材料耐电晕性能和其它介电性能的影响,结果表明,随着纳米Al2O3含量的增加,材料的耐电晕性能显著增强,在±910V(双极性)、15kHz条件下,纳米Al2O3质量分数为20%的PI薄膜的耐电晕寿命达到极大值,为纯PI薄膜寿命的25倍,聚酰亚胺/纳米Al2O3复合材料的体积电阻率和击穿场强没有明显的劣化,而相对介电常数和损耗角正切有所增加。
李鸿岩郭磊刘斌陈维陈寿田
关键词:聚酰亚胺纳米AL2O3复合材料介电性能耐电晕
碳化硅非线性导电特性调控技术的研究被引量:1
2005年
研究了SiC非线性导电特性的影响因素,提出了调控其防电晕涂层非线性导电特性及起晕电压的新方法。结果表明通过控制SiC微粉表面SiO2含量、金属杂质含量、晶体中C/Si元素比、掺入β_SiC、改变SiC颗粒粒径及混合不同粒径SiC等手段,可有效调控SiC防电晕涂层的非线性导电特性,从而显著提高电机防电晕涂层的起晕电压。
宁叔帆于开坤郭磊李鸿岩陈维陈寿田
关键词:SIC电阻率起晕电压
聚酰亚胺/纳米氧化钛复合薄膜的介电性能研究被引量:26
2005年
采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米TiO2复合材料。通过透射电镜研究了纳米TiO2粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态,并在此基础上研究了纳米TiO2填加量对该复合材料介电性能的影响。结果表明,随着纳米TiO2含量的增加,聚酰亚胺/纳米TiO2复合材料的体积电阻率和电气强度出现不同程度的劣化,并造成了介电常数和介质损耗因数的增加,但是材料的耐电晕性能显著增强,在12MV/m的电场强度下,纳米TiO2含量15%的PI薄膜的耐电晕寿命为纯PI薄膜的40多倍。
李鸿岩郭磊刘斌陈维陈寿田
关键词:聚酰亚胺薄膜纳米二氧化钛介电性能耐电晕
碳化硅非线性导电特性的研究进展被引量:16
2005年
综述了碳化硅非线性导电特性的意义和碳化硅材料的特性、非线性导电特性的测试及计算方法,讨论了α-SiC和β-SiC的非线性导电特性及其影响因素。前人研究结果表明,对于α-SiC,颗粒越粗,电阻率ρ0越低、非线性系数β越大;颗粒越细,电阻率ρ0越高、非线性系数β越小;不同种类,不同工厂生产的碳化硅的电阻率ρ0和非线性系数β是不同的;α-SiC制成防晕带后电阻率升高,β值下降,颗粒越粗,β值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律,而β-SiC具有比α-SiC低得多的电阻率和较大的非线性系数,并且其电阻率和非线性系数受到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响。
郭磊宁叔帆于开坤李红岩赵丽华刘斌陈寿田
关键词:碳化硅电阻率
纳米复合材料制备方法的研究进展被引量:12
2005年
纳米尺度的复合为发展高性能的新型材料和改善传统材料性能提供了新的途径。从如何才能得到聚合物基纳米尺度复合的材料这一角度出发,综述了各种制备方法的概念、特点以及应用的研究进展。
郭磊李红岩王峰宁叔帆刘斌陈寿田
关键词:共混溶胶-凝胶插层原位聚合
共1页<1>
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