韩和相
- 作品数：76 被引量：134H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- 静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光
- 1990年
- 通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。
- 糜东林郑健生颜炳章李国华汪兆平韩和相
- 关键词：静压束缚激子混晶
- 全文增补中
- 掺稀土半导体的喇曼光谱
- ＜正＞掺稀土半导体,因稀土杂质的4f-4f电子跃迁而产生的尖锐发光线及其在半导体发光器件,激光器及光纤通信中潜在的应用前景而受到了人们的关注。近年来已有不少有关掺稀土GaAs,GaP,InP及Si等半导体材料光学性质的研...
- 韩和相汪兆平李国华王培大孙慧玲
- 文献传递
- (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究
- 1993年
- (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm^(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。
- 李国华韩和相汪兆平李杰何力袁诗鑫
- 关键词：量子阱结构光致发光
- 不同阱宽的In_xGa_(1-X)As/GaAs应变量子阱的压力行为
- 1991年
- 在77K下测量了不同阱宽(30-160A)的In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的静压下光致发光谱.静压范围为0-60kbar.发现导带第一子带到重空穴第一子带的激子发光峰的压力系数从 160A阱的 9.74meV/kbat增加到 30A 阱的 10.12meV/kbar.计算表明,阱变窄时电子波函数向压力系数较大的势垒层中的逐步扩展是压力系数随阱宽变小而增加的原因之一.在压力超过50kbar后观察到两个与间接跃迁有关的发光峰.
- 李国华郑宝真韩和相汪兆平
- 关键词：INGAAS/GAAS光致发光
- 用静压光致发光研究GaAs/AlAs短周期超晶格的Ⅰ-Ⅱ类超晶格转变点
- 李国华江德生韩和相
- 关键词：晶格场光致发光半导体物理
- In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射被引量：2
- 1998年
- 报道了ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果．光学声子模的频率与强度的组分关系表明Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中有３种光学声子模，即类ＩｎＡｓ、类ＧａＡｓ和类ＡｌＡｓ模．喇曼光谱的偏振分析表明３种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的，而在偏振条件下是喇曼非活性的．由于混晶中的无序效应，可观察到泄漏的ＴＯ模叠加在ＬＯ的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状．
- 韩和相汪兆平李国华李国华丁琨徐仕杰丁琨
- 关键词：喇曼散射光学声子
- InxGa1-xAs,GaAs1-xSbx和Ga1-xInxAsySb1-y混晶半导体的喇曼散射研究
- InGaAs,GaAsSb三元混晶半导体和GaInAsSb四元混晶半导体都是在半导体光电器件和高速器件中有广阔应用前景的材料.因此近年来对这些材料的生长条件和物理特性的研究引起人们广泛的兴趣.本文介绍了我们对GaInAs...
- 李国华韩和相汪兆平
- 文献传递
- ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱
- 2003年
- 研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着
- 方再利苏付海马宝珊刘南竹朱作明丁琨韩和相李国华葛惟锟苏萌强
- 关键词：电子陷阱
- GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模
- 1991年
- 在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用.
- 汪兆平韩和相李国华江德生
- 关键词：GAAS/ALAS光学声子模光谱
- 生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究被引量：1
- 2001年
- 测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 As重空穴的 型跃迁 .高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动 ,认为它来源于量子点中 Γ能谷与价带之间的跃迁 .在压力下还观察到了一个新的与 X相关的发光峰 ,认为它与双轴应变引起的导带
- 陈晔李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国
- 关键词：光致发光谱
