魏兆冬
- 作品数：6 被引量：8H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学化工学院应用化学系更多>>
- 发文基金：中国APEC科技产业合作基金更多>>
- 相关领域：化学工程金属学及工艺医药卫生更多>>
- 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法
- 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法，是为了解决采用溶胶－凝胶法制备锆钛酸铅薄膜过程中存在制备方法复杂，可重复操作性差的问题。本发明中的一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法主要由PZT溶胶的制备、PZ...
- 王福平孙秋魏兆冬成海涛姜兆华
- 文献传递
- 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法
- 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法，是为了解决采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅薄膜过程中存在制备方法复杂，可重复操作性差的问题。本发明中的一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法主要由PZT溶胶的制备、PZ...
- 王福平孙秋魏兆冬成海涛姜兆华
- 文献传递
- ZrO<sub>2</sub>-HA生物陶瓷的制备及微观结构研究
- 本文研究了羟基磷灰石纳米粉体的合成及氧化锆/羟基磷灰石复合陶瓷的制备工艺、显微结构及硬度。首先采用高分子网络凝胶法合成了羟基磷灰石纳米粉体,通过TG-DTA、FT-IR及XRD分析,确定了粉体的合成工艺。从原料Ca/P比...
- 魏兆冬
- 关键词：生物陶瓷氧化锆羟基磷灰石显微结构
- Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响被引量：7
- 2008年
- 采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT);介电测试结果表明,1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大,2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大,Gd掺入量>2mol%时,薄膜的介电常数下降;薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势,而可逆极化值变化较小.在弱电场下(低于矫顽场E_c),用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律,1mol%Gd掺杂的薄膜瑞利系数α最大,说明薄膜中缺陷的浓度最低.1mol%Gd掺杂的薄膜介电和铁电性能的改善与Gd^(3+)+在PZT品格中的占位情况有关.
- 孙秋魏兆冬王福平姜兆华
- 关键词：PZT薄膜稀土掺杂介电性能
- ZrO/_2-HA生物陶瓷的制备及微观结构研究
- 本文研究了羟基磷灰石纳米粉体的合成及氧化锆//羟基磷灰石复合陶瓷的制备工艺、显微结构及硬度。
首先采用高分子网络凝胶法合成了羟基磷灰石纳米粉体,通过TG-DTA、FT-IR及XRD分析,确定了粉体...
- 魏兆冬
- 关键词：生物陶瓷氧化锆羟基磷灰石显微结构
- 文献传递
- 可切削氧化锆复合陶瓷的显微结构和断裂特征
- 2008年
- 为解决氧化锆陶瓷的难加工问题,掺入软相磷酸钙,制备出牙科CAD/CAM系统用氧化锆复合陶瓷材料,通过TEM和EADX方法研究烧结温度和磷酸钙含量对复合陶瓷显微结构和断裂方式的影响.结果表明,磷酸钙含量的增加导致瓷体致密度降低,升高烧结温度则有利于提高氧化锆复合陶瓷的致密度.高温下原料羟基磷酸钙分解生成磷酸三钙、氧化钙和水,导致磷酸钙晶粒中钙磷比例为8∶9,较初始状态降低.磷酸钙与氧化锆在陶瓷内部形成弱结合面,导致复合陶瓷断裂方式发生改变,随磷酸钙含量的增加,复合陶瓷由穿晶断裂逐渐过渡到沿晶断裂.
- 李文旭于德珍魏兆冬王福平费维栋
- 关键词：氧化锆磷酸钙
