严成锋
- 作品数：74 被引量：99H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 碳化硅晶片的退火方法
- 本发明涉及一种碳化硅晶片的退火方法，包括：将经初加工的碳化硅晶片置于退火炉中，在惰性气体或还原性气体的保护下，缓慢升温1～8小时（优选3～6小时）至退火温度1200～1800℃（优选1300～1500℃），在该退火温度恒...
- 姜涛严成锋孔海宽刘熙陈建军高攀忻隽肖兵施尔畏
- 文献传递
- 高效率、低阈值的Yb:GSO激光器
- ＜正＞本文研究的Yb3+:Gd2SiO5（Yb:GSO）晶体属于单斜晶系,是中科院上海光学精密机械研究所徐军小组采用提拉法生长的,Yb浓度为10％。GSO介质具有很强的各向异性,所以Yb3+在GSO中受到了很强的晶体场作...
- 宋晏蓉胡江海赵广军严成锋苏良碧徐军郭凯张志刚
- 文献传递
- 氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用被引量：2
- 2009年
- 采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.
- 黄维陈之战陈博源张静玉严成锋肖兵施尔畏
- 关键词：欧姆接触SIC互扩散
- 籽晶辅助化学气相传输法生长ZnO单晶的特征研究被引量：1
- 2007年
- 采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec,边缘部分为78.4arcsec.利用Rainan谱、光致发光谱等研究了ZnO晶体退火前后的缺陷和光学性质,表明经氧气氛退火后晶体缺陷明显减少,晶体质量进一步提高.
- 张华伟施尔畏陈之战严成锋陈博源
- 关键词：氧化锌摇摆曲线拉曼光谱光致发光谱
- 掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法
- 一种掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法，其特征在于该成像荧光屏的结构表达式为：(Ce<Sub>x</Sub>Re<Sub>y</Sub>Lu<Sub>1－x－y</Sub>)<Sub> 2</Sub>Si<Sub>2...
- 赵广军严成锋徐军庞辉勇介明印何晓明夏长泰
- 文献传递
- 掺Yb^(3+)晶体宽带可调谐激光输出特性(英文)被引量：4
- 2008年
- 三块掺杂率均为5%的Yb3+激光晶体Yb:LSO、Yb:GSO和Yb:GYSO在完全相同的实验条件下由同一块熔融石英棱镜实现了可调谐激光的输出,调谐范围分别为70nm、66nm和74nm.在输出镜透过率为6%时,LSO晶体的光-光转换效率为38.3%;GSO晶体在三者中容易获得更长波长的高功率输出;GYSO晶体由于具有较为平滑的调谐曲线而更容易获得锁模激光.
- 郭凯宋晏蓉田金荣胡江海张志刚严成锋赵广军苏良璧徐军
- 关键词：可调谐激光宽带
- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究
- SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3]。本文采用高温合成炉,选择Si粉和C...
- 高攀刘熙陈建军严成锋忻隽孔海宽施尔畏
- 文献传递
- 掺镱焦硅酸镥激光晶体及其制备方法
- 一种掺镱焦硅酸镥激光晶体，该晶体的分子式为：(Yb<Sub>x</Sub>Lu<Sub>1－x</Sub>)<Sub>2</Sub>Si<Sub>2</Sub>O<Sub>7</Sub>，其中x的取值范围为0.001≤x...
- 赵广军徐军郑丽和严成锋苏良碧
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- 超快大功率SiC光导开关的研究被引量：16
- 2008年
- 选用钒掺杂浓度为0．2at％的高质量6H-SiC晶体，电阻率为7．0×10^8Ω·cm，研制出超快大功率SiC光导开关．在脉冲宽度为20ns的光源激发下，分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性．结果表明：1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越，耐偏压高，光导电脉冲的上升时间快（6．8ns），脉宽〈20ns，稳定性好．负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大，在2．5kV的偏置电压下，最大瞬时电流约为57．5A，瞬时功率高达132kW．
- 严成锋施尔畏陈之战李祥彪肖兵
- 关键词：碳化硅半绝缘光导开关
- 一种高耐压碳化硅光导开关
- 本发明涉及一种高耐压碳化硅光导开关，属于半导体器件制备技术领域。光导开关采用相对面型设计，在经处理后的碳化硅抛光片的两面制作欧姆接触，形成两个电极。这种相对面型碳化硅光导开关可以成倍地提高开关的耐压能力，使光导开关的体积...
- 陈之战施尔畏严成锋肖兵
- 文献传递
