您的位置： 专家智库 > >

龙建国

作品数：6 被引量：15H指数：2
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇NI
  • 2篇隧道结
  • 2篇铁磁
  • 2篇溅射
  • 2篇CO
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇磁性隧道结
  • 2篇磁滞回线
  • 1篇杂散磁场
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇铁磁层
  • 1篇铁磁耦合
  • 1篇内禀磁性
  • 1篇坡莫合金
  • 1篇微结构
  • 1篇物性
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度

机构

  • 6篇南京大学

作者

  • 6篇龙建国
  • 5篇鹿牧
  • 4篇杜军
  • 4篇胡安
  • 4篇潘明虎
  • 3篇陈景
  • 3篇翟宏如
  • 2篇张维
  • 2篇吴小山
  • 1篇陈璟

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇第1届全国磁...
  • 1篇第三届全国磁...
  • 1篇第十届全国磁...

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
具有自动补偿线性背景信号的高灵敏度VSM
报导了一种廉价耐用并有自动扫描磁化电源及能自动补偿线性背景信号功能的振动样品磁强计系统，其灵敏度优于1×10<'-5>emu.
龙建国潘明虎陈景杜军胡安鹿牧
关键词：内禀磁性
射频磁控溅射中杂散磁场对Ni<,80>Co<,20>薄膜各向异性的影响
该文报道了在射频磁控溅中靶基内的磁体所产生的杂散磁场对沉积的Ni<,80>Co<,20>单层膜的面内各向异性的影响，发现该杂散磁场对较薄的Ni<,80>Co<,20>单层膜衣导出感生各向异性。
龙建国潘明虎陈景杜军胡安鹿牧
关键词：各向异性磁控溅射坡莫合金
文献传递网络资源链接
磁性隧道结Ni_(80)Fe_(20)/Al_2O_3/Co的研究被引量：13
1999年
用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法可重复制备出具有隧道磁电阻（ＴＭＲ） 效应的Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ 磁性隧道结．光透射谱等实验结果表明等离子体氧化能可控制地制备较致密的Ａｌ２Ｏ３ 绝缘层．样品的ＴＭＲ 比值在室温下最高可达６－０ ％ ，反转场可低于８００ Ａ／ｍ ，相应的平台宽度约为２４００ Ａ／ｍ ．结电阻Ｒｊ 的变化范围从几百欧到几百千欧，并且ＴＭＲ 比值随零磁场结偏压增大单调减小．
杜军陈景吴小山潘明虎龙建国张维鹿牧翟宏如胡安
关键词：磁性隧道结巨磁电阻磁滞回线铁磁层微结构
溅射的Ta/NiFe/Ta三层膜中反常磁滞的实验和理论研究
该论文在对用射频磁控溅射方法制备的Ta/NiFe/Ta三层膜的结构和磁性的研究中发现现象.研究中使用了X射线衍射仪、振动样品磁强计、铁磁共振、透射电子显微镜等测量与实验方法,取得了一些有意义的结果,并从理论上验证了实验结...
龙建国
关键词：磁控溅射反铁磁耦合
文献传递
磁性隧道结Ni_(80)Fe_(20)/Al_2O_3/Co的制备和物性被引量：2
2000年
用等离子体氧化形成绝缘层的方法，重复性地制备出了Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ 磁性隧道结．样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ） 比值在室温下最高可达６－０ ％ ，翻转场（ｓｗｉｔｃｈ ｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ ，平台宽度约２４００Ａ／ｍ ．结电阻的变化范围从几百欧姆到几百千欧．
陈璟杜军吴小山潘明虎龙建国张维鹿牧翟宏如胡安
关键词：磁性隧道结
磁超分辨磁光记录介质研究
本文介绍了磁超分辨磁光存储技术的基本原理.并报道了构成磁超分辨(MSR)RAD磁光盘介质三层膜GdFeCo(40nm)/GdFeCoSi(40nm)/TbFeCo(50nm)j及各个单层,双层膜和三层膜的磁滞回线和铁磁共...
赵艳玲王世奇龙建国鹿牧翟宏如
关键词：磁光记录材料
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0