吴小娟
- 作品数：17 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国民用航空飞行学院计算机学院更多>>
- 发文基金：中国民航飞行学院科研基金四川省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信化学工程更多>>
- AgGaS_2多晶合成工艺改进研究被引量：1
- 2016年
- 按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS_2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S蒸汽压过大引发的合成石英安瓿炸裂,提高了AgGaS_2多晶合成的质量和成功率。经过XRD、DSC测试分析,结果表明:经改进方法合成的AgGaS_2多晶材料是高纯单相、均匀致密的,为高质量AgGaS_2单晶的生长提供了优质原料。
- 吴小娟赵欣
- 关键词：多晶合成
- Origin7.5在光电效应实验数据处理中的应用被引量：1
- 2010年
- 应用Origin7.5软件能够快速准确处理光电效应实验数据,能够对辅助处理物理实验数据非常有效。
- 吴小娟
- 关键词：光电效应实验普朗克常量数据处理
- 硫镓银晶体活化能研究被引量：1
- 2008年
- 本文利用差示扫描量热法对硫镓银进行了热分析动力学研究。采用动态多重扫描速率法测试了AgGaS2在三个不同升温速率5K/min、10K/min和15K/min下的DSC曲线,得到一系列动力学参数。利用FWO模型和Kissinger模型计算出的AgGaS2析晶活化能分别为511.3kJ/mol和517.8kJ/mol,用Kissinger模型公式计算出了指前因子A=1.69×1022min-1。这对于了解晶体的结晶动力学特性,生长大尺寸、高质量的AgGaS2晶体有重要意义。
- 吴小娟赵北君朱世富何知宇陈宝军雷勇波袁泽锐
- 关键词：热分析动力学活化能DSC
- AgGaS_2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究被引量：3
- 2008年
- 研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响,发现在气体流量为30～40ml/min,镀碳温度为1040～1060℃,镀碳时间为30～40min,冷却时间为10～12h的条件下,可获得均匀、致密且结合牢固的碳膜层。用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS2晶体表面光洁,完整性好,缺陷较少。
- 雷勇波赵北君朱世富陈宝军谭波吴小娟黄毅
- 镀碳石英坩埚生长ZnGeP_2单晶体
- 2016年
- 在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键。本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉积法成功在坩埚内壁镀上结合牢固且均匀的碳膜。采用垂直布里奇曼法,并结合适时补温技术,在内部镀碳的双层坩埚中成功生长出Ф20 mm×50 mm外观完整,无裂纹的ZnGeP2单晶体。经XRD,TEM,FTIR分析结果表明:生长的ZnGeP2晶体缺陷少,结构完整,红外透过率高,是质量较高的单晶体。
- 赵欣李梦朱世富吴小娟
- 关键词：单晶生长
- 磷锗锌多晶合成装置设计研究
- 2016年
- 研究设计了ZnGeP_2多晶的合成装置,包括合成安瓿,合成炉结构与温场分布。利用自行设计的合成装置,采用两温区气相输运法进行ZnGeP_2多晶合成实验,并对合成的多晶材料进行XRD,EDS和密度测试。结果表明,合成产物为高纯、单相的ZnGeP_2多晶材料,设计的多晶合成装置和两温区气相输运合成工艺适合ZnGeP_2多晶的合成,为高质量ZnGeP_2多晶材料的获得奠定了基础。
- 赵欣吴小娟
- 关键词：多晶合成
- 磷锗锌晶体制备中的化学配比控制研究
- 2015年
- 分析了磷锗锌(ZnGeP_2)化学配比偏离产生的原因和对晶体造成的不良影响,提出了改进的方案。通过采用富P配料,提高生长料的装满度等措施,并运用改进的布里奇曼法,科学地设计出一个适宜晶体生长的温场,成功获得尺寸为Φ22 mm×45 mm的磷锗锌单晶。利用EDS和FTIR对生长的晶体进行表征,结果表明晶体化学元素配比接近理论值红外透过率高,满足光学器件的制做要求。
- 赵欣李梦程江吴小娟朱健健
- 关键词：晶体生长
- 最小二乘法在杨氏模量实验中的应用被引量：3
- 2017年
- 本文采用最小二乘法对拉伸法测量金属丝的杨氏模量实验数据进行了处理,既充分利用数据还减小实验误差。为了避免大量的计算工作,引入excel软件快速准确处理实验数据。
- 吴小娟
- 关键词：杨氏模量最小二乘法EXCEL
- 退火热处理对ZnGeP_2晶体光学性能的影响
- 2015年
- 采用坩埚下降法生长出尺寸为Ф22mm×30mm 的磷锗锌（ZnGeP2）单晶体.分别采用真空P氛围和真空ZnGeP2多晶粉末包裹对生长的ZnGeP2晶体进行退火处理.利用X射线衍射仪、能量分散光谱仪、红外分光光度计,测试了不同退火条件下ZnGeP2晶体中的元素组成和红外透光谱.结果表明,采用真空ZnGeP2多晶粉末包裹,580-600℃保温300h的退火工艺,能够较好地弥补晶片中Zn、P原子缺失,成分更接近ZnGeP2理想化学计量比.退火后的晶体在近红外波段范围内（0.7-2μm）的透过率有约30%的提高,在2-10μm 范围内的平均透过率接近60%.晶体光学质量显著提高,满足光学器件的制作要求.
- 赵欣吴小娟
- 关键词：坩埚下降法晶体生长退火红外光谱
- 石英生长坩埚镀碳工艺研究
- 2014年
- 研究了在AgGaS2晶体生长石英坩埚内壁镀碳的工艺,包含了镀碳温度、镀碳时间及冷去时间对碳膜质量的影响,从而获得了最佳镀碳工艺,即采用高纯甲烷在1040℃的高温下,热解60min,并冷却12h。采用该工艺镀碳的石英坩埚解决了AgGaS2晶体在高温下与石英坩埚的粘连问题,防止了坩埚杂质向晶体中的扩散,生长出表面光滑,完整性好,大尺寸的AgGaS2晶体。
- 吴小娟
