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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇电子学
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇氧化动力学
  • 1篇陶瓷
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇激光
  • 1篇激光诱导
  • 1篇甲基
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学
  • 1篇光谱
  • 1篇红外
  • 1篇红外吸收

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇陈磊
  • 3篇黄永攀
  • 2篇李道火
  • 1篇浦坦
  • 1篇张为俊
  • 1篇王锐
  • 1篇赵文武
  • 1篇郭晓勇

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇佛山陶瓷

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
纳米氮化硅陶瓷的氧化动力学研究被引量:2
2005年
本文采用氧化后再氧化的实验方法,通过对纳米Si3N4陶瓷试样氧化行为的研究和氧化动力学的分析,讨论了纳米Si_3N_4陶瓷的氧化机理。结果表明,Si_3N_4陶瓷的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律:(ΔW)2=Kpt。提出了氧在氧化层中的向内扩散是Si_3N_4氧化过程中的控制步骤;得出烧结添加剂或杂质对Si_3N_4陶瓷氧化速度的影响,是由于改变了氧化层的组成、结构,使氧在氧化层中的扩散速度发生了变化的结论。
陈磊黄永攀李道火
关键词:氮化硅动力学氮化硅陶瓷动力学研究SI3N4陶瓷氧化动力学
激光法制备纳米氮化硅及其光谱特性研究被引量:4
2006年
介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7-15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体。采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的“蓝移”和“宽化”现象。采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法。
陈磊黄永攀浦坦郭晓勇赵文武张为俊
关键词:光电子学氮化硅红外吸收光谱拉曼光谱
激光诱导六甲基乙硅胺烷制备氮化硅纳米粉体被引量:3
2005年
针对激光气相合成氮化硅纳米粉体的性能与成本的矛盾,在对激光合成反应物的研究与分析的基础上,选择廉价、无氯硫、对CO2激光有强吸收、易于处理的有机硅烷反应物六甲基乙硅胺烷(HMDS)作为价格昂贵、难以处理的硅烷(SiH4)的替代反应物,进行了激光合成氮化硅纳米粉体的研究。
陈磊王锐黄永攀李道火
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