黄海云 作品数:29 被引量:22 H指数:2 供职机构: 杭州电子科技大学 更多>> 发文基金: 浙江省自然科学基金 浙江省教育厅科研计划 东莞市高等院校科研机构科技计划项目 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 一般工业技术 电气工程 更多>>
CMOS集成2D垂直型霍尔传感器电路设计 被引量:2 2015年 高失调电压和低磁场灵敏度严重影响了CMOS集成2D垂直型霍尔传感器的应用。提出了一种新颖的2D垂直型霍尔传感器失调消除和信号放大电路。采用2相旋转电流调制和相关双采样解调技术实现了对霍尔失调有效消除;采用信号复用技术实现了对X轴和Y轴输入的2D霍尔信号进行相同处理,避免了2轴霍尔信号之间的放大误差,大大降低了电路的功耗。基于CSMC 0.8μm高压CMOS工艺进行了电路设计,仿真结果表明该电路能最大消除40 m V霍尔失调电压,并对最小0.4 m V的2轴霍尔信号放大并线性输出霍尔电压。输出霍尔电压的线性度大于99.9%,电路静态功耗小于20 m W。 黄海云 王德君 徐跃关键词:相关双采样 一种提高LED基板散热性能的方法 本发明涉及一种提高LED基板散热性能的方法。本发明方法首先将纳米碳管放入酸液中超声处理,得到纯净含氧官能团纳米碳管;将偶联剂加入去离子水中,调pH值到4~5,加入无水乙醇溶液,形成偶联剂溶液;将纯净含氧官能团纳米碳管加入... 徐军明 彭拜 胡晓萍 黄海云文献传递 低功耗轨至轨CMOS运算放大器设计 被引量:3 2011年 设计了一个1.5 V低功耗轨至轨CMOS运算放大器。电路设计中为了使输入共模电压范围达到轨至轨性能,采用了NMOS管和PMOS管并联的互补差动对输入结构,并采用成比例的电流镜技术实现了输入级跨导的恒定。在中间增益级设计中,采用了适合在低压工作的低压宽摆幅共源共栅结构;在输出级设计时,为了提高效率,采用了简单的推挽共源级放大器作为输出级,使得输出电压摆幅基本上达到了轨至轨。当接100 pF电容负载和1 kΩ电阻负载时,运放的静态功耗只有290μW,直流开环增益约为76 dB,相位裕度约为69°,单位增益带宽约为1 MHz。 刘华珠 黄海云 宋瑞关键词:低功耗 轨至轨 互补型金属氧化物半导体 运算放大器 恒跨导 基于FPGA技术的DRAM分时存取方法 被引量:2 2005年 介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法,根据现场可编程器件设计的特点,结合DRAM读写和刷新时序的要求,提出了同步化操作DRAM的思想,给出了具体同步化操作DRAM的实现方法,针对现场可编程器件设计中经常有多模块同时存取DRAM芯片的需求,提出了对DRAM芯片进行分时存取的方法,讨论了该方法的实现机制,结合具体的项目设计,给出了分时存取方法的关键时序,避开了复杂的DRAM控制器,节省了设计资源,简单方便地解决了DRAM操作的仲裁问题。 刘华珠 陈雪芳 黄海云关键词:FPGA DRAM 同步化 低电压CMOS压控振荡器设计 被引量:1 2011年 设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化。设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和调谐宽度均达到了较高的性能指标。结果表明,在1.2 V工作电压下,设计的VCO的尾电流为3 mA,输出振荡频率为2.24~2.57 GHz,中心频率约为2.4 GHz,调谐范围达到13.7%。 刘华珠 黄海云关键词:互补金属氧化物半导体 压控振荡器 相位噪声 滤波器 一种大功率LED用热电分离散热结构 本发明公开了一种大功率LED用热电分离散热结构,包括散热基板以及依次设置在该散热基板上的绝缘层和铜箔层,通过铣工艺先后在绝缘层中形成缺口A以及在铜箔层中形成缺口B;LED封装结构设置在与其相匹配的所述缺口A和缺口B中,使... 黄海云 张风菊 王涵文献传递 低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计 介绍了一个针对无线通讯应用的2.1GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用Chartered 0.25μm CMOS工艺,电源电压为2.5V,设计中使用了多个电感.详述了设计过程并给出了优化仿真结果.模拟结果显示,... 黄海云 郑梁 胡冀 胡炜薇 秦会斌关键词:低噪声放大器 电路设计 噪声控制 以太网桥接专用集成电路的实现 被引量:2 2005年 介绍了一种基于高级数据链路控制(HDL C)协议,实现以太网桥接的专用集成电路技术,介绍了该集成电路的系统组成和主要模块功能,着重讨论了高级数据链路控制(HDL C)协议的算法设计以及FIFO控制模块中双指针操作方式的技术实现。 刘华珠 黄海云 陈雪芳 李嘉穗关键词:以太网 桥接 专用集成电路 一种频率稳定的改进型CMOS环形振荡器 被引量:1 2011年 介绍了一种频率为1.2 MHz的CMOS环形振荡器的设计,工作电压范围是3 V^6 V,工作温度范围是-40℃~85℃。CMOS振荡器使用了Candence软件仿真工具设计,并采用无锡上华(CSMC)的标准0.5μm双多晶硅、三层金属CMOS工艺制作。为解决振荡频率随电压电源变化较大的问题,在分析传统的环形振荡器的基础上,提出了一种改进型的环形振荡器;然后使用Candence软件,在不同工艺角下,对电路进行仿真和分析,得到了电源电压和振荡频率的对应关系。研究结果表明,电源电压从3 V变化到6 V,振荡器输出频率最大变化范围为±5%。 吕洁如 秦会斌 黄海云关键词:CMOS集成电路 振荡器 环形振荡器 10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器 被引量:1 2005年 给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。 黄海云 徐跃 刘华珠 刘军 孙玲玲关键词:光接收机 主放大器 限幅放大器 SIGE BICMOS