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刘朋强

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇锗
  • 6篇淀积
  • 4篇衬底
  • 3篇态密度
  • 3篇界面态
  • 3篇界面态密度
  • 3篇化物
  • 2篇电子器件
  • 2篇栅介质
  • 2篇退火
  • 2篇退火过程
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子器件
  • 2篇牺牲
  • 2篇离子注入
  • 2篇表面形貌
  • 1篇掩蔽层
  • 1篇原子

机构

  • 9篇北京大学

作者

  • 9篇刘朋强
  • 9篇林猛
  • 9篇安霞
  • 9篇黄如
  • 9篇张兴
  • 9篇黎明
  • 4篇李志强
  • 4篇云全新
  • 3篇李敏
  • 1篇赵阳
  • 1篇郭岳

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种适用于锗基阱的制备方法
一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与...
黄如林猛刘朋强张冰馨安霞黎明张兴
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一种锗基CMOS的制备方法
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明...
黄如林猛黎明安霞赵阳张冰馨刘朋强夏宇轩张兴
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一种提高金属锗化物热稳定性的方法
本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，...
安霞张冰馨黎明刘朋强林猛郝培霖黄如张兴
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淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法
本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离...
黄如林猛安霞黎明云全新李志强李敏刘朋强张兴
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淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法
本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离...
黄如林猛安霞黎明云全新李志强李敏刘朋强张兴
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一种锗基肖特基结的制备方法
本发明公布了一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO<Sub>2</Sub>，再淀积一层金属。稀土气化物CeO<Sub>2</Sub>与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce...
黄如林猛李志强安霞黎明云全新李敏刘朋强张兴
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一种适用于锗基阱的制备方法
一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与...
黄如林猛刘朋强张冰馨安霞黎明张兴
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一种提高金属锗化物热稳定性的方法
本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，...
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高迁移率Ge沟道器件研究进展被引量：1
2015年
高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率,成为未来互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件极有潜力的候选材料.然而,对于Ge基MOS器件,其栅、源漏方面面临的挑战严重影响了Ge基MOS器件性能的提升,尤其是Ge NMOS器件.本文重点分析了Ge基器件在栅、源漏方面面临的问题,综述了国内外研究者们提出的不同解决方案,在此基础上提出了新的技术方案.研究结果为Ge基MOS器件性能的进一步提升奠定了基础.
安霞黄如李志强云全新林猛郭岳刘朋强黎明张兴
关键词：金属-氧化物-半导体
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